凹槽叶顶冷气射流对涡轮叶尖泄漏流动的影响

涡轮叶尖泄漏流动对涡轮通道内流动损失有着显著影响,叶顶冷气射流对控制叶尖泄漏流动和改善涡轮叶尖气热性能有重要意义.本文利用数值模拟方法,研究了叶顶冷气喷射位置和喷射流量对高压涡轮凹槽叶顶间隙泄漏流动控制的影响.文中重点分析了泄漏流动结构及涡轮气动效率的变化,探讨了冷气对刮削涡这一间隙内主控流动结构演化的影响.研究表明,...     

半导体的CO2激光退火和合金化

本文主要研究连续CO₂激光对半导体的照射效应。实验结果与理论分析说明,用连续CO₂激光照射可将半导体样片加热到所需的温度。与其它短波长的激光不同,波长为10.6μm的连续CO₂激光照射半导体有如下特点:CO₂激光是借助于自由载流子吸收与半导体耦合;样片在深度方向被均匀加热;激光背面照射可以增强退火效果。连续CO₂激光照射可以固相外延再生长的方式使As离子注入Si的损伤层退火恢复。在再生长的过程中注入的As离子进入替位,电激活率很高,而且不发生杂质再分布。将连续CO₂激光背面照射成功地应用于GaAsFET制备欧姆接触,既可避免激光正面照射对器件结构的破坏,又能得到比热退火为好的电学性能。 关键词：     

尖海龙提取物抗癌作用的研究

制备尖海龙提取物,再将其分别作用于Hela,SK-RB-3细胞系,从细胞形态变化,细胞计数,集落形成率,细胞分裂指数变化观察体外药效,结果表明,尖海龙提取物可改变肿瘤的正常生活形态,又可显著抑制肿瘤细胞的增殖,降低集落形成率,减少分裂指数,从而证实尖海龙提取物具有抗癌活性,其在癌症的治疗与预防方面具有实用价值。     

尘埃粒子计数器中光源对传感器光通量的影响分析

在Mie散射理论基础上，由单分散射的光强表达式导出在偏振光的入射条件下一定立体角内的散射光通量的表达式，并与自然光入射作比较。计算了在相同强度不同光源入射下，尘埃粒子计数器的两种常用散射光收集系统收集的散射光通量。结果表明：采用近前向散射光收集系统得到的光通量相等；而采用直角方向散射光收集系统时两者并不相等，且在平面偏振光入射时，收集的散射光通量还跟探测器中心与入射光偏振方向夹角有关。用MATLAB编程计算，得出了在探测器中心与偏振方向的夹角成90°或270°位置时，收集的散射光通量有极值的结论，为激光尘埃计数器传感器光学设计提供了依据。     

不同pH对血红蛋白与过氧化氢复合物中间体的影响

以血红蛋白模拟过氧化物酶，在不同pH溶液中，测定并比较了催化反应中间体－Ⅱ的ks,t1/2和催化活性等。结果表明，中间体－Ⅱ的ks,t1/2和催化活性均与缓冲液的pH密切相关，其稳定性在pH5.0时最小，而此时的催化反应速度最高。     

柠檬醛对黄曲霉质膜物理损伤机制的研究

通过反射干涉对比显微技术和快速图像分析技术,捕获细胞质膜外光晕变化和细胞周边边缘激发变化的信息,并采用闪烁本征模式分解测定柠檬醛作用于黄曲霉质膜前后各模式（m=0,1,2）所对应的平均平方振幅<δn2m>、剪切弹性μ和弹性弯曲模量Kc,与理论模式光谱相比,研究柠檬醛损伤质膜的物理机制.结果表明,m=1的平动模式主导了光晕波谱,其平均平方振幅呈双指数衰变,该模式几乎与剪切弹性无关,即μ=0;弹性弯曲模量Kc的最小和最大值分别为9.45×10-18J和5.43×10-17J,与柠檬醛的浓度成正相关性.揭示该醛对黄曲霉质膜的损伤,除改变膜的选择通透性和电导率外,同时使质膜平动模式的平均平方振幅呈双指数衰变,弹性弯曲模量Kc增加,从而降低膜伸缩的弹性.     

Metastable Electron Traps in Modified Silicon-on-Insulator Wafer

We perform the total ionizing radiation and electrical stress experiments to investigate the electrical characteristics of the modified silicon-on-insulator(SOI) wafers under different Si ion implantation conditions. It is confirmed that Si implantation into the buried oxide can create deep electron traps with large capture cross section to effectively improve the antiradiation capability of the SOI device. It is first proposed that the metastable electron traps accompanied with Si implantation can be avoided by adjusting the peak location of the Si implantation reasonably.     

Radiation induced inter-device leakage degradation

The evolution of inter-device leakage current with total ionizing dose in transistors in 180 nm generation technologies is studied with an N-type poly-gate field device (PFD) that uses the shallow trench isolation as an effective gate oxide. The overall radiation response of these structures is determined by the trapped charge in the oxide. The impacts of different bias conditions during irradiation on the inter-device leakage current are studied for the first time in this work, which demonstrates that the worst condition is the same as traditional NMOS transistors. Moreover, the two-dimensional technology computer-aided design simulation is used to understand the bias dependence.     

硅薄膜太阳能电池的原理及其应用

太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源和清洁能源,在太阳能的有效利用中,太阳能光电利用是近些年来发展最快、最具活力的研究领域,20世纪60年代辉光放电法(glow discharge)薄膜制备技术取得一系列重大进展,使人们认识到可以将同样具有光伏效应的非结晶状态的硅以薄膜形式镀制在廉价的玻璃基板上.