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原子序数为107、108和109的至今最重的化学元素的制备和发展其决定性意义在于证明了这些元素在量子力学序数效应基础上的稳定性。至今已知的109个元素中有80个原子核是稳定的,最后一个稳定元素是铼(Re)。元素的放射性是1898年从铀中首先发现的,我们这一世纪的科学研究继续了对放射性元素的探索。 相似文献
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扰动角关联方法作为一种现代物理工具,近二十年来发展很快。七十年代的研究着重于建立一个完善的方法及主要在物理上用于超精细相互作用的测定;而到了八十年代,除了物理应用以外,大量的研究已经渗透到固体材料、金相物理、生物医学包括人体器官的造影等方面,其成果也十分明显。可以预料,随着扰动角关联理论和技术的不断发展和完善,它的应用将越来越深入到各个不同的领域和新兴学科中。 相似文献
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据美国 ISI(科技信息研究所 )网络版刊载的 1985~ 2000年的文章引用情况,我们对在我刊发表的论文的有关情况进行了统计,并按作者总被引频次顺序整理出来 (见表 )。是否可以说,这个结果从一个侧面反映出,这些作者对我刊走向世界,扩大影响作出了突出的贡献。同时,我们也要对每一位向本刊投稿的作者、稿件评审人,以及关心、帮助过我们的各方人士表示衷心的感谢。我刊刊出文章按作者被引频次排序(前 10名)表(根据 1985~ 2000年 SCI网络版提供的数据 ) 作者总被引频次在我刊发表论文数名次作者总被引频次在我刊发表论文数名次赵新… 相似文献
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本文介绍材料切变模量及损耗因子的测量方法,着重讨论了测量中的一些技术问题. 相似文献
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一种新型SOI结构——SiGe-OI材料研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
SOI(silicon on insulator,绝缘层上的硅)技术和SiGe(silicon germanium,锗硅)技术都是微电子领域的前沿技术,SiGe-OI(SiGe-on-insulator,绝缘层上的锗硅)新型材料是最近几年来才出现的一种新型SOI材料,它同时具备了SOI技术和SiGe技术的优势,因而成为当前微电子研究领域的最前沿课题之一。文章结合中国科学院上海微系统与信息技术研究所的工作,综述了SiGe-OI材料研究情况和应用前景,详细介绍了其主要的制备方法,最后报道了作才在SiGe-OI材料研究上的一些实验结果。 相似文献
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Investigation of SOI Substrates Incorporated with Buried MoSi2 for High Frequency SiGe HBTs
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Highly arsenic-doped Si-on-insulator (SOI) substrate incorporated with buried MoSi2 layers is fabricated aiming at decreasing the collector series resistance of SiGe heterojunction bipolar transistors (HBTs) on SOI, thereby enhancing cutoff frequency (fT) performance and increasing the maximum value of fT (fTMAX ). The .fT performance at medium current is enhanced and current required for fT = 15 GHz is reduced by half The value of fTMAX is improved by 30%. 相似文献