A NEW MEASURE FOR THE JAYNES-CUMMINGS MODEL DYNAMICS DISTANCE BETWEEN DENSITY OPERATORS

We use the distance between density operators to study the dynamical evolution of the Jaynes-Cummings model with an additional Kerr medium, and to compare the result with the corresponding von Neumann entropy. We have shown that the distance between density operators can provide more detailed information about the dynamical behavior of the quantum system than von Neumann entropy.     

β—环糊精包结几种萘衍生物的圆二色性的研究

本文报道了β－环糊精分别包结α－萘胺，β－萘胺，α－萘乙酸的圆二色谱及紫外吸收光谱，并利用ＫＡＪＴＡＲ扇形规则，根据所是的Ｃｏｔｔｏｎ效应符号和各向异性因子确定了客体分子在环糊精空腔中的了同时关联了圆二色谱客体分子大环糊精中的取向和量子计算的矢量矩方向之间的关系，并对量子计算了矢量矩方向的结果给予了定性检验。     

同时采用P矩阵法和多波长直线回归法测定脑清片中两组分…

本经选择适当的测定波长，同时采用Ｐ－矩阵法和多波长直线回归法测定脑清片中氢基比林和咖啡因的含量，两个方法简便，快速，准确，样品测定结果均和北京市药品标准测定结果一致。     

175Er的衰变纲图

用14MeV中子照射天然Yb靶,通过¹⁷⁶Yb(n,2p)¹⁷⁵Er反应产生了新的重丰中子同位素¹⁷⁵Er,借助X-γ,γ-γ符合测量方法,首次鉴别出了¹⁷⁵Er,并测得其半衰期为(1.2±0.3)min.同时还观察到了¹⁷⁵Er衰变所发射的8条新γ射线,建立了¹⁷⁵Er的部分γ衰变纲图,从中指定了¹⁷⁵Tm的一个基态转动带.     

低温高压下的Na5Eu(WO4)4的发光和晶体场参数

用低温金刚石对顶砧高压显微光谱系统在20—300K低温和0—10GPa高压范围内研究了白钨矿型化学计量的基质发光晶体四钨酸铕钠Na₅Eu(WO₄)₄中Eu³⁺的发光.确定了Eu³⁺荧光谱线和能级在低温下的压力移动率.它随温度变化,表明温度和压力对Eu³⁺谱线作用不是独立无关的.按晶体场理论简化方法推导了能级的晶体场参数表达式,并按实验数据拟合出在不同低温下晶体场参数随压力的移     

辐射阻尼引起二维核磁共振NOESY谱中的伪信号

讨论水溶液样品ＮＯＥＳＹ谱ω₁维上出现的谐波，用辐射阻尼线形理论对实验进行了分析，证明了这些谐波是由辐射阻尼造成的伪信号．同时分析了这种伪信号在不同混合时间时的线形特征，与实验结果符合相当好，给出了实验上消除这种伪信号的方法 关键词：     

利用原子干涉方法来制备压缩相干迭加态

在文中我们提出了一种基于原子干涉的方法产生压缩相干迭加态，由此方法产生的迭加态的位相及权重因子均可控制。     

突出物理规律、融进现代成果、尝试新型格局──谈我们编写普通“光学”教材的思路

作为对普物光学教材改革的一种新尝试，本文介绍了笔者新编的普通“光学”教材．该教材在保留传统光学基本内容的前提下，向近代光学作了较大的推进，并为不同类型教学要求的读者留有较大选择的余地．     

郭建中同志的来信（节录）

郭建中同志的来信（节录）尊敬的编辑同志：您好！发表《推论合成角动量量子数取值范围的简便方法》一文之事给您添增了工作负担，同时也大大影响了刊物的声誉，我这里首先向您们表示深深的歉意．３月份学校陆续收到陈哲、田成林先生的来信，学校领导及时找我谈了话，我也...     

标准CMOS工艺载流子注入型三端Si-LED的设计与研制

采用无锡华润上华(CSMC) 0.5 μm 标准CMOS工艺,设计并制备了一种新型的高发光功率载流子注入型三端Si-LED器件。该器件在p型衬底上进行n⁺掺杂,与p衬底形成两个相对的n⁺p结,其中一个结正向偏置,发出峰值波长在1 100 nm附近的红外光;另一个结同样正偏,作为注入结对发光进行调制。测试结果显示:第三端注入载流子明显增强了总体的发光功率,在10 mA偏置电流、3 V调制电压下,可获得1 nW的光功率,与单结相比提高了两个数量级。由于工作电压低,该器件可与目前主流的CMOS工艺共电源单芯片集成,在光电集成领域具有一定的应用前景。