直接扣除法测量半导体光放大器频率响应

在光电子器件散射参量定义的基础上建立了基于直接扣除法的半导体光放大器频率响应测量系统,测量中通过扣除激光器和探测器系统的频率响应,得到放大器固有的频率响应。对InGaAsP体材料行波腔半导体光放大器样品进行了测量,得到了放大器在不同注入光功率和不同偏置电流下的频率响应曲线。这些曲线很好地反应了半导体光放大器的增益饱和和噪声特性,进一步分析发现半导体光放大器对低频调制信号的放大能力弱于对高频信号的放大能力,分析认为其原因在于半导体光放大器的载流子寿命有限导致低频信号长时间消耗载流子时,载流子数量无法及时恢复,从而使得增益降低。     

确定聚类数目的一个准则

Aiming to provide an appropriate number K of clusters, in this paper, we propose a new criterion function - H criterion function, whose three properties have also been proved. We validate the performance of the H criterion function on one artificial dataset and three real-world datasets, and the results are almostly consistent with a previous method. The nonparametric criterion we proposed is intuitive, simple and the computational cost is acceptable.     

秩函数与K0群的状态空间

给出了局部秩与稳定自由秩的表达式,得到了一类VN正则环的元素特征.利用K0群的状态空间,给出了K0R有关性态的本质刻画.     

关于伪压缩映象不动点迭代的一点注记

设$K$是自反的并且具有一致Gateaux可微范数的Banach空间$E$的非空有界闭凸子集.设$T:K\rightarrow K$是一致连续的伪压缩映象.假设$K$的每一非空有界闭凸子集对非扩张映象具有不动点性质.设$\{\lambda_n\}$是$(0,\frac{1}{2}]$中序列满足: (i) $\lim_{n\rightarrow \infty}\lambda_n=0$; (ii) $\sum_{n=0}^{\infty}\lambda_n=\infty$.任给$x_1\in K$,定义迭代序列$\{x_n\}$为:$x_{n+1}=(1-\lambda_n)x_n+\lambda_nTx_n-\lambda_n(x_n-x_1),n\geq 1.$若$\lim_{n\rightarrow \infty}\|x_n-Tx_n\|=0$, 则上述迭代产生的$\{x_n\}$强收敛到$T$的不动点.     

2000年新教材一个高考题的另解

理科天津卷第20题 用总长14．8m的钢条制作一个长方体框架，如果所制作容器的底边的一边比另一边长0．5m，那么高为多少时容器的容积最大?并求出它的最大容积．     

Nonlinear spectroscopy of three-photon excitation of cesium Rydberg atoms in vapor cell

We present nonlinear spectra of four-level ladder cesium atoms employing 6 S1/2→6 P3/2→7 S1/2→30 P3/2 scheme of a room temperature vapor cell.A coupling laser drives Rydberg transition,a dressing laser couples two intermediate levels,and a probe laser optically probes the nonlinear spectra via electromagnetically induced transparency(EIT).Nonlinear spectra are detected as a function of coupling laser frequency.The observed spectra exhibit an enhanced absorption(EA) signal at coupling laser resonance to Rydberg transition and enhanced transmission(ET) signals at detunings to the transition.We define the enhanced absorption(transmission) strength,HEA(HET),and distance between two ET peaks,γET,to describe the spectral feature of the four-level atoms.The enhanced absorption signal HEA is found to have a maximum value when we vary the dressing laser Rabi frequency Ωd,corresponding Rabi frequency is defined as a separatrix point,ΩdSe.The values of ΩdSe and further η=ΩdSe/Ωc are found to depend on the probe and coupling Rabi frequency but not the atomic density.Based on ΩdSe,the spectra can be separated into two regimes,weak and strong dressing ranges,Ωd≤ΩdSe and Ωd≥QdSe,respectively.The spectroscopies display different features at these two regimes.A four-level theoretical model is developed that agrees well with the experimental results in terms of the probe-beam absorption behavior of Rabi frequency-dependent dressed states.     

