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采用直流磁控溅射加负偏压的方法制备了Ti膜,研究了不同偏压条件对Ti膜沉积速率、密度、生长方式及表面形貌的影响。随着偏压逐渐增大,Ti膜沉积速率分三个阶段变化:0~ -40 V之间沉积速率基本不变; -40~ -80 V之间沉积速率迅速降低;超过-80 V后沉积速率随偏压的下降速度又放缓。Ti膜密度随偏压增加而增大,负偏压为-119.1 V时开始饱和并趋于块体Ti材密度。加负偏压能够抑制Ti膜的柱状生长方式;偏压可以改善Ti膜的表面形貌,对于40 W和100 W的溅射功率,负偏压分别在-100 V和-80 V左右时制备出表面光洁性能较佳的Ti膜。 相似文献
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采用聚苯乙烯(PS)空心微球为模板,间苯二酚-甲醛(RF)为前驱体溶液,邻苯二甲酸二丁酯为分散剂,以界面聚合反应为基础初步总结出一条PS-RF双层聚合物空心微球的制备工艺,并就制备过程中RF溶液与分散剂油相的选择、预聚时间、搅拌速率、固化温度等影响因素进行了讨论。当RF溶液质量分数为25%,间苯二酚与碳酸钠的物质的量之比为100,预聚24 h,搅拌速率120~200 r/min,固化温度35 ℃时,制得了球形度和同心度达到95%以上,表面粗糙度小于10 nm的PS-RF双层空心微球。 相似文献
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利用全相对论性多组态Dirac-Fock平均能级方法系统地计算了高剥离类钠离子3s2S—3d2D(Z=14~103)电四极矩E2光谱跃迁的能级间隔,跃迁几率和振子强度,计算中考虑了核的有限体积效应,Breit修正和QED修正,所得结果和最近的实验数据及理论计算值进行了比较,计算结果表明:高原子序数的高荷电离子的电四极矩E2光谱跃迁的跃迁几率和中性原子的电偶极E1的相当,在ICF和MCF高温高密度激光等离子体中,电四极矩E2光谱跃迁过程不容被忽视。 相似文献