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41.
以二胺类化合物、丙烯酸甲酯、1,2,2,6,6-五甲基哌啶醇为主要原料, 经Michael加成、酯交换反应合成了一系列分子中含四个哌啶胺结构的新型树枝状化合物. 目标产物结构经1H NMR, 13C NMR分析进行了确认. 选取其中一种结构进行抗氧化及抗老化性能测试, 结果表明其抗氧化性能优于主流抗氧剂Irganox B215及受阻胺光稳定剂Tinuvin770, Chimassorb944, Tinuvin622, 其抗老化性能优于受阻胺光稳定剂Tinuvin770. 相似文献
42.
ICP—AES测定钯—钡合金中常量钡 总被引:1,自引:0,他引:1
本文采用ICP-AES法测定钯-钡合金中常量钡。考察了其体及无机酸的存在对钡发射线强度的影响,采用标准曲线法对含量分别为0.59%和26.04%的两个试样进行了测定,结果满意。 相似文献
43.
44.
45.
基于广义的Huygens-Fresnel原理和非Kolmogorov谱模型,推导了无线光通信系统中径向分布部分相干高斯-谢尔模型阵列光束在非Kolmogorov大气湍流中传输时瑞利区间z_R和湍流距离z_T的解析表达式,对瑞利区间和湍流距离随湍流参量和光束参量的变化情况进行了数值分析.结果表明:不论是相干还是非相干合成,径向分布部分相干高斯-谢尔模型阵列光束的z_R和z_T均随湍流广义指数α的增大非单调变化,当α=3.11时,z_R和z_T取最小值,此时阵列光束扩展最大;相干合成比非相干合成的光束扩展要小,但其受湍流的影响更大;对于相干合成而言,径向分布半径r0越大,合成光束的z_R和z_T就越大,而非相干合成的z_R和z_T不受r0的影响;不论是相干还是非相干合成,阵列子光束数目对合成光束的z_R和z_T没有影响;当光束相干参量β足够小或波长λ足够大时,大气湍流对阵列光束z_R的影响可以忽略. 相似文献
46.
端羟基聚丙烯酸酯改性水性聚氨酯 总被引:4,自引:0,他引:4
将丙烯酸丁酯(BA)、甲基丙烯酸甲酯(MMA)通过溶液自由基聚合,用巯基乙醇作为链转移剂调控合成了一定分子量的端羟基聚丙烯酸酯(PA),再与聚氨酯(PU)预聚体反应,在水中分散得到PA-PU-PA三嵌段共聚复合乳液。 采用FTIR和1HNMR测试技术对共聚物结构进行了表征。 结果表明,随着PU与PA质量比的降低,共聚物中丙烯酸酯含量随之增加;PU软硬链段之间的氢键化作用减弱。 TEM显示,复合乳胶粒子形态均匀规整,并呈现明显的核壳结构。改性后的乳胶膜耐水、耐热性能均随着PU/PA质量比的减小而提高,吸水率由25%降低至5%,最大热失重温度由369 ℃提高至432 ℃。 相似文献
47.
电致发光材料在大屏幕平板显示和移动通讯器件方面有着极大的优越性。Ⅱ-Ⅵ族无机半导体、金属有机化合物及共轭聚合物等都是电致发光材料。由半导体纳米晶体和电致发光聚合物组成的双发光器件中,纳米半导体的发光不仅可以通过掺杂及形成核壳结构来加以调节,而且受到其复合体系类型、纳晶含量、外加电压等因素制约;而无机半导体的高电荷输运特性也将影响聚合物发光层的效率。同时,利用无机纳米半导体的光导特性,这种复合体系也可以制成光导与电致发光双功能器件,且其发光效率可有较大幅度提高。 相似文献
48.
通过高低温湿热交变试验箱模拟外界温度环境,利用OTDR和CD300色散仪监测光纤传输性能随温度的变化情况,对相同工艺生产的同类型的不同批次的单模光纤进行温度循环试验。试验表明:在-60℃~140℃宽温度范围内,光纤的传输性能均随温度发生波动——在1310nm和1550nm波长处光纤温度附加衰减不超过0.05dB/km;在1550nm处光纤的色散系数随温度升高而降低;PMD随温度的升高有所增加。在该试验的基础上,利用质量管理中的“3σ”控制原理,以现有通信系统标准作为判据,讨论了温度变化时光纤传输性能对通信系统的适应性,推断出在-60℃~140℃温度范围,G.652光纤的衰减、色散和PMD性能均满足10Gbit/s以下的通信系统使用;对于高于10Gbit/s的高速通信系统,应采用适当的措施,尽可能减小拉丝过程中光纤的PMD,这样才能保证PMD指标完全满足高速通信系统要求。 相似文献
49.
50.
本文报道了用于超导TES(Transition Edge Sensor)测辐射热计的Al/Ti双层薄膜制备及其超导特性研究.通过分析Al薄膜表面粗糙度和室温电阻率在不同溅射功率和氩气压力下的变化关系,优化了Al薄膜的制备工艺.使用磁控溅射技术生长了一系列不同厚度的Al/Ti双层薄膜,在氦三制冷机中测量了双层膜的超导特性.测试结果表明,Al/Ti双层薄膜具有良好的超导相变特性,在10μA测试电流下,其相变宽度保持在3mK~6mK范围内,在超导临界温度下电阻对温度的灵敏度参量α在300左右;由于超导邻近效应(Proximity effect),双层薄膜的临界温度可以通过控制Ti薄膜的厚度实现在470mK~800mK温区内的调节.Al/Ti双层薄膜的这些性能满足了制备超导TES测辐射热计的需要. 相似文献