纳米荧光粉的余辉研究

用无机材料在室温下通过溶胶法制成了纳米ZnS:Mn荧光粉,立方晶形,平均粒径为3nm,它的橙色发光（峰值608nm,半宽75nm)亮度与同晶型（立方）的体ZnS:Mn荧光粉的亮度相同,而余辉缩短。在Nd:YAG四倍频266nm脉冲激光激发下,仔细对立方纳米,纯立方微米,纯六角微米ZnS:Mn荧光粉进行了余辉的对比测量,它们的余辉主要遵循指数衰减规律,其1／e余辉时间的结果如下：（1）纯立方纳米ZnS:Mn,两个指数衰减,余辉时间分别为186μs和1078μs,其幅度比为4：1,前者是主要的,决定了1／e余辉时间;（2）纯立方微米体ZnS:Mn:944μs,(3)纯六微米体ZnS:MN:1.2ms（还有幅度很小的极长余辉成分）,结果表明纳米ZnS:Mn荧光粉的光致发光余辉的确比对应的体材料（不管是六角还是立方）都短,但余辉缩短了几倍,而不是五个数量级。     

具有Keggin结构的多元杂多化合物的合成与光谱研究Ⅱ

本文合成了一些具有Keggin结构的Si-V-Mo-W四元杂多阴离子[SiVxMoyW12-x-6O40]^(4 x)-的化合物（其中，x=1,2和3），并对其进行了红外光谱研究，可看到化合物的M＝Od，M－Ob-M和M－Oc－M的红外伸缩振动峰随着V原子数目的增加而红移；而钨原子数目的增加一般使之蓝移，因此推测出杂多化合物的酸性随着V数目的增加而减, 应性能则相反。这种变化规律与[PVxMoyW12-x-yo40]^(3 x)-相似。另外，可看到P系列的多元杂多酸（或杂多化合物）的配性大于相应的Si系列的酸性。     

聚酰亚胺LB膜上液晶表面锚定的研究

通过测试光延迟研究了聚酰亚胺ＬＢ膜的光学各向异性，分析了在ＬＢ膜成膜过程中成膜分子的流动取向特性，并研究了液晶的表面锚定能，分析了ＬＢ膜上液晶的取向机制．聚酰亚胺ＬＢ膜的链段的取向程度较强摩擦情形的聚酰亚胺表面的链段取向要差．强摩擦的聚酰亚胺会比聚酰亚胺ＬＢ膜具有更好的排列液晶分子的能力．ＬＢ膜的流动取向模式使得聚酰亚胺成膜分子沿拉伸方向形成一定的有序排列，并诱导液晶分子定向排列，液晶和聚合物分子相互作用是液晶表面排列的主要动力 关键词：     

PP/CF增强珊瑚砂水泥基复合材料冲击压缩力学性能研究

在人工海水制备珊瑚砂水泥基复合材料中混杂加入碳纤维和聚丙烯纤维,得到4种不同纤维掺量的碳-聚丙烯混杂纤维增强珊瑚砂水泥基复合材料。采用直径100 mm的分离式Hopkinson压杆,对材料进行5种应变率下的冲击压缩试验,采用LS-DYNA进行相应的冲击压缩数值模拟。结果表明：(1) 试验应变率临界值为200 s⁻¹,当试验应变率大于200 s⁻¹时,混杂碳纤维和聚丙烯纤维所形成的纤维网络对试块的增韧效果加强;(2) 碳-聚丙烯混杂纤维增强珊瑚砂水泥基复合材料峰值应力具有明显的应变率效应,且动态增强因子对应变率的敏感程度较高;(3) 使用珊瑚砂细骨料导致试块内微裂纹和微空洞等缺陷较多,在珊瑚砂水泥基复合材料内混杂掺加碳纤维和聚丙烯纤维后,试块冲击抗压强度的提升有限,但珊瑚砂水泥基复合材料的抗冲击韧性显著提升;(4) 通过试验数据和参数调试确定了HJC模型的参数,试块峰值应力的模拟结果与试验结果的误差在5.97 %以内。

     

分数因子与分数阶完整力学系统的运动方程和循环积分

引入分数因子和分数增量,给出了分数阶微积分的定义和性质;基于分数阶导数的定义,证明了含有分数因子的等时变分与分数阶算子的交换关系;提出了分数阶完整保守和非保守系统的Hamilton原理;建立了分数阶完整保守系统和非保守系统的运动微分方程;得到了分数阶完整保守系统的循环积分;并利用分数阶循环积分导出分数阶罗兹方程．最后给出了两个例子．研究表明利用分数因子给出的分数阶微分方程是一个含有分数因子的通常的微分方程,那么分数阶系统运动微分方程的求解都可以采用通常微分方程的求解方法．     

高氯钻井废水低COD分析方法改进

用重铬酸钾法测定油气田高氯低COD的钻井废水时会产生较大误差。对该国标法测定COD进行了改进,采用低浓度氧化剂,增加硫酸汞以掩蔽氯离子来降低COD的分析误差。实验结果表明,选择0.0500 mol/L的重铬酸钾溶液,硫酸汞与氯质量比为10︰1时,测定结果的相对误差小于10%,适合测定高氯低COD钻井废水的COD值。该方法扩大了国标法的适用范围。     

Dependence of Thermal Annealing on Transparent Conducting Properties of HoF_3-Doped ZnO Thin Films

A kind of n-type HoF_3-doped zinc oxide-based transparent conductive film has been developed by electron beam evaporation and studied under thermal annealing in air and vacuum at temperatures 100–500℃.Effective substitutional dopings of F to O and Ho to Zn are realized for the films with smooth surface morphology and average grain size of about 50 nm.The hall mobility,electron concentration,resistivity and work function for the asdeposited films are 47.89 cm~2/Vs,1.39×10~(20)cm~(-3),9.37×10~(-4)Ω·cm and 5.069 eV,respectively.In addition,the average transmittance in the visible region(400–700 nm)approximates to 87%.The HoF_3:ZnO films annealed in air and vacuum can retain good optoelectronic properties under 300℃,thereinto,more stable electrical properties can be found in the air-annealed films than in the vacuum-annealed films,which is assumed to be a result of improved nano-crystalline lattice quality.The optimized films for most parameters can be obtained at 200℃ for the air-annealing case and at room temperature for the vacuum annealing case.The advisable optoelectronic properties imply that HoF_3:ZnO can facilitate carrier injection and has promising applications in energy and light sources as transparent electrodes.     

Gap plasmon-enhanced photoluminescence of monolayer MoS_2 in hybrid nanostructure

Monolayer transition-metal dichalcogenides(TMDs) have attracted a lot of attention for their applications in optics and optoelectronics.Molybdenum disulfide(MoS_2),as one of those important materials,has been widely investigated due to its direct band gap and photoluminescence(PL) in visible range.Owing to the fact that the monolayer MoS_2 suffers low light absorption and emission,surface plasmon polaritons(SPPs) are used to enhance both the excitation and emission efficiencies.Here,we demonstrate that the PL of MoS_2 sandwiched between 200-nm-diameter gold nanoparticle(Au NP) and 150-nm-thick gold film is improved by more than 4 times compared with bare MoS_2 sample.This study shows that gap plasmons can possess more optical and optoelectronic applications incorporating with many other emerging two-dimensional materials.