稀磁半导体的研究进展

本文主要介绍了III-V族稀磁半导体(Ga,Mn)As的研究进展,包括(Ga,Mn)As的生长制备、基本磁性质、磁输运特征、磁光性质、磁性起源、相关的异质结构和自旋注入等,同时还简单介绍了其它稀磁半导体如IV族、III-VI族和IV-VI族等稀磁半导体的研究进展,在文章的最后描述了理想的稀磁半导体应该具备的特征以及对未来的展望。     

应用SR—CT技术研究陶瓷材料的孔隙结构及密度分布

采用同步辐射X射线对烧结后的工程结构陶瓷材料进行投影成像，应用断层成像技术进行内部结构三维图像重建，获得了材料内部微结构和微缺陷尺寸大小、分布和界面形貌图像，由此计算出陶瓷材料的孔隙率及密度分布。     

In Situ Epitaxy of Pure Phase Ultra-Thin InAs-Al Nanowires for Quantum Devices

We demonstrate the in situ growth of ultra-thin InA s nanowires with an epitaxial Al film by molecular-beam epitaxy.Our InAs nanowire diameter(～30 nm) is much thinner than before(～100 nm).The ultra-thin InAs nanowires are pure phase crystals for various different growth directions.Transmission electron microscopy confirms an atomically abrupt and uniform interface between the Al shell and the InAs wire.Quantum transport study on these devices resolves a hard induced superconducting gap and 2 e-p...     

导弹最大射程Bayes估计的分析和改进

本文用验前数据的质量因子及估计的相对均方误差分析了导弹最大射程的一类Ｂａｙｅｓ估计的性能，对不同的质量因子，给出了最佳验前数据量的一种近似公式。针对这类Ｂａｙｅｓ估计的冒进问题，本文对它们进行了改进并得到了一类新的估计。最后，通过ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ法比较了这些估计的相对均方误差，验证了新估计的优良性。     

垂直磁各向异性L10-Mn1.67Ga超薄膜分子束外延生长与磁性研究

具有超强垂直磁各向异性的L1₀-Mn_xGa薄膜由于其与半导体材料结构及工艺的高度兼容性而受到广泛关注, 其超高垂直磁各向异性能和极低的磁阻尼因子预示着L1₀-Mn_xGa薄膜在高热稳定性自旋电子学器件中将发挥重要作用. 而L1₀-Mn_xGa超薄膜对于降低L1₀-Mn_xGa基垂直磁各向异性隧道结中的磁矩翻转临界电流密度有着重要的意义. 本文采用分子束外延的方法, 在半导体GaAs衬底上成功制备出了一系列不同厚度的L1₀-Mn_1.67Ga薄膜, 厚度范围为1-5 nm. 生长过程中反射式高能电子衍射原位检测以及X射线衍射结果均表明了其良好的单晶相. 磁性测量结果表明, 厚度在1 nm以上的L1₀-Mn_1.67Ga薄膜均可以保持垂直磁各向异性特征, 厚度为5 nm的L1₀-Mn_1.67Ga薄膜的垂直磁各向异性能可达到14.7 Merg/cm³. 这些结果为基于L1₀-Mn_1.67Ga的垂直磁各向异性隧道结在自旋转移扭矩驱动的磁随机存储器等低功耗器件的集成及应用提供了重要的实验支持.     

45CrNiMoVA钢的低周疲劳特性和表面疲劳裂纹的在位观测

利用MTS810材料试验机对带中心圆孔的45CrNiMoVA钢低周疲劳特性进行了研究,并借助长焦显微镜和CCD摄像头对试样表面裂纹的演化规律进行了在位停机观测和在位不停机连续观测尝试,试验发现,裂纹均萌生于与拉伸应力垂直的圆孔边缘;疲劳裂纹的萌生与Lueders形变带密切相关,萌生期超过整个疲劳寿命的70%,主裂纹的发展既可以共面扩展的方式向前连续延伸,也可以裂纹连接的方式向前跳跃传播,应力控制的低周疲劳条件下,疲劳寿命与应力面形貌图像,频闪光源照明可以实现表面疲劳裂纹的在位不停机观测。     

陶瓷粉末烧结演化的同步辐射CT观测

利用SR—CT技术观测了Al2O3（MgO）粉末的整个烧结过程，温度范围～1550℃，重建得到了粉体在不同温度下的微观形貌图像，计算得到了对应温度下的孔隙率，结合烧结理论对Al2O3（MgO）粉末烧结进行了分析。实验结果表明：1300℃时颗粒间开始形成烧结颈，1400℃至1500℃的过程中，气孔重新分布形成连续网络且发生球化，烧结颈长大，为烧结致密化最显著阶段，1500℃至1550℃为烧结后期，变化趋缓。     

GaMnAs合金中等离子体激元-LO声子耦合模的拉曼光谱研究

理论分析了两种阻尼条件下重掺杂GaAs中的等离子体激元-LO声子耦合模,证实在小阻尼条件下耦合模的拉曼谱分为两支,而在大阻尼条件下只有一个耦合模可以被观测到。推导得到了只出现一个耦合模所需的最小阻尼的解析表达式。测量了Mn组分从2.6%到9%的GaMnAs合金的拉曼光谱。利用等离子体激元-LO声子耦合模理论进行了谱形拟合,得到了所测的GaMnAs合金中的空穴浓度。     

What has been measured by reflection magnetic circular dichroism in Ga1-xMnxAs/GaAs structures？

An explicit expression of reflection magnetic circular dichroism （RMCD） has been derived, taking into account the interference effect that arises from multiple internal reflections in an air/Ga1-xMnxAs/GaAs dielectric layered system. It unambiguously shows that the RMCD signal is composed by three terms. In addition to the conventional term, which is sufficient in the absence of interference, an oscillatory term is required. Both of them are related to the imaginary part εxy of the off-diagonal element of the dielectric tensor. One also becomes aware that in this case RMCD is not actually determined only by the imaginary part εxy of the off-diagonal element of the dielectric tensor, as has been widely accepted. In fact, the real part εxy of the off-diagonal element will substantially mix into the measured RMCD results by another oscillatory cos θ form. It can even reverse the sign of RMCD, when the Gal_xMnxAs layer becomes thicker. The main aspects of these predictions were used to reasonably explain the RMCD results measured in three different types of samples. Our work will bring about a reconsideration of how to correctly explain RMCD results.     

计算含无关项布尔c-导数的K图方法

为简化与-或-非代数系统中含无关项逻辑函数布尔c-导数的计算过程,从逻辑函数布尔c-导数的定义出发,提出了计算含无关项一阶布尔c-导数和二阶布尔c-导数的K图方法.该方法通过折叠映射K图中的填入格值,并对相应格值进行"或"运算以计算含无关项布尔c-导数.应用实例表明,该方法直观有效,且能直接得到布尔c-导数的最简与/或式.