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31.
We demonstrate the in situ growth of ultra-thin InA s nanowires with an epitaxial Al film by molecular-beam epitaxy.Our InAs nanowire diameter(~30 nm) is much thinner than before(~100 nm).The ultra-thin InAs nanowires are pure phase crystals for various different growth directions.Transmission electron microscopy confirms an atomically abrupt and uniform interface between the Al shell and the InAs wire.Quantum transport study on these devices resolves a hard induced superconducting gap and 2 e-p... 相似文献
32.
研究了Pd40Ni40P20合金在重力(1g)及微重力(μg)条件下凝固组织的差异,微重力条件下的样品中组织细化,1次枝晶短且方向性差,当冷速v为0.056K/s时,其1次枝晶间距L值远小于同样冷速条件下地面获得的组织中的L值,而与地面冷速为0.67K/s的L值相当。在此基础上推算了空间与地面不同冷速下固液界面前沿液相中溶质输运系数的差异。 相似文献
33.
使用多靶离子束溅射沉积方法制备出Ag/Si多层膜 .利用原位低角X射线衍射技术和截面高分辨透射电子显微镜观察 5 0~ 30 0℃退火过程中Ag/Si多层膜各亚层间发生的扩散现象 ,并由此分析研究Ag/Si多层膜微观结构变化 ,即Ag/Si纳米颗粒多层膜的形成过程 .计算出Si在Ag亚层中的扩散激活能和频率因子分别为 0 .2 4eV和 2 .0 2× 1 0 -20 m2 /s,纳米Ag颗粒的尺寸约为5nm . 相似文献
34.
采用X射线衍射、电子衍射及透射电子显微技术研究了Fe73 .5 Cu1Nb3 Si13 .5 B9非晶合金在 82 3K ,1~ 5GPa下退火所形成的纳米晶结构 ,高压实验采用Belt型压力装置 .结果表明 ,压力没有改变合金结晶相的类型 ,但对其纳米晶结构的形成有重要影响 .当压力从常压增加到 5GPa时 ,结晶相α Fe固溶体 (α Fe相 )的尺寸从 1 1 .5nm减小至 5nm .当压力低于 2GPa时 ,α Fe相的体积分数随压力的增高而增加 ,然后随压力进一步增高 (P >2GPa)而减小 .还讨论了压力影响Fe73 .5 Cu1Nb3 Si13 .5 B9纳米晶合金形成的机制 . 相似文献
35.
理论预言窄禁带稀磁半导体(Ga,Mn)Sb及其异质结构可能存在量子反常霍尔效应等新奇特性, 近年来受到了特别关注. 但是, 由于(Ga,Mn)Sb薄膜生长窗口窄, 纯相(Ga,Mn)Sb薄膜制备比较困难, 迄今关于这类材料的研究报道为数不多. 本文采用低温分子束外延的方法, 通过优化生长条件, 成功制备出厚度为10 nm, Mn含量在0.016至0.039之间的多组(Ga,Mn)Sb薄膜样品. 生长过程中反射式高能电子衍射原位监测和磁性测量都表明没有MnSb等杂相的偏析, 同时原子力显微镜图像表明其表面形貌平滑, 粗糙度小. 通过生长后退火处理, (Ga,Mn)Sb薄膜的最高居里温度达到30 K. 此外, 本文研究了霍尔电阻和薄膜电阻随磁场的变化关系, 在低温下观测到明显的反常霍尔效应. 相似文献
36.
电化学阳极氧化生成的氧化铝薄膜含有高度有序的纳米孔阵列,本文首先假设氧化铝薄膜基体(无孔部分)为各向同性,结合其周期性孔结构特点和均匀化理论,可以得到氧化铝基体和薄膜弹性性质之间的关系。然后利用单轴拉伸结合电子散斑干涉(ESPI)的方法得到薄膜面内的杨氏模量为63.4GPa,并根据均匀化方法得到的基体与薄膜弹性性质的关系进一步推出薄膜横观各向同性的其它弹性参数,如基体杨氏模量等。为证明结果的可靠性,利用推出的弹性参数建立三维有限元模型,模拟纳米压痕实验,得到的加卸载曲线与实验曲线相吻合。 相似文献
37.
38.
疲劳过程中的能量耗散和疲劳寿命的预测 总被引:2,自引:0,他引:2
试验测量了A3钢和铝合金LY12CZ在疲劳过程中的耗散能密度与应力幅的关系和破坏时的临界累积耗散能密度。通过一系列不同加载频率和应力比的比较试验,结果表明耗散能密度与应力幅的关系和临界累积耗散能密度在不同加载频率下变化不大,但是受应力比的影响较大。本文还建立了临界累积耗散能密度疲劳寿命预测判据,并用此判据进行了带中心孔板条构件的疲劳寿命预测,取得了较好的结果(误差在25%以内)。这种方法对于构件局部的疲劳主要由一个方向应力控制的工程问题,使用简便有效。 相似文献
39.
本文利用第一原理方法计算了空位缺陷和硼(B)掺杂时对Pt在graphene上吸附的影响.结果表明:Pt在graphene上吸附的稳定位置是Pt吸附在桥位;悬挂键的存在极大的增强了Pt在graphene空位处的吸附;B替位掺杂有利于Pt原子在杂质附近的吸附. 相似文献
40.