铁电体电子发射特性的实验

铁电体在高压脉冲或者激光脉冲的激励下发射电子。铁电体的极化方向处在预极化(通过外部的条件，改变畴方向，使畴沿着一定的方向)方向，正、负束缚电荷等量的分布于与极矩相对的两表面上，这些电荷与外部空间的粉尘等所带的电荷中和，宏观上不表现出带电性；在负的束缚电荷聚集的表面加负高压脉冲，这时负的束缚电荷与负的自由电荷互相排斥，电荷与负的自由电相排斥，使畴的极化方向发生反转。反转后负的束缚电荷与岁的自由电荷之间形成很强的电场，可以达到GV／cm，在这一强电场作用下，负的自由电荷被排斥，离开铁电体表面，形成电子发射。     

一个unified系统与R(o)ssler系统的组合研究

将Unified系统和R(o)ssler系统凸组合构造了新的混沌系统,包括含两个参数的Unified-R(o)ssler 系统,以及含一个参数的Lorenz-R(o)ssler系统和Chen-R(o)ssler系统,通过计算最大Lyapunov指数谱、维数谱和计算机仿真,确定Chen-R(o)ssler系统的混沌区域.     

对《电动力学》课程改革的探讨

 电动力学是在电磁学基础上对电磁场的基本性质、运动规律以及电磁场与带电物质之间相互作用更系统、更深入、更严密地进行阐述的理论体系。它是理论物理(理论力学、热力学统计物理、电动力学、量子力学)的重要组成部分,是高校理论物理专业、应用物理专业及相关专业的一门理论基础课。随着现代科学技术的飞速发展、社会需求的变化,电动力学课程建设也暴露出许多迫切需要解决的问题。长期以来,高校电动力学教学以部颁大纲为标准,注重对学生基本功的训练,在讲深讲透概念之余,辅以足够的、艰深的习题训练。     

高功率超宽带脉冲辐射实验装置

对高功率超宽带脉冲辐射实验装置的理论分析、工程设计及实验等分别进行了介绍。高功率超宽带脉冲辐射实验装置主要由脉冲充电电源、超宽带脉冲产生装置及超宽带脉冲发射天线三部分组成。脉冲充电电源为脉冲产生装置提供充足的前级能源；超宽带脉冲产生装置包括高压储能电容、高压开关、充电电感、低阻脉冲形成线、亚纳秒开关和高功率负载等部分；超宽带脉冲发射天线包括阻抗变换、传输线、同轴到平板过渡段、TEM喇叭馈源、透镜及密封腔、4．5m抛物面等部分。     

p-n 型GaInP2/GaAs叠层太阳电池研究

报道了对p-n型 GaInP2/GaAs叠层太阳电池的研究结果.采用低压金属有机物化学气相沉积工艺制备电池样品.通过对GaInP2顶电池中场助收集效应的计算机模拟，提出用p+p-n-n+结构取代常用的p+n 结构，显著改善了GaInP2顶电池和GaInP2/GaAs叠层太阳电池的光伏性能，使其光电转换效率(Eff)分别达到14.26% 和23.82% (AM0, 25℃, 2×2cm2).     

铀与表面铝薄膜界面反应的俄歇电子能谱分析

主要利用俄歇电子能谱（AES）研究了室温下铀、UO2与表面铝薄膜之间的界面反应，以及退火对界面反应的影响。在俄歇电子能谱仪超高真空室中，利用Ar^＋枪溅射铝靶，使其分别逐步沉积到铀基体与UO2表面上，然后利用电子枪适时采集表面俄歇电子能谱，研究膜基界面反应。     

三串联非保守耦合振子功率流Ⅱ: 数值分析

本文通过数值方法对三串联非保守耦合振子的直接功率流及间接功率流与振子和耦合参数的关系作了详细的研究。结果表明：间接功率流是由间接耦会根子间的共振传输引起的；当振子的参数确定时，间接功率流主要取决于耦会刚度k3和k4，而耦合阻尼c3及c4的影响较小，在强耦合情况下间接功率流是不可忽略的；但即使耦合刚度较小且根子阻尼较大，由子间接耦合振子间的共振传输引起的间接功率流仍不能忽略．     

关于初等算子∑(X):AX+XB+CDX的值域

设A，B和C是Hilbert空间H上的紧算子，定义B（H）上的初等算子，∑(X)=AX XB CXD。本文我们给出∑值域闭的一些充分或必要条件。     

射频等离子体法制备类金刚石薄膜

利用射频等离子体化学气相沉积法，以丁烷、氢气和氩气的混合气体为原料，在Ф200mm锗基片上沉积出均匀的类金刚石薄膜。研究类金刚石薄膜的特性及工艺参数对其性能的影响规律，给出应用于红外装置中的类金刚石薄膜镀膜元件光谱性能。     

平界面失稳初扰动波长的选择

采用典型的模型合金丁二腈－０．９３％水杨酸苯脂，在精确的实验条件下研究了定向凝固平界面失稳初始扰动波长λ１的选择，将实验结果与Ｍ－Ｓ理论及Ｗ－Ｌ模型分别进行了系统分析和比较，发现：（１）在平界面失稳的临界点附近，λ１的实验结果并不落 Ｍ－Ｓ理论所预言的波长范围内，而在明显偏离平界面失稳的条件下，λ１析实验结果尽管都在选择在Ｍ－Ｓ理论的波长范围内，但比该理论所预言的振幅发展速率最快的波长大数倍，这说