恒定电场下双磁垒结构中的电子输运行为

对磁量子结构中电子在外加恒定电场下的输运性质进行了研究.分别计算了电子隧穿相同磁垒磁阱和不同磁垒磁阱构成的两种磁量子结构的传输概率和电流密度.计算结果表明,在相当宽广的非共振电子入射能区,外加电场下电子的传输概率比无电场时增加.对于电子隧穿相同磁垒磁阱构成的双磁垒结构,共振减弱;对于电子隧穿不同磁垒磁阱构成的双磁垒结构,无电场作用时的非完全共振在适当的偏置电压下转化为完全共振,这时的电子可实现理想的共振隧穿.研究同时表明,磁量子结构中存在着显著的量子尺寸效应和负微分电导.     

导电栅网对相对论速调管中电子束的约束作用

介绍利用导电栅网约束相对论速调管(RKA)中强流电子束的理论分析及实验结果.用近似的空间电荷场分布分析导电栅网约束实心电子束稳定传输时的电子运动情况，讨论束流稳定传输的条件；并介绍在一台直线感应加速器上利用导电栅网约束未调制强流束(约400kV，2.5kA)长距离(约60cm)传输的实验结果，同时给出利用导电栅网约束RKA中调制电子束的实验结果.理论分析及实验研究表明，导电栅网对实心束的约束作用对电子束能量相对不敏感；导电栅网可有效地用于RKA中取代磁场系统约束强流相对论电子束.     

金属中点缺陷的电子结构和缺陷谱

本文以胶体模型为基础,利用密度冷函理论和局域密度近似研究了过渡金属Cr,Fe,Ni和贵金属Cu中空位型缺陷、氢杂质、空位-杂质复合体的电子结构以及以正电子湮没寿命表征的缺陷谱。表明了用正电子湮没寿命谱研究金属点缺陷电子结构和缺陷尺度大小的可行性。 关键词：     

磁量子结构中二维自旋电子的隧穿输运

研究了零偏压和偏置电压作用下磁量子结构中自旋电子的隧穿输运性质. 结果表明电子自旋 输运的性质不仅取决于磁量子结构的构型、入射电子的能量和波矢, 而且取决于偏置电压. 在零偏压下, 由等同的磁垒磁阱构成的磁量子结构不具有自旋过滤的特点, 而由不等同的磁 垒磁阱构成的磁量子结构却具有较好的自旋过滤特点. 偏置电压极大地改变了磁量子结构中 电子的极化程度, 使得电子隧穿等同的磁垒磁阱构成的磁量子结构的输运性质也显著地依赖 于电子的自旋指向. 关键词： 磁量子结构 自旋电子 隧穿输运 自旋极化     

纳米碳管电子结构和键合特性的第一原理研究

利用第一原理方法对一系列尺寸变化的单层纳米碳管电子结构进行了研究,得到了总态密度和态密度随碳管半径R的变化情况与实验结果完全一致,Fermi能级处态密度值随着管径R的增大而减小,说明纳米管的化学活性随着管径的增大而增强。碳管中C-C之间的键合为2s和2p价电子混合而成的弯曲的σ,π键,随着管径R的增大,化学键的弯曲度逐渐减小,C-C之间的键合作用和结合能逐渐增强,电荷密度和对应的势场也逐渐减弱。这些结果表明管径较小的纳米碳管在复合材料的合成中具有一定的优势。     

有散射区和Andreev反射面的单通道导体的导纳

采用分立势模型和有效散射矩阵方法, 通过引入正常导体-超导体复合介观系统的局部态密度以及发射率和入射率，计算了有散射区和Andreev反射面的单通道导体的导纳.     

~(121)Sb穆斯堡尔同质异能移研究

本文从理论上研究~(121)Sb的穆斯堡尔同质异能移,从能带理论的观点研究固体电子结构,提出压缩原子模型,考虑固体中原子体积的有限性,并在此基础上计算核内电子电荷密度和~(121)Sb的穆斯堡尔定标常数。     

掺氟碳纳米管电子性质的研究

利用第一原理方法讨论了掺氟碳纳米管的电子性质.与纯碳管相比,掺氟碳纳米管也能稳定存在,并具有更好的场发射性质.这是原子层次的材料设计.     

用原子集团的有序-无序相变理论研究Fe_xCu_(1-x)系统的非晶相形成

借助Kikuchi四面体原子集团变分方法,引入二体相互作用参量,讨论了Fe_xCu_(ix)合金fcc结构的相图,并估算了在相变区中系统晶格常数的变化,指出非晶相的形成是由于晶格畸变的结果。     

硫族化合物半导体CdSe,CdTe和SnSe的电子结构

本文在局域密度近似下利用从第一原理出发的标量相对论(scalar-relativistic)自洽LMTO-ASA方法,计算了CdSe,CdTe和SnSe的能带结构。计算中在高对称间隙点引入“空球”,晶体势的非球对称分量也得到了适当的考虑。计算结果与其它非自洽计算结果及实验结果进行了比较和讨论。 关键词：