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141.
INTRODUCTION2-Bromoaldisin was first isolated from the marine sponge Hymeniacidon aldis [1,2]. In the course of our systematic search for bioactive substances from marine organisms, we have studied the marine sponge Phacellia fusca Schmidt and obtained the title compound. Up to now, there is no report on the crystal structure of 2-bromoaldisin. This paper reports the isolation and crystal structure of it. EXPERIMENTALIsolation of 2-bromoaldisinThe sponge, Phacellia fusca Schmidt wa… 相似文献
142.
弱界面固体附层媒质中的类Rayleigh波 总被引:1,自引:1,他引:0
当半无限大固体媒质上有一层固体附加层时表面波是频散的。由界面的“准弹簧”模型,本文导出了有各向同性固体附加层时半无限大各向同性均匀媒质中弱界面情况下的类Rayleigh波的特征方程。文中给出了典型复合结构具有刚性联接界面、滑移联接界面和弱界面时类 Rayleigh波的色散曲线,分析了界面刚度系数对类 Rayleigh波传播速度的影响。数值计算的结果表明选择合适的参数可以由低频超声类Rayleigh进行涂层结构界面特性的无损评价。 相似文献
143.
144.
145.
1INTRODUCTION Puerarin(4?,7-dihydroxy-8-β-D-glucosylisoflavo ne),whose chemical structure is shown in Fig.1,is a C-glycoside compound.It is present in a large amount of active components of Puerariae radix,a com-monly used Chinese herb,which exerts sedative and antipyretic actions and is often used to treat influ-enza,wrist stiffness and headache[1].A number of investigations were carried out internationally to iden-tify the physiological activities of puerarin such as antiproliferative… 相似文献
146.
建立压电覆层复合结构中声导波传播模型,结合弱界面“弹簧”模型,推导了压电覆层复合结构存在刚性、滑移联接界面等几种不同界面条件下声导波的广义频散方程,数值计算钛锆酸铅基压电陶瓷覆层复合结构在不同界面条件下声导波的频散曲线,分析了界面特性对导波传播相速度的影响。数值计算和分析表明为了能够有效地评价界面的特性,选择合适的声波模式和声波频率是非常重要的。实验结果验证了界面假设的有效性,为进一步深入研究以多模式声导波参量为基础的压电覆层复合结构界面特性参数反演方法提供了理论基础。 相似文献
147.
采用苯酚-硫酸比色法测定明日叶水溶性总糖含量.以葡萄糖为标准品,6%苯酚溶液和浓硫酸作显色剂,应用分光光度法在490 mn波长处测定样品的吸光度,按标准曲线计算总糖含量.实验结果表明,明日叶水溶性总糖提取物中总糖含量(质量分数)为17.82%,实验精密度及重复性好.高、中、低三种不同浓度加样量加标回收率分别为101.55%、100.42%、101.26%,相对标准偏差(RSD)分别为:1.67%、0.76%、1.38%,回收率高.此方法操作简便,重复性、稳定性好,准确度高,可为明日叶水溶性总糖含量测定提供可靠的定量检测方法,为明日叶进一步研究开发提供科学依据. 相似文献
148.
用密度泛函B3LYP方法研究了过渡金属钐类卡宾与乙烯的环丙烷化反应的机理.对三种不同的钐的SS试剂CH3SmCH2X(其中X=Cl、Br和I)分别和CH2CH2反应的各反应物、中间体、过渡态和产物构型的全部结构几何参数进行了优化,用内禀反应坐标(IRC)计算和频率分析方法,对过渡态进行了验证.结果表明:CH3SmCH2X(其中X=Cl、Br和I)与CH2CH2环丙烷化反应按亚甲基转移通道(通道A)和卡宾金属化通道(通道B)都可以进行,与锂类卡宾的反应机理相同,只是按亚甲基转移通道(通道A)进行反应较容易一些,而且此反应在较低的温度下就可以发生. 相似文献
149.
150.
本文对GaN HEMT栅漏电容的频率色散特性进行分析,认为栅边缘电容的色散是导致栅漏电容频率色散特性不同于圆肖特基二极管电容的主要原因. 通过对不同栅偏置条件下缺陷附加电容与频率关系的拟合,发现小栅压下的缺陷附加电容仅满足单能级缺陷模型,而强反向栅压下的缺陷附加电容同时满足单能级和连续能级缺陷模型. 实验中栅边缘电容的频率色散现象在钝化工艺后出现,其反映的缺陷很可能是钝化工艺引入,且位于源漏间栅金属未覆盖区域的表面. 最后通过低频噪声技术进一步验证栅边缘电容提取缺陷参数的可行性. 低频噪声技术获得的单能级
关键词:
HEMT
边缘电容
缺陷
低频噪声 相似文献