电荷转移复合物1-氮-甲基-苯并哒嗪TCNQ和2-氮-甲基-苯并哒嗪TCNQ的能带结构与电性质的研究

本文采用以EHMO为基础的紧束缚近似方法计算了同分异构复合物1-N-Mci TCNQ_2和2-N-Mci TCNQ_2的能带结构。通过计算谐振稳定能估算复合物中TCNQ的电荷。计算结果表明,复合物晶体中的给体N-Mci对一维能带的前沿轨道无影响。1-N-Mci和2-N-Mci的几何形状不同,在晶体堆积能量上影响TCNQ的排列,使两个复合物的TCNQ堆积方式不同,能带结构也就不一样了。1-N-Mci TCNQ_2复合物的TCNQ之间π-π轨道迭合较好,能隙小。LU带色散大,LU轨道上的电子为末充满状态(δ≈1.77),具有较好的导电性能。2-N-Mci TCNQ_2复合物中TCNQ二聚体之间π-π轨道重叠不好,能隙大,LU带宽很窄,LU轨道上电子为半充满状态(δ≈1.0),易于形成磁绝缘体,其导电性比1-N-Mci TCNQ_2差,这与实验结果是一致的。     

锆中铪的原子发射光谱分析法

研究了在氩氧控制气氛条件下锆中铪的分析条件,对氩氧比、激发电流、曝光时间等实验参数进行了选择。在选定条件下对实际试样进行分析,回收率在90%～113%之间,相对标准偏差小于5%,方法可用于锆中铪的质量分数为0 005%～5 0%的实样分析。     

半导体氮化铟(InN)的晶格振动

本文总结了新型半导体InN薄膜晶格振动研究的现状,主要为Raman散射光谱及部分红外光谱的研究结果。重点内容为InN(包括六方纤锌矿结构和立方闪锌矿结构)的布里渊区中心(Γ点)声子结构、电子激发态(等离子激元)与纵光学声子耦合、无序化激发模和晶格振动模的温度、应力效应等,也涉及部分和InN有关的氮化物合金以及超晶格、量子阱和量子点等结构的晶格振动研究。同时对相关材料和结构的Raman光谱研究作了一些展望。     

氧弹燃烧-离子色谱法测定涂料中氯和溴的含量

涂料中有机化合物通过氧弹燃烧转化为无机离子,其中可溶性氯和溴离子被吸收液吸收后,经离子色谱仪测定。采用IonPacAS22(4 mm×250 mm)阴离子色谱柱,IonPacAG22保护柱,以4.5 mmol/L Na2CO3-1.4 mmol/L NaHCO3为流动相,流速为1.0 mL/min。氯和溴离子的质量浓度在1～20 mg/L范围内分别与色谱峰面积呈良好的线性关系,相关系数均大于0.999,平均加标回收率为94.7%～96.2%,测定结果的相对标准偏差小于1.0%(n=6)。该方法检测时间短、损失量少,适用于涂料中氯和溴含量的测定。     

抛物线的切线与割弦的关系

结论 1　设 ｆ(ｘ ,ｙ) =ｘ2 - ｙ ,过抛物线ｆ(ｘ ,ｙ) =0外一点Ｐ(ｘ0 ,ｙ0 )作抛物线的切线 ,设Ｍ(ｘ0 ′ ,ｙ′0 )是切点 ,则有以下关系 :ＰＭ2 =ｆ(ｘ0 ,ｙ0 ) ( 1 +ｋ20 ) ,其中ｋ0 是Ｍ点处的切线斜率 ,在数值上有ｋ0 =2ｘ0 ′=2 (ｘ0 ±ｘ20 - ｙ0 ) .图 1　结论 1用图证　设切点为Ｍ (ｘ0 ′,ｙ0 ′) ,设切线方程为ｙ - ｙ0 =ｋ(ｘ -ｘ0 ) ,由ｙ- ｙ0 =ｋ(ｘ -ｘ0 ) ,ｙ =ｘ2 ,消去 ｙ得ｘ2 -ｋｘ +ｋｘ0 - ｙ0 =0 ,Δ =ｋ2 - 4(ｋｘ0 - ｙ0 ) =0 ,(ｋ - 2ｘ0 ) 2 =4ｘ20 - 4ｙ0 ,∴ｋ =2ｘ0 ± 2ｘ20 - ｙ0 ,∵Ｍ(ｘ0 ′ ,ｙ0 ′)…     

立足生本理念 提升数学理解——关于一道函数题讲练的思考

数学理解是世界数学教育界所关心的一个中心话题.国内很多学者就该论题发表了自己的研究成果与心得.对于具体数学问题的解决而言,数学理解的朴素认识通常是,明白了问题的条件与结论,弄清了由条件到结论间每一步骤的语义与根据,领悟了体现在步骤与过程中的思想方法.如果立足生本理念,用所接受到的结论或方法去解决其它问题,同时进行错误矫正,并作点变通与推广,那么就理解得更好、更深、更透了.平时编制试卷往往局限于考点的分布,忽视整合错题并检测学生纠错效果的功能;讲评课,满     

在水溶液中电化学反应制备大面积聚吡咯膜

以不锈钢为电极,在吡咯水溶液中,经电化学聚合制备了大面积的聚吡咯薄膜。研究了反应电流密度、反应温度、对阴离子种类和浓度等因素对成膜性能及电导率的影响。选择合适的反应条件,可得到电导率为120Scm~(-1)、抗拉强度46MPA、模量为1.75GPA的聚吡咯膜。