Si离子注入对分子束外延Si1-xGex/Si量子阱发光特性的影响

对分子束外延生长带边激子发光的Si_1-xGe_x/Si量子阱结构，通过Si离子自注入和不同温度退火，观测到深能级发光带和带边激子发光的转变.Si离子注入量子阱中并在600℃的低温退火，形成链状或小板式的团簇缺陷，它导致深能级发光带的形成，在850℃的高温退火后重新观测到带边激子发光.这种团簇缺陷的热离化能约为0.1eV，比Si中空穴或填隙原子缺陷的热激活能(约0.05eV)高.这表明早期文献中报道的深能级发光带是由类似的团簇缺陷产生的. 关键词：     

用~3He→D核反应分析Ti中的D

用D-~3He核反应分析法分析中发生器用TiD_(?)靶中D的含量x.并利用Au-Si面垒探测器测量了质子能谱,获得了该探测器的灵敏层参量,仔细研究了半导体探测器对高能质子的响应.对质子射程同耗尽层厚度相当时的质子能谱进行的理论计算与实验现象一致. 关键词：     

应用功能化的金纳米通道分离阿特拉津和百草枯

将金(Ⅰ)通过化学沉积法于4℃经9h使之沉积于聚碳酸酯滤膜(孔径100nm)的内孔壁上,从而制得金纳米通道膜。经清洗并干燥后的膜在十八烷基硫醇[CH3(CH2)16CH2SH](0.1+99.9)溶液中浸泡12h,从而使金纳米通道膜被十八烷基硫醇修饰(将此膜简写作C18SH-Mem)并使其呈疏水性。试验在分离装置的样品池中加入阿特拉津和百草枯两种农药的混合溶液,并使其通过C18H37SH-Mem,经过一定时间后,在膜另一端的检测池中对上述两农药分别在222nm及257nm波长处进行检测。结果表明:在检测池中只测得疏水性的阿特拉津而未能测得百草枯,说明亲水性的百草枯不能在疏水性的经修饰的金纳米通道中迁移。据此,应用修饰后的金纳米通道可达到上述两农药的完全分离。     

螺距和磁场强度与周期的跳变在Ka波段行波管中的应用

以弱色散特性的扇形金属-介质夹持杆螺旋线慢波结构的Ka波段行波管作为研究对象,进行了互作用特性仿真研究。采用螺距跳变和磁场跳变技术进一步提高了该行波管在工作频带的输出功率和电子效率,并解决了电子注散焦问题。设计结果表明:当工作电压为9 kV、工作电流为210 mA时,行波管在24~40 GHz整个频带内,各频点的增益在37.7~48.7 dB之间,电子效率在15.18%~19.42%之间,输出功率大于286 W。此结果较之均匀周期的设计结果,电子效率增幅在4.19%以上,输出功率增长率在4.3%以上,尤其在26~37 GHz范围内,电子效率增幅达到了11.8%以上,输出功率增长率达11.9%。     

平面阻塞效应测量Ep=1565keV时27Al(p,α)24Mg共振反应寿命

采用(111)面阻塞效应测量了E_p=1565keV共振时²⁷Al(p,α)²⁴Mg核反应寿命。用解析方法分析实验数据。测到的核寿命τ=17.9_-4.0^+4.4as,与<110>轴阻塞效应测量结果和文献给出的结果在误差范围内一致。测量了E_p=1183.4keV时(111)面的α粒子的阻塞分布,并与理论计算作了比较。 关键词：     

ABNORMAL ENERGY DEPENDENCE OF AXIAL MINIMUM CHANNELING YIELDS IN GexSi1-x/Si(100) STRAINED

An energy dependence of the axial minimum channeling yield in Ge_xSi_1-x/Si(100) Strained-layer superlattice is observed in the energy range of impinging He⁺ ione from 1.2 to 3.0 MeV. For [100] axial channeling, the measurements ere in agreement with what have been known in a single crystal. However, for [110] axial channeling, it is found that the minimum channeling yields increase markedly with the increase of He⁺ ion energy, which is contrary to the general channeling behaviors in a single crystal. A tentative model is suggested to explain this aberrance.     

Si_（1－x）Ge_x／Si量子阱发光材料的分子束外延生长及其结构研究

采用固源Ｓｉ分子束外延，在较高的生长温度于Ｓｉ（１００）衬底上制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ量子阱发光材料．发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、Ｘ射线双晶衍射及光致发光评估．背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应；Ｘ射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的，结晶完整性好．低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合．并讨论了生长温度对量于阱发光的影响．     

用阻塞效应测量~28Si 13.095MeV激发态能级寿命

改进Al单晶样品的处理方法,得到了高质量的样品。进行了Al单晶辐照损伤实验,直接测量了E_p=1565keV时~(27)Al(p,α)~(24)Mg共振所形成的~(28)Si13.095MeV激发态能级寿命。采用Monte Carlo模拟和“分析”方法计算得到其寿命值τ=16.3±2.4as,对应的能级宽度Γ=40±6eV,与文献报道的共振产额法结果符合得较好。     

用阻塞效应测量28Si 13.095MeV激发态能级寿命

改进Al单晶样品的处理方法,得到了高质量的样品。进行了Al单晶辐照损伤实验,直接测量了E_p=1565keV时²⁷Al(p,α)²⁴Mg共振所形成的²⁸Si 13.095MeV激发态能级寿命。采用MonteCarlo模拟和“分析”方法计算得到其寿命值τ=16.3±2.4as,对应的能级宽度Γ=40±6eV,与文献报道的共振产额法结果符合得较好。 关键词：     

ABNORMAL ENERGY DEPENDENCE OF AXIAL MINIMUM CHANNELING YIELDS IN GexSi1-x/Si(100) STRAINED

An energy dependence of the axial minimum channeling yield in Ge_xSi_1-x/Si(100) Strained-layer superlattice is observed in the energy range of impinging He⁺ ione from 1.2 to 3.0 MeV. For [100] axial channeling, the measurements ere in agreement with what have been known in a single crystal. However, for [110] axial channeling, it is found that the minimum channeling yields increase markedly with the increase of He⁺ ion energy, which is contrary to the general channeling behaviors in a single crystal. A tentative model is suggested to explain this aberrance.