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In this paper we show that Δ′B is negative over parts of the second region, and that plasmas are stable to Δ′B-driven resistive modes for realistic equilibria in which characteristics of finite-β configurations are retained. We have found that ideal instability is very sensitive to the ratio T=rΔ″/Δ′ in the second region. In comparison with previous works. results obtained by present authors show that the shift gradient Δ′ has a significant stabilizing effect on the second stable boundary, and this effect increases as the shear s becomes larger. 相似文献
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本文试图通过几个例子介绍一下用平面解析几何方法处理某些立体几何问题。 例1在直角坐标系内有互不重合的四点A、B、C、D,其坐标分别为(x:,g,)、(勺,烧)、 (心,骊)、(x’,如).,且A、e和B、D在x轴的两旁,将这平面沿x轴折成二面角后,求过A、B的直线与过C、D的直线共面的条件。 解:设这四点的位置如图一,若它们共面,则有:l)直线AC与BD都交x轴于同一点尸,设坐标 为(a,o).于是有::月材上!尸N!2 因此,的椭圆;了. 例3材N,…}了协f 12+}MN!“=了,即尸·sin26+了=矛. 当。<6<合时,所求轨迹为上式所表示当。=令时,所求轨迹为一个圆尸+犷=,已… 相似文献
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LIA加速腔物理设计与实验检测 总被引:1,自引:1,他引:0
简要介绍了直线感应加速器(LIA)加速腔物理设计和实验检测的几个关键问题,讨论了加速电压及其平顶和腔参数的关系。对腔的耦合阻抗与束流不稳定性间的关系作了概念性介绍,分析了降低腔耦合阻抗的途径。最后,概略说明了加速腔主要设计性能的实验检测技术。 相似文献
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Temperature-Induced Switching-Over of the Luminescence Transitions in GaInNAs/GaAs Quantum Wells 下载免费PDF全文
Photoluminescence (PL) spectra of the GaInNAs/GaAs single quantum well (SQW) with different N compositions are carefully studied in a range of temperatures and excitation power densities. The anomalous S-shape temperature dependence of the PL peak is analysed based on the competition and switching-over between the peaks related to N-induced localized states and the peak related to interband excitonic recombination. It is found that with increasing N composition, the localized energy increases and the turning point of the S-shape temperature dependence occurs at higher temperature, where the localized carriers in the handrail states obtain enough thermal activation energy to be dissociated and delocalized. The rapid thermal annealing (RTA)effectively reduces the localized energy and causes a decrease of the switching-over temperature. 相似文献
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建立了光学微腔中光子激子系统的物理模型,确定了光学微腔宽度为常数和可变这两种情况下玻色凝聚时化学势的变化范围和粒子数密度随温度和位置的变化规律.以半导体GaAs光学微腔为例,探讨了温度对玻色凝聚的影响.研究表明:系统出现玻色凝聚时激子化学势的变化范围与材料介电函数、微腔宽度有关,而光子和激子的粒子数密度及总粒子数还与温度有关.玻色凝聚温度理论值与实验值接近.刚出现玻色凝聚时,光子和激子的粒子数密度几乎相等,且局限在r=0的附近;随着温度的降低,光子和激子的粒子数密度都增加,且存在的范围也不断扩大;不论光学微腔宽度是否可变,光子和激子的粒子数密度以及总粒子数都随温度的降低而增大,光子数总是多于激子数. 相似文献
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以三层CdS/HgS/CdS球状纳米系统为例,研究了在电场和层间作用下球状纳米系统高能级斯塔克效应的能级分裂规律以及谱线的频率、强度和自发幅射系数的线度效应. 结果表明,系统的斯塔克效应在只有电场时,能级是按1,3,…,(2n—1)的规律进行分裂,与氢原子类似;有电场和层间同时作用时,能级是按1,4,…,n2的规律进行分裂. 量子跃迁时各谱线的频率均随系统线度增大而减小,除少数谱线外,多数谱线的强度随线度增大而减小,而自发幅射系数随线度增大而增大;电场会引起谱线的频率发生改变,其谱线频移量与电场强度的平方成正比;除少数谱线外,电场和层间作用引起的谱线频移量均随线度增大而减小;层间作用会使电子的能级稍有降低,稍微增大谱线的强度和自发幅射系数值,但它不会影响谱线的频率、强度和自发幅射系数随线度的变化趋势,在线度较小时层间作用的影响才显著. 相似文献
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四波混频作为一种噪声广泛存在于各种光放大器中,论文将对TDM泵浦方式的拉曼放大器的四波混频噪声进行分析和仿真,最后提出改善四波混频噪声的方法。 相似文献