Structure and Magnetic Properties of （In,Mn）As Based Core-Shell Nanowires Grown on Si（111） by Molecular-Beam Epitaxy

We report the structure and magnetic properties of （In,Mn）As based core-shell nanowires grown on Si （111） by molecular-beam epitaxy. Compared to the core InAs nanowire with a flat side facet and consistent diameter, the core-shell nanowire shows a rough sidewall and an inverse tapered geometry. X-ray diffraction, transmission electron microscopy and energy-dispersive x-ray spectroscopy show that （In,Mn）As is formed on the side facets of In As nanowires with a mixture ofwurtzite and zinc-blende structures. Two ferromagnetic transition temperatures of （In,Mn）As from magnetic measurement data are observed： one is less than 25 K, which could be attributed to the magnetic phase with diluted Mn atoms in the InAs matrix, and the other is at ～300 K, which may originate from the undetectable secondary phases such as MnAs nanoclusters. The synthesis of （In,Mn）As based core-shell nanowires provides valuable information to exploit a new type of spintronic nano-materials.     

Quantum oscillations in a hexagonal boron nitride-supported single crystalline InSb nanosheet

A gated Hall-bar device is made from an epitaxially grown, free-standing InSb nanosheet on a hexagonal boron nitride (hBN) dielectric/graphite gate structure and the electron transport properties in the InSb nanosheet are studied by gate-transfer characteristic and magnetotransport measurements at low temperatures. The measurements show that the carriers in the InSb nanosheet are of electrons and the carrier density in the nanosheet can be highly efficiently tuned by the graphite gate. The mobility of the electrons in the InSb nanosheet is extracted from low-field magneotransport measurements and a value of the mobility exceeding $\sim 1.8\times10^4$ cm$^{2}\cdot$V$^{-1}\cdot$s$^{-1}$ is found. High-field magentotransport measurements show well-defined Shubnikov-de Haas (SdH) oscillations in the longitudinal resistance of the InSb nanosheet. Temperature-dependent measurements of the SdH oscillations are carried out and key transport parameters, including the electron effective mass $m^{\ast }\sim 0.028 m_{0}$ and the quantum lifetime $\tau \sim 0.046 $ ps, in the InSb nanosheet are extracted. It is for the first time that such experimental measurements have been reported for a free-standing InSb nanosheet and the results obtained indicate that InSb nanosheet/hBN/graphite gate structures can be used to develop advanced quantum devices for novel physics studies and for quantum technology applications.     

(Ga,Mn)As中电流诱导自旋极化的磁光Kerr测量

在GaAs吸收带边附近, 利用磁光Kerr效应测量了(Ga,Mn)As和p-GaAs样品的电流诱导Kerr旋转谱和反射谱, 两者都呈现出Lorentz曲线形状. 电流诱导Kerr旋转角和反射率随着电流的增大而增大, Kerr角与电流的大小成正比关系, 反射率与电流的平方成正比关系. (Ga,Mn)As的Kerr旋转角比p-GaAs的大了一个数量级, 这说明Mn原子的掺杂使得电流诱导的自旋极化增强. 另外, 还测量了温度和入射光偏振方向对电流诱导Kerr旋转谱和反射谱的影响. 发现随着温度的升高, Kerr谱和反射谱均向长波方向移动, 这与GaAs带边随温度的变化是一致的.     

基于耗散能密度的疲劳裂纹扩展规律研究

在疲劳裂纹扩展过程中,裂纹尖端的能量耗散决定了裂纹扩展能力.研究基于耗散能密度的裂纹扩展规律更有物理意义.耗散能密度是材料疲劳性能的一种表征参数,实验测得了镍基高温合金GH4169材料室温和450℃高温的耗散能密度与控制应力幅值的关系曲线.参照Paris公式的形式提出了基于耗散能密度的裂纹扩展方程,并通过疲劳裂纹扩展试验测量了GH4169材料在室温和450℃高温下的裂纹扩展速率与耗散能密度的关系.试验结果的总体趋势与所提出的扩展方程一致.     

一种不完备测试数据下的结构损伤识别方法

在单元刚度损伤系数和振型扩阶的基础上,建立了单元的损伤控制方程,提出了一种不完备测试自由度下的损伤识别方法。该方法以单元刚度损伤系数作为识别量,通过计算结构损伤前后频率和振型的改变,然后利用控制方程反解出损伤系数,从而确定出结构损伤位置和大小。悬臂梁桁架结构的数值模拟表明,在一定的噪声水平下可以同时成功地识别出的损伤位置和程度,而且对噪声有较强的鲁棒性。     

有限可修备件条件下系统计划更换策略

在现有的计划更换模型的基础上 ,研究了一种备件有限及部件可修的更换策略问题。利用在更换周期点上具有的马尔可夫性质 ,以系统首次故障前平均工作时间最大为目标建立了确定最佳更换周期的模型。     

Pd41Ni10Cu28P21大块非晶合金结构与晶化过程

采用水淬的方法获得了Pd41Ni10Cu28P21大块非晶合金.结果表明,这一合金体系具有很强的玻璃形成能力,其约化的玻璃转变温度Trg为0.714.结构分析显示,Pd41Ni10Cu28P21非晶合金比以往所报道的Pd40Ni40P20非晶具有更接近于"冻结"液态的密堆积结构.非晶的晶化实验表明,晶化初期多种晶相同时结晶析出.低于710K退火非晶样品,亚稳相形成,继续提高退火温度亚稳相消失.此外,从热力学和动力学角度就Cu部分替代Ni对合金的玻璃形成能力的影响进行了探讨.     

1.2 MV大功率直流高压电源研制

 采用等边三角形结构的铁芯,次级线圈分成40级,分别进行三相全波整流,每级输出直流30 kV,串联后获得1.2 MV/A的直流高电压大功率输出。电源的能量转换效率大于95%,漏抗高达21.7%。采用无滤波电容结构,次级线圈星型/三角型接法交替使用,纹波系数小于±4%。整个电源密封在压力钢筒中,充0.8 MPa高纯度SF6气体作为绝缘介质,最大工作场强小于130 kV/cm。设计了专门的SF6气体冷却系统,气体温度控制在60 ℃以内,高电压由充气同轴传输线输出。在小负载条件下,电源各项指标满足技术要求,已经安装在1.2 MW,1.2 MeV大功率直流电子加速器上进行整机联调。     

从高质量半导体/超导体纳米线到马约拉纳零能模

作为马约拉纳费米子的"凝聚态版本",马约拉纳零能模是当前凝聚态物理领域的研究热点.马约拉纳零能模满足非阿贝尔统计,可以构建受拓扑保护的量子比特.这种由空间上分离的马约拉纳零能模构建的拓扑量子比特不易受局域噪声的干扰,具有长的退相干时间,在容错量子计算中具有重要的应用前景.半导体/超导体纳米线是研究马约拉纳零能模和拓扑量...     

模糊批量生产计划问题的可信性规划模型与算法

描述模糊单位利润、模糊生产能力以及模糊需求下的批量生产计划,并应用可信性规划建立了模型.当模糊变量是梯形模糊数时,我们将模糊模型转化为确定意义下的模型.为了求解优化模型,我们设计了基于模糊模拟的遗传算法.最后,通过一个数值例子说明算法的有效性.