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对磁量子结构中电子在外加恒定电场下的输运性质进行了研究.分别计算了电子隧穿相同磁垒磁阱和不同磁垒磁阱构成的两种磁量子结构的传输概率和电流密度.计算结果表明,在相当宽广的非共振电子入射能区,外加电场下电子的传输概率比无电场时增加.对于电子隧穿相同磁垒磁阱构成的双磁垒结构,共振减弱;对于电子隧穿不同磁垒磁阱构成的双磁垒结构,无电场作用时的非完全共振在适当的偏置电压下转化为完全共振,这时的电子可实现理想的共振隧穿.研究同时表明,磁量子结构中存在着显著的量子尺寸效应和负微分电导. 相似文献
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介绍利用导电栅网约束相对论速调管(RKA)中强流电子束的理论分析及实验结果.用近似的空间电荷场分布分析导电栅网约束实心电子束稳定传输时的电子运动情况,讨论束流稳定传输的条件;并介绍在一台直线感应加速器上利用导电栅网约束未调制强流束(约400kV,2.5kA)长距离(约60cm)传输的实验结果,同时给出利用导电栅网约束RKA中调制电子束的实验结果.理论分析及实验研究表明,导电栅网对实心束的约束作用对电子束能量相对不敏感;导电栅网可有效地用于RKA中取代磁场系统约束强流相对论电子束. 相似文献
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研究了零偏压和偏置电压作用下磁量子结构中自旋电子的隧穿输运性质. 结果表明电子自旋 输运的性质不仅取决于磁量子结构的构型、入射电子的能量和波矢, 而且取决于偏置电压. 在零偏压下, 由等同的磁垒磁阱构成的磁量子结构不具有自旋过滤的特点, 而由不等同的磁 垒磁阱构成的磁量子结构却具有较好的自旋过滤特点. 偏置电压极大地改变了磁量子结构中 电子的极化程度, 使得电子隧穿等同的磁垒磁阱构成的磁量子结构的输运性质也显著地依赖 于电子的自旋指向.
关键词:
磁量子结构
自旋电子
隧穿输运
自旋极化 相似文献
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纳米碳管电子结构和键合特性的第一原理研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用第一原理方法对一系列尺寸变化的单层纳米碳管电子结构进行了研究,得到了总态密度和态密度随碳管半径R的变化情况与实验结果完全一致,Fermi能级处态密度值随着管径R的增大而减小,说明纳米管的化学活性随着管径的增大而增强。碳管中C-C之间的键合为2s和2p价电子混合而成的弯曲的σ,π键,随着管径R的增大,化学键的弯曲度逐渐减小,C-C之间的键合作用和结合能逐渐增强,电荷密度和对应的势场也逐渐减弱。这些结果表明管径较小的纳米碳管在复合材料的合成中具有一定的优势。 相似文献
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