Pd41Ni10Cu28P21大块非晶合金结构与晶化过程

采用水淬的方法获得了Pd₄₁Ni₁₀Cu₂₈P₂₁大块非晶合金 .结果表明 ,这一合金体系具有很强的玻璃形成能力 ,其约化的玻璃转变温度T_rg为 0 .71 4.结构分析显示 ,Pd₄₁Ni₁₀Cu₂₈P₂₁非晶合金比以往所报道的Pd₄₀Ni₄₀P₂₀ 非晶具有更接近于“冻结”液态的密堆积结构 .非晶的晶化实验表明 ,晶化初期多种晶相同时结晶析出 .低于 71 0K退火非晶样品 ,亚稳相形成 ,继续提高退火温度亚稳相消失 .此外 ,从热力学和动力学角度就Cu部分替代Ni对合金的玻璃形成能力的影响进行了探讨     

重力及微重力条件下Pd_(40)Ni_(40)P_(20)合金凝固组织中溶质原子的分布特征

研究了Ｐｄ４０Ｎｉ４０Ｐ２０合金在重力（１ｇ）及微重力（μｇ）条件下凝固组织中溶质原子的分布．与重力条件相比，微重力条件下凝固的样品组织中，初生相的Ｐ含量较低，而Ｐｄ的含量较高；共晶区域内的平均Ｐ含量较高而平均Ｐｄ含量较低．深入分析初生树枝晶一次枝晶间距Ｌ与冷却率υ以及固液界面前沿液相中溶质综合输运系数Ｄ的相互关系，发现地面条件下的固液界面前沿液相中溶质综合输运系数Ｄ１ｇ比空间的Ｄμｇ大１７倍．这是造成显微组织中溶质分布差异的主要原因     

FeSi2单晶化学气相生长

利用化学气相输运方法, 以碘作为传输剂, 在封闭的石英安瓿中制备出了优质新型的光电及热电半导体材料β-FeSi₂单晶. 在大量实验基础上深入研究了生长工艺对单晶质量、形态的影响, 除了得到大尺寸针状β-FeSi₂单晶外, 还获得了大尺寸颗粒状单晶. 通过改变衬底温度, 得到了四面体柱状优质的α-FeSi₂单晶.     

微机在测试断裂韧度K_C中的应用

本文介绍了由自行设计的ME-A数据采集器系统和PC-1500计算机组成的数据采集处理系统在平面应力断裂韧度K_c测试中的应用.配合自行设计的板条试样夹具,在老式万能试验机上测试K_c取得良好效果,为改进旧设备、开发计算机的应用和K_c微机数据处理工作提供一些经验.     

TSAB光度法测定铜合金中铋

采用TSAB(2,3,4-三羟基-4′-磺酸基-偶氮苯)为显色剂可在大量铜存在下直接测定铋,但多在硫酸介质中显色。本文比较了硝酸和硫酸两种介质,发现在硫酸介质中的灵敏度(ε=2.55×10~4)虽高于硝酸介质(ε=1.8×10~4)但酸度变化的影响较大,     

铁磁/非磁金属异质结中的拓扑霍尔效应

在铁磁/非磁金属异质结中,界面处的Dzyaloshinskii-Moriya相互作用会诱导诸如磁性斯格明子等手性磁畴壁结构的形成.当巡游电子通过手性磁畴壁结构时,会获得一个贝里相位,而相应的贝里曲率则等效于一个外磁场,它将诱导额外的霍尔效应,即拓扑霍尔效应.拓扑霍尔效应是当前磁性斯格明子和自旋电子学研究领域的热点之一.本文由实空间贝里相位出发,简要介绍了拓扑霍尔效应的物理机制;然后着重讨论了铁磁/非磁金属异质结中的拓扑霍尔效应,包括磁性多层膜中和MnGa/重金属双层膜中的拓扑霍尔效应.这两种结构都可以通过改变材料的厚度、种类、生长方式等调控界面Dzyaloshinskii-Moriya相互作用,从而有效地调控磁性斯格明子和拓扑霍尔效应.     

室温下(Ga,Mn)As中载流子的自旋弛豫特性

运用飞秒时间分辨抽运-探测克尔光谱技术,研究了室温下退火及未退火(Ga,Mn)As的载流子自旋弛豫的激发能量密度依赖性,发现电子自旋弛豫时间随激发能量密度增加而增大,而在同一激发能量密度下,退火样品比未退火样品具有更短的载流子复合时间、电子自旋弛豫时间和更大的克尔转角,显示DP机理是室温下(Ga,Mn)As的电子自旋弛豫的主导机理.退火(Ga,Mn)As的超快克尔增强效应显示其在超高速全光自旋开关方面的潜在应用价值,也为(Ga,Mn)As铁磁性起源的p-d交换机理提供了证据. 关键词： (Ga Mn)As稀磁半导体 时间分辨克尔光谱 电子自旋弛豫 DP机理     

电荷与自旋的联姻:磁性半导体

<正>1.引言上古时代,人类祖先就见识了电闪雷鸣带来的感官震撼,而摩擦起电和静电积累现象则不断激励人们去接近直至揭示其中的物理规律。从富兰克林风筝引电证明闪电与静电无异,到库仑提出平方反比定律指出电力与引力同形,标志着人类开始摆脱对电的原始崇拜与畏惧,迈进了电学研究的科学时代;从伏特制造电池提供连续高强度电流,到欧     

基于总散射测量的表面质量检测新方法

光学元件在加工及使用过程中引入的麻点或擦痕会严重影响其表面质量。基于Peterson疵病散射理论,将麻点或擦痕引起的散射光分为两部分,即对麻点(或擦痕)内部表面的散射光作漫反射分析,对麻点或擦痕外围轮廓引起的散射光作衍射分析。进一步考虑麻点和擦痕的挡光效应,以及麻点衍射消失的边界条件,通过将疵病散射理论与国家标准GB/T 1185—2006相结合,推导出麻点、擦痕的双向反射分布函数的解析表达式,进而分析了不同疵病级数下的角分辨散射和总散射。研究结果表明:表面疵病的总散射与疵病面积近似成线性正比,进而据此提出了一种基于总散射测量的表面质量检测新方法,并分析了光学元件表面疵病的阈值。     

Cr-Doped InAs Self-Organized Diluted Magnetic Quantum Dots with Room-Temperature Ferromagnetism

Cr-doped InAs self-organized diluted magnetic quantum dots （QDs） are grown by low-temperature molecularbeam epitaxy. Magnetic measurements reveal that the Curie temperature of all the InAs：Cr QDs layers with Cr/In flux ratio changing from 0.026 to 0.18 is beyond 400 K. High-resolution cross sectional transmission electron microscopy images indicate that InAs：Cr QDs are of the zincblende structure. Possible origins responsible for the high Curie temperature are discussed.