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2.
碲锰镉(CdMnTe)作为性能优异的室温核辐射探测器材料,可用于环境监测和工业无损检测领域。本文中采用Te溶剂Bridgman法生长In掺杂Cd0.9Mn0.1Te晶体,制备成10 mm×10 mm×2 mm大小的室温单平面探测器,研究了该探测器对241Am@59.5 keV γ射线源的能谱响应。通过表征红外透过率、电阻率以及探测器能谱响应等参数,综合评定了探测器用CdMnTe晶体的质量、电学和探测器性能。结果表明,晶片的红外透过率均在55%以上,最好可达到60%。采用湿法钝化,100 V偏压下的漏电流由钝化前的9.48 nA降为钝化后的7.90 nA,钝化后的电阻率为2.832×1010 Ω·cm。在-400 V反向偏压下,CdMnTe探测器对241Am@59.5 keV γ射线源的能量分辨率在钝化前后分别为13.53%和12.51%,钝化后的电子迁移率寿命积为1.049×10-3 cm2/V。研究了探测器的能量分辨率随电压的变化特性,当偏压≤400 V时,探测器的能量分辨率主要由载流子的收集效率决定,而当偏压>400 V时,能量分辨率由漏电流决定。本文研究结果表明,Te溶剂Bridgman法生长的CdMnTe晶体质量较好,电阻率和电子迁移率寿命积满足探测器制备需求。 相似文献
3.
光通过弱无序散射介质时可产生分支流现象。针对激光在肥皂液薄膜中的传播,本文利用分步傅里叶变换方法数值求解等效薛定谔方程,探究了光波长、肥皂液浓度、肥皂膜厚度等因素对光分支现象的影响。理论分析及数值计算显示,有效势场变化幅度越大、关联长度越小,分支现象越明显;相应地,激光波长越小、肥皂液浓度越高、肥皂膜厚度变化幅度越大、厚度变化关联长度越小,则分支现象越明显。在此基础上,我们通过实验验证了多种参数对光的分支现象的影响,得到了与理论分析及数值计算相一致的结果。本研究理论与实验相辅相成,有助于学生理解光分支现象的产生机制,可作为创新性或居家物理实验教学参考。 相似文献
4.
5.
用密度泛函B3LYP方法研究了过渡金属钐类卡宾与乙烯的环丙烷化反应的机理。对三种不同的钐的SS试剂CH_3SmCH_2X(其中X=Cl、Br和Ⅰ)分别和CH_2CH_2反应的各反应物、中间体、过渡态和产物构型的全部结构几何参数进行了优化,用内禀反应坐标(IRC)计算和频率分析方法,对过渡态进行了验证。结果表明:CH_3SmCH_2X(其中X=Cl、Br和Ⅰ)与CH_2CH_2环丙烷化反应按亚甲基转移通道(通道A)和卡宾金属化通道(通道B)都可以进行,与锂类卡宾的反应机理相同,只是按亚甲基转移通道(通道A)进行反应较容易一些,而且此反应在较低的温度下就可以发生。 相似文献
6.
We present an efcient faithful multipartite polarization entanglement distribution protocol over an arbitrary noisy channel.The spatial degree of freedom is used to carry the entanglement during the transmission.We describe the principle by distributing n-qubit Greenberge–Horne–Zeilinger state and n-qubit W state.Our scheme can be used to distribute arbitrary n-qubit entangled states to n distant locations.The remote parties can obtain maximally entangled states deterministically on the polarization of photons.Only passive linear optics are employed in our setup,which makes our scheme more feasible and efcient for practical application in long distance quantum communication. 相似文献
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8.
We present an SU(3)F meson mass formula from random phase approximation. Both the mesons of ground-state pseudoscalar octet and ground-state vector octet are described quite well by this mass formula. We also estimate the current and constituent quark masses from the naive quark model and the PCAC relation. 相似文献
9.
Dispersion effect on the current voltage characteristic of AlGaN/GaN high electron mobility transistors 下载免费PDF全文
The current voltage (IV) characteristics are greatly influenced by the dispersion effects in AlGaN/GaN high electron mobility transistors. The direct current (DC) IV and pulsed IV measurements are performed to give a deep investigation into the dispersion effects, which are mainly related to the trap and self-heating mechanisms. The results show that traps play an important role in the kink effects, and high stress can introduce more traps and defects in the device. With the help of the pulsed IV measurements, the trapping effects and self-heating effects can be separated. The impact of time constants on the dispersion effects is also discussed. In order to achieve an accurate static DC IV measurement, the steady state of the bias points must be considered carefully to avoid the dispersion effects. 相似文献
10.