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301.
302.
广西车田红辉沸石对不同离子吸附性的初步研究 总被引:6,自引:0,他引:6
研究表明,不同粒度的红辉沸石在不同的温度条件下对K^ 、Na^ 、Ca^2 、Mg^2 、NH4^ 等离子具有不同的吸附容量。在30℃时,8μm的红辉沸石对K^ 、Na^ 、Ca^2 、Mg^2 、NH4^ 的吸附量分别为:10.90mg/g、10.01mg/g、7.64mg/g、5.50mg/g、108.70mmol/100g;45μm的红辉沸石对K^ 、Na^ 、Ca^2 、Mg^2 、NH4^ 的吸附量分别为:10.10mg/g、9.80mg/g、6.90mg/g、5.08mg/g、101.10mmol/100g;246μm的红辉沸石对K^ 、Na^ 、Ca^2 、Mg^2 、NH4^ 的吸附量分别为:2.66mg/g、2.20mg/g、1.86mg/g、1.26mg/g、28.00mmol/100g;在2℃时,8μm的红辉沸石对K^ 、Na^ 、Ca^2 、Mg^2 、NH4^ 的吸附量分别为:10.60mg/g、9.82mg/g、6.90mg/g、5.07mg/g、99.60mmol/100g。在常温25-30℃,湿度82%条件下,246μm、45μm、8μm的红辉沸石含水率为7.06%、7.25%、7.78%。 相似文献
303.
甲壳素类液晶高分子的研究Ⅵ.邻苯二甲酰化壳聚糖中酰胺酸取代度对液晶性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
通过控制不同反应时间和邻苯二甲酸酐 壳聚糖的摩尔比制备不同取代度的邻苯二甲酰化壳聚糖(PHCS) .用FTIR研究了反应机理和产物结构 ,观察到PHCS含两类取代即酰胺酸取代和酰亚胺取代 .反应时间较短时主要为前者 ,取代度表示为DS1 ;反应时间较长时主要为后者 ,取代度表示为DS2 .对PHCS在二氯乙酸 (DCA)中的液晶行为观察 ,结果表明 ,PHCS的临界浓度随DS1 的增加而显著增加 .DS1 对PHCS临界浓度的影响明显大于DS2 的影响 .基本上为酰胺酸取代的PHCS的临界浓度高于溶解度 ,以至于观察不到 相似文献
304.
In recent years, some innovations have been explored in laboratory teaching of basic organic chemistry based on program of "Top Talent Training Program". This paper discussed and reflected moduling experiment of organic chemistry for this Top Talent Training Program, including experiment objectives, moduling experiment design, conduct of moduling experiment, lessons and prospects. 相似文献
305.
基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对Al_3X(X=Zr、Ti、Ce、Er)化合物生成焓、结合能、态密度、力学性能进行了计算.生成焓、结合能的计算结果表明:Al_3X(X=Zr、Ti、Ce、Er)化合物中,Al_3Zr最易形成,Al_3Ce则最难形成,计算所得的结合能均为负值,化合物具有热力学稳定性,其中Al_3Zr的热力学稳定性最好,Al_3Er则最差.态密度结果分析:Al_3X(X=Zr、Ti、Ce、Er)化合物在费米能级处态密度不为0,表现出金属特性,通过赝能隙大小判断出它们的共价性具有如下关系:Al_3ZrAl_3TiAl_3CeAl_3Er,这与Al-3s、3p电子分别与Zr-4d,Ti-3d,Ce-5d、4f,Er-4f轨道电子具有较为明显的轨道杂化作用有关.力学性能计算结果表明:Al_3Ti、Al_3Zr抵抗体积变形、剪切变形的能力、刚度较Al_3Er、Al_3Ce大.由于Al_3Zr、Al_3Ti、Al_3Ce、Al_3Er具有一定共价性,共价键为方向性键,不利于塑性变形,因此它们均表现为脆性材料. Al_3Zr、Al_3Ti、Al_3Ce、Al_3Er本征维氏硬度大小排序为:Al_3TiAl_3ZrAl_3ErAl_3Ce. 相似文献
306.
307.
本文利用吸收光谱法、光致发光光谱法和拉曼光谱法对中子辐照的α-Al2O3进行研究.吸收光谱表明,中子辐照除产生F2、F2+、F2+2和F3色心外,还能产生[Al-O]3-色心,它对应着325 nm和638 nm两个吸收峰,且具有较低的热稳定性,经300℃退火后消失.光致发光谱法除了检测到F2、F2+和F2+2色心对应的发光峰外,还检测到625nm和657 nm发光峰.625 nm发光峰可能对应着高剂量中子辐照下特有的发光中心.657 nm发光峰是经800℃处理后唯一存在的发光峰,它可能来自于反位铝缺陷(AlO).此外,拉曼光谱显示该剂量的中子辐照不能导致明显的拉曼峰频移和展宽. 相似文献
308.
309.
本文从麦克斯韦方程出发,定量地讨论了高速带电粒子通过界面产生渡越辐射过程中的能量平衡问题;并由此揭示了带电粒子越过箔片组过程中的速率脉动变化问题.这一工作有助于完善带电粒子通过箔片组产生渡越辐射的理论. 相似文献
310.
分别对两种不同的6H-SiC晶体进行了总通量为5.74×10~(18) n· cm~(-2)、8.2×10~(18) n· cm~(-2)和1.72×10~(19) n· cm~(-2)的不同剂量的中子辐照,利用X射线衍射等手段观测了中子辐照引起的晶体内部损伤.结果表明:两种样品在不同的中子通量辐照下,消除部分原始缺陷的、纯度较高的样品辐照后的内部损伤明显小于纯度较低、内部原始缺陷较多的样品.样品的辐照损伤不仅取决于中子辐照剂量,还取决于其辐照时的成分和结构.晶体的结构缺陷和杂质,作为一种"钉扎",在辐照过程中作用极大,它们导致了晶体的长程缺陷(如位错)的大幅度增加. 相似文献