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901.
对数列连续项积型不等式,文[1]给出了用其成立的一个充分条件证明的方法.笔者探究发现,用单调性证明某些此类不等式更简便.用单调性证明数列的连续项积型不等式的具体做法是:当所证不等式一边是常数时,直接根据 相似文献
902.
903.
利用离子印迹技术以铅离子为模板,甲基丙烯酸为功能单体,偶氮二异丁腈为引发剂,乙二醇二甲基丙烯酸酯为交联剂,采用本体聚合法制备铅离子印迹聚合物。通过红外光谱和紫外光谱对该离子印迹聚合物进行表征,采用静态平衡吸附实验分析铅离子印迹聚合物的吸附性能和吸附选择性。实验结果表明:与非印迹聚合物相比较,Pb(II)印迹聚合物对Pb(II)具有较强的吸附能力和较好的吸附选择性,饱和吸附量为19.44mg/g,pH=6时吸附效果最好,达到吸附平衡的时间是7h;静态分配系数Kd和选择性系数k分别为1381ml/g和20.3。将该离子印迹聚合物应用于环境水样中铅离子测定时的预富集,结果满意。 相似文献
904.
905.
906.
Single-pulse and multi-pulse damage behaviors of "standard"(with λ/4 stack structure) and "modified"(with reduced standing-wave field) HfO2/SiO2 mirror coatings are investigated using a commercial 50-fs,800-nm Ti:sapphire laser system.Precise morphologies of damaged sites display strikingly different features when the samples are subjected to various number of incident pulses,which are explained reasonably by the standing-wave field distribution within the coatings.Meanwhile,the single-pulse laser-induced damage threshold of the "standard" mirror is improved by about 14% while suppressing the normalized electric field intensity at the outmost interface of the HfO2 and SiO2 layers by 37%.To discuss the damage mechanism,a theoretical model based on photoionization,avalanche ionization,and decays of electrons is adopted to simulate the evolution curves of the conduction-band electron density during pulse duration. 相似文献
907.
Employing the area quantum 1/2 excited by the Wilson loop, a possible origin of qubit is argued. At the same time, the existences of possible entanglement of area quantums, and non-local property of the entangled states are demonstrated in quantized space. 相似文献
908.
Influence of Ytterbia Content on Residual Stress and Microstructure of Y2O3--ZrO2 Thin Films Prepared by EB-PVD 下载免费PDF全文
Y2O3 stabilized ZrO2 (YSZ) thin films with different Y2O3 molar contents (0, 3, 7, and 12 mol%) are deposited on BK7 substrates by electron-beam evaporation technique. The effects of different Y2O3 contents on residual stresses and structures of YSZ thin films are studied. Residual stresses are investigated by means of two different techniques: the curvature measurement and x-ray diffraction method. It is found that the evolution of residual stresses of YSZ thin films by the two different methods is consistent. Residual stresses of films transform from compressive stress into tensile stress and the tensile stress increases monotonically with the increase of Y2O3 content. At the same time, the structures of these films change from the mixture of amorphous and monoclinic phases into high temperature cubic phase. The variations of residual stress correspond to the evolution of structures induced by adding of Y2O3 content. 相似文献
909.
采用热舟蒸发方法沉积了氟化镁(MgF2)材料的单层膜,沉积温度从200 ℃上升到350 ℃,间隔为50 ℃。测量了样品的透射率和反射率光谱曲线,进行了表面粗糙度的标定,并在此基础上进行了光学损耗及散射损耗的计算。同时对355 nm波长处的激光诱导损伤阈值进行了测量。结果表明:随着沉积温度的升高,光学损耗增加;在短波长范围散射损耗在光学损耗中所占比例很小,光学损耗的增加主要由吸收损耗引起;在355 nm波长处的损伤阈值变化与吸收损耗的变化趋势相关,损伤机制主要是吸收起主导作用。样品的微缺陷密度也是影响损伤阈值的一个重要因素,损伤阈值随缺陷密度的增加而降低。 相似文献
910.