Compton散射下等离子体交叉相位调制不稳定性增益谱北大核心CSCD

应用多光子非线性Compton散射模型和非线性Schrodinge方程,将入射光和Compton散射光作为形成等离子体交叉相位调制不稳定性的新机制,给出了高阶色散和高阶非线性下等离子体交叉相位调制不稳定性增益谱表达式,并进行了数值模拟.结果表明:与Compton散射前相比,Comnpton散射下的四阶色散使等负色散区的交叉相位调制不稳定性的两个频谱宽度比正色散区的宽,增益谱第二谱区及其峰值更接近零点,即使小功率光波,高频散射光的高阶色散和高阶非线性对交叉相位调制不稳定性的影响依然不可忽略.正五阶非线性使交叉相位调制不稳定性加强,第二谱区增益谱宽和峰值比第一谱区增大得更为明显;负五阶非线性对交叉相位调制不稳定性起抑制作用,五阶非线性系数绝对值越大,抑制作用越明显.散射使等离子体损耗对交叉相位调制不稳定性的影响减弱,随传输距离增加,增益谱宽缓慢减小.这主要是由于散射产生的非线性有效地补偿因传输距离增加而减小非线性的缘故.     

由亚甲基丁二酸根桥联的新颖双U形四核铜配合物[Cu_4(IA)_2(phen)_4(H_2O)_4](NO_3)_4(H_2O)_6

亚甲基丁二酸、邻菲啰啉(phen)和硝酸铜在甲醇-水中反应合成了一种由亚甲基丁二酸根(IA)桥联的新颖双U形四核铜配合物[Cu4(IA)2(phen)4(H2O)4](NO3)4(H2O)6(1),其结构经UV,IR,元素分析和单晶X-射线衍射分析表征。1属三斜晶系,Pī空间群,晶胞参数a=1.2262(3)nm,b=1.282 4(3)nm,c=1.3551(3)nm,α=63.236(2)°,β=75.555(2),°γ=73.126(2)°,Z=2,F(000)=844,R=0.059 6,wR=0.166 2。IA通过8个羧基O将两个U形双核亚单元联接成具有一个对称中心的双U形四核结构,其中每个U型亚单元包含晶体学上不对称的两个Cu(Ⅱ)离子。每个Cu(Ⅱ)离子均处于畸变的四方锥配位环境,除与IA和phen的O,N配位形成锥底平面外,Cu(Ⅱ)还与水配位。     

配合物[Cu（C8H6CIO3）2（H2O）2]的合成与晶体结构

以硝酸铜和对氯苯氧乙酸为原料,合成了标题化合物[Cu（C8H6ClO3）2（H2O）2],并用元素分析仪、红外光谱仪、X射线单晶衍射仪表征了其组成和晶体结构．结果表明,所合成的晶体属三斜晶系,Pi空间群,a=0．51146（6）nm,b=0．70640（8）nm,c=1．326410（15）nm,a=81．7770（10）°,β=86．361（2）°,γ=76．3970（10）°,F（000）=239,Z=1;最终偏离因子R=0．0264,wR=0．0674．在配合物中,铜离子与来自两个对氯苯氧乙酸根的两个羧基氧原子、两个醚氧原子以及来自两个水分子的氧原子配位,形成变形八面体结构．     

掺杂Sm_2O_3对Y-ZrO_2陶瓷烧结行为和性能的影响

一定量的Sm2O3粉末与3%Y2O3(摩尔分数)稳定的四方ZrO2粉体(Y-ZrO2)经球磨混合、造粒后,在钢模中压制成形,所得压坯在1450~1600℃下烧结后,得到不同Sm2O3掺杂量的Sm2O3掺杂Y-ZrO2(SY-ZrO2)陶瓷烧结体。对不同温度下烧结所得烧结体试样的相组成、密度、电导率、硬度以及抗弯强度等性能进行了测试分析。实验结果表明:将适量的Sm2O3掺入Y-ZrO2中,可以获得具有立方结构的SY-ZrO2陶瓷烧结体,且其密度、硬度和抗弯强度与Sm2O3的掺杂量有关;Sm2O3的加入提高了Y-ZrO2陶瓷的电导率,掺杂0.5%Sm2O3的SY-ZrO2陶瓷800℃时在空气中的离子电导率可达0.02 S.cm-1。本试验的初步实验结果显示,采用二元稀土氧化物(Sm2O3和Y2O3)复合掺杂ZrO2陶瓷材料,可以在保持其良好力学性能的同时,提高其电导率,拓展其应用领域。