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101.
考虑到在角频率的最低阶近似IBM和IBFM的推转计算给出转动惯量的很好的估计,因此本文推广这一方法,研究转动惯量对高阶项的依赖关系.我们发现能够推导出修正项的解析表达式.我们对154Gd和161Er进行了数值计算并与实验资料作了对比,哈密顿量是从一种微观方案获得的.结果表明高阶项的性质与转动体系的形变有关,但在小ω情况下高阶项的影响甚小. 相似文献
102.
本文考虑全离散插值系数有限元方法求解半线性抛物最优控制问题,其中控制变量用分片常数函数逼近,状态变量和对偶状态变量用分片线性函数逼近.对于方程中的半线性项,先用插值系数技巧处理,再用牛顿迭代法求解.通过引入一些辅助变量和投影算子,并利用有限元空间的逼近性质,得到半线性抛物最优控制问题插值系数有限元方法的收敛性结果;数值算例结果验证了理论结果的正确性. 相似文献
103.
樊尚春 《中国惯性技术学报》1991,(1)
半球壳谐振子是新型半球谐振陀螺的敏感部件,本文主要研究这种谐振子有某种缺陷时的振动特性。所得结论可为选择半球谐振子提供一定的理论依据。 相似文献
104.
根据薄机翼理论,本文推导出在周期性阵风作用下扩压器环形叶棚叶片上不稳定脉动力计算公式,并可分析离心压缩机几何及气动参数对不稳定力的影响,利用调制理论,建立了一个可用于预测离心压缩机叶轮尾迹与叶片扩压器相互作用而导致的辐射声功率,给出其谐波及宽噪声的计算公式,计算与试验结果吻合很好。 相似文献
105.
本文研讨的是复合材料稀加筋层合板的弯曲问题。取一挠度级数表达式满足内部控制方程,并由此导出相应的变形及内力显表达式。挠度试函数中的未知知量将通过边界条件和筋条与板面接触处的挠度协调,y向转角协调求得。文中用此法计算了几个例题通过分析与比较,说明了这方法的合理性,并得到了一些新的结果。 相似文献
106.
提出一种任意四边形Reissner-Mindlin板元,挠度和转角均采用分片双线性函数。但剪切应变用它的线性扦值所代替,当板厚趋于零时这对应于Kirchhoff条件,因而避免了Locking现象。给出数值结果表明该单元的有效性。 相似文献
107.
108.
109.
110.
李朋杰 李智焕 陈志强 吴鸿毅 田正阳 蒋伟 李晶 冯骏 臧宏亮 刘强 牛晨阳 杨彪 陶龙春 张允 孙晓慧 王翔 刘洋 李奇特 楼建玲 李湘庆 华辉 江栋兴 叶沿林 《原子核物理评论》2017,34(2):177-183
介绍了利用硅探测器的脉冲形状甄别进行粒子鉴别的原理。详细叙述了基于数字化方法的脉冲形状甄别的实现。采样频率和位数是数字化方法的两个重要参数。对于硅探测器信号,采用100 MS/s,12 bit的Digitizer可以满足脉冲形状甄别法对时间分辨的要求。同时对该方法粒子鉴别的特征和能量阈值做了简要的分析和对比。粒子背面入射硅探测器的所得的阈值低于正面入射的情况。例如对于氖周围的同位素,背面入射情况的阈值约为100 MeV,为正面入射情况下鉴别阈值的二分之一,相当与ΔE-E方法中ΔE探测器厚度约为60 μm情况下的阈值。最后定性讨论了硅探测器的电阻率不均匀性和沟道效应对粒子鉴别性能的影响。In this paper Pulse Shape Discrimination(PSD) for silicon detector has been briefly introduced. The emerging digital method successfully applied to detector signal processing makes digital PSD method one of the most promising particle identification methods. Sampling frequency and the number of bits are two key parameters of digital method. For silicon detector signal, adopting 100 Ms/s, 12 bit Digitizer can satisfy the time resolution requirement of PSD method. The identification characteristic and energy threshold of this method have been discussed and compared with both front injection and rear injection cases. Energy threshold with rear injection usually is much lower than that with front injection. For example, around for Neon isotope energy threshold with rear injection is about 100 MeV which is only half of the threshold with front injection, also equivalent to thickness of about 60 μm silicon detector threshold in ΔE-E method. At the end the impact of silicon detector's resistivity nonuniformity and channel effect on the identification capacity of PSD method has been discussed in detail. 相似文献