三类笛卡尔积图的关联色数

图的关联色数的概念是 Brualdi和 Massey于 1 993年引入的 ,它同图的强色指数有密切的关系 .Guiduli[2 ] 说明关联色数是有向星萌度的一个特殊情况 ,迄今仅确定了某些特殊图类的关联色数 .本文给出了完全图与完全图、圈与完全图、圈与圈的笛卡尔积图的关联色数。     

三联吡啶修饰的新型苯并二噻吩电子给-受体分子的合成及性能研究

以4,8-二酮苯并［1,2-b：4,5-b′］二噻吩为原料,合成了两种新型的2,2′ ∶6′,2″-三联吡啶修饰的苯并二噻吩电子给-受体结构分子(M1和M2),其结构经¹H NMR, ¹³C NMR, IR和元素分析表征。用UV-Vis, FL, TGA和CV研究了M1和M2的性能。结果表明：M1和M2均具有良好的热稳定性,热分解温度(T₅)分别为335 ℃和430 ℃。由于电子给-受体结构的存在,M1和M2均表现出明显的分子内电荷转移跃迁(ICT),其最大吸收峰分别为446 nm和468 nm,荧光发射峰分别为517 nm和552 nm;起始还原电位分别为-0.57 eV和-0.62 eV,起始氧化电位分别为0.69 eV和0.87 eV。     

立方图的对控制数

设G=(V,E)是一个简单图, 对任意的顶点子集合 $S\subseteq V$, G[S]表示图G中由S所导出的子图. 如果S是G的一个控制集并且G[S]包含至少一个完备匹配, 则称S是G的一个对控制集. G中对控制集的最少的顶点数称为$G$的对控制数, 记为γ_p(G). 该文证明了对任意有n点的连通立方图G, γ_p(G)≤3n/ 5.     

新型苯并二吡咯酮与苯并二噻吩衍生物的共聚及性能研究

以苯并二吡咯酮（BDP）类衍生物为电子受体单元,噻（硒）吩修饰的苯并二噻吩（BDT）类作为电子给体单元,通过钯催化Stille缩聚反应合成了3种新型的给体-受体（D-A）共聚物PBDP-BDT(T), PBDP-BDT(Se), PBDP-BDTT(T),并采用核磁共振、凝胶渗透色谱、紫外-可见分光光度计、循环伏安法,热重分析对3种聚合物的结构和性能进行了表征。结果表明：3种聚合物紫外可见吸收范围为250～1200 nm,其能量最低的吸收峰分别位于680 nm, 722nm, 744 nm;起始氧化电位分别为0.90 eV, 0.73 eV, 0.75 eV,由此估算出其电化学能隙分别为1.72eV,1.47 eV,1.40 eV,显示出较窄的能隙特征。此外,聚合物还具有较好的热稳定性。      

图与其Mycielski图关联色数的关系

本文证明了对n阶图G,若其最大度△(G)的2倍不等于n,且G的关联色数等于△(G) 1,则M(G)的关联色数为△(M(G)) 1．同时还研究了树和完全二部图的Mycielski图的关联色数．文末提出了M(G)的关联色数猜想,其中M(G)为图G的Mycielski图．     

平面图的绑定数

图G的绑定数b(G)是指边集合的最少边数,当这个边集合从G中去掉后所 得图的控制数大于G的控制数． Fischermann等人在[3]中给出了两个猜想: (1)如果 G是一个连通的平面图且围长g(G)≥4,则b(G)≤5;(2)如果G是一个连通的平面图且 围长g(G)≥5,则b(G)≤4．设n3表示度为3的顶点个数,r4和r5分别表示长为4和 5的圈的个数．本文,我们证明了如果r4<(5n3)/2 10,则猜想1成立;如果r5<12,则猜 想2成立．     

Cu/ZnO/Al_2O_3催化剂上1,4-丁二醇脱氢合成γ-丁内酯

研究了顺酐加氢催化剂Cu/ZnO/Al2 O3 在常压下对 1,4 丁二醇脱氢合成γ 丁内酯的催化活性 .结果表明 ,Cu/ZnO/Al2 O3 催化剂不但具有良好的顺酐加氢活性 ,而且在较温和的反应条件下对于 1,4 丁二醇脱氢同样具有良好的催化活性 ,γ 丁内酯的收率可达 95 %以上 .通过XRD和AES测试发现 ,Cu0 为催化剂的脱氢活性中心 ,ZnO的存在有利于Cu0 在载体表面的高度分散 ,并对脱氢活性有促进作用 ,在还原态的催化剂中ZnO被部分还原为ZnOx(x≤ 1) ,并与Cu0 形成Cu0 /ZnOx,构成最佳活性单元 .     

新型含苯并二噻吩与苯并二吡咯酮基元的 D-A共聚物的合成及性质

采用苯并二吡咯酮作电子受体单元，在钯催化下，与不同取代基修饰的电子给体单元苯并二噻吩进行Stille偶联聚合反应，合成了两种新型的电子给受体（D-A）聚合物(P1和P2)，其结构和性能经UV-Vis, ¹H NMR, ¹³C NMR,元素分析，GPC, CV和TGA表征。结果表明：薄膜态P1和P2在300~800 nm表现出较强吸。P1和P2的低能端吸收峰值分别位于621 nm和616 nm。氧化峰分别位于0.41 V和0.46 V，能隙分别为1.41 eV和1.36 eV。