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利用场效应晶体管器件和介电力显微镜来研究氧化锌纳米线表面吸附分子对其电导率的影响. 相比于空气中,ZnO纳米线场效应晶体管器件在氮气中电导率更高,介电力显微镜得的介电信号也是在氮气中更大. 影响ZnO纳米线电导率变化的主要原因是表面吸附分子数量的变化,而并不是电极与材料之间接触性质的变化. 相似文献
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鲍杰 陈永浩 张显鹏 栾广源 任杰 王琦 阮锡超 张凯 安琪 白怀勇 曹平 陈琪萍 程品晶 崔增琪 樊瑞睿 封常青 顾旻皓 郭凤琴 韩长材 韩子杰 贺国珠 何泳成 何越峰 黄翰雄 黄蔚玲 黄锡汝 季筱路 吉旭阳 江浩雨 蒋伟 敬罕涛 康玲 康明涛 兰长林 李波 李论 李强 李晓 李阳 李样 刘荣 刘树彬 刘星言 马应林 宁常军 聂阳波 齐斌斌 宋朝晖 孙虹 孙晓阳 孙志嘉 谭志新 唐洪庆 唐靖宇 王鹏程 王涛峰 王艳凤 王朝辉 王征 文杰 温中伟 吴青彪 吴晓光 吴煊 解立坤 羊奕伟 杨毅 易晗 于莉 余滔 于永积 张国辉 张旌 张林浩 张利英 张清民 张奇伟 张玉亮 张志永 赵映潭 周良 周祖英 朱丹阳 朱科军 朱鹏 《物理学报》2019,68(8):80101-080101
中国散裂中子源(CSNS)已于2018年5月建设完工,随后进行了试运行.其中的反角白光中子束线(Back-n)可用于中子核数据测量、中子物理研究和核技术应用等多方面的实验.本文报道对该中子束的品质参数测量实验过程以及最终实验结果.实验主要采用中子飞行时间法,利用~(235)U,~(238)U裂变室和~6Li-Si探测器测量了中子能谱和中子注量率,又利用闪烁体-互补金属氧化物半导体探测系统测量了中子束斑的剖面,得到了该束线的初步实验测量结果.其中白光中子的全能谱测量范围eV—100 MeV,给出了不确定度分析;给出了中子注量率两个实验厅位置的满功率值;给出了白光中子在直径60 mm情况下的全能区束斑.通过与模拟结果的比较探讨了以上结果的合理性,并提出了改进计划.这些实验结果为以后该束线的核数据测量和探测器标定实验奠定了基础. 相似文献
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功能纳米器件中组成材料间的电荷转移输运过程对于器件中的物理化学过程以及由此引发的器件功能会有重大影响,因此,深入理解器件工作过程中的电子／离子行为机理对于优化器件功能以及进一步开发纳米材料的应用潜力具有重要意义．传统场效应晶体管对于纳米材料的电输运测量表征反映了载流子在整个器件中的统计行为,但难以检测电荷具体的转移输运过程．同时,由于纳米材料的尺寸和分散性,基于纳米材料的场效应晶体管面临着制备困难、电极／纳米材料接触复杂和制作成本高等问题．因此,本课题组发展了介电力显微术（dielectricforcemicroscopy,DFM）方法并实现了对纳米材料电学性质的无接触、高空间分辨率和快速表征．本文介绍了介电力显微术的基本原理,列举了其在探究一维纳米材料、纳米颗粒以及有机半导体薄膜电学性质上的一些应用实例．这些实例验证了介电力显微术对纳米材料电学性质的表征能力,并展现了这一技术在纳米材料物理化学性质和纳米器件功能研究上的广阔前景． 相似文献
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