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61.
《义务教育数学课程标准(2011年版)》指出:"数学教育要面向全体学生,实现人人学有价值的数学;人人都获得必需的数学;不同的人在数学上得到不同的发展."由此可见,在数学教学活动中,学生才是数学学习的主人.最近研读全国著名特级教师李庾南著作《自学·议论·引导教学论》后,这种感受更为强烈.本文围绕李老师提出课堂教学中的"相机引导",谈谈研读心得:相机引导,促进学生成为课堂学习的主人.一、怎么理解"引导" 相似文献
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捷联式惯性导航系统通常采用卫星导航系统的位置、速度信息对惯导解算误差进行校正,但对于水下载体惯性导航系统而言,由于只能获得点位置信息,对惯导的校正精度以及校正参量有限。针对上述问题,提出了基于天文/卫星组合校正捷联式惯导技术,通过卫星精确定位信息和天文快速观测信息,全面修正惯导系统误差、提高导航精度。仿真结果表明,基于天文/卫星组合校正算法对惯导进行校正,相对于传统校正算法精度可提高约50%。 相似文献
63.
采用水热和溶胶-凝胶相结合的方法,制备了具有良好电化学性能的新型多壁碳纳米管-Na3V2(PO4)3(MWCNT-NVP)复合材料(MWCNT的质量分数为8.74%). 通过场发射扫描电子显微镜表征可知,MWCNT分散在NVP纳米颗粒之间,并起到“电子导电线”的作用. 与纯Na3V2(PO4)3相比,MWCNT-NVP具有更高的比容量和更优异的循环性能. 在0.2C(35.2 mA·g-1)的电流密度下,3.0-4.5 V的电压范围内,MWCNT-NVP的初始比容量为82.2 mAh·g-1. 循环100次以后,比容量为72.3 mAh·g-1. 在1.0-3.0 V充放电时,MWCNT-NVP的初始容量为100.6 mAh·g-1. 100次循环以后,其容量保持率高达90%. 同时,交流阻抗测试表明,由于MWCNT的存在,MWCNT-NVP的导电性有了显著的提高. 以上结果表明,MWCNT-NVP是一种良好的锂离子电池电极材料. 相似文献
64.
采用水热法合成了一种微球状的CuS/Ag2S纳米复合物. 通过透射电子显微镜、 紫外-可见吸收光谱和拉曼光谱等对其形貌及光学性质进行了表征; 考察了其类过氧化物酶性质, 并通过表面增强拉曼散射原位监测了类过氧化物酶催化反应. 以3,3',5,5'-四甲基联苯胺(TMB)为底物进行显色反应, 结果表明, 在H2O2存在下CuS/Ag2S 纳米复合物具有类过氧化物酶的性质, 可以将无色的TMB氧化成蓝色的oxTMB. 基于此实现了对微量H2O2的检测. 相似文献
65.
以Al2O3-TiO2混合物为载体,采用过量浸渍法负载Pt制备出催化剂涂层,再将其涂覆到堇青石蜂窝载体上制备了整体式催化剂,利用N2吸附/脱附、XRD、NH3-TPD、SEM-EDS表征。研究了催化剂涂层中TiO2含量和Pt负载量对甲醛去除率的影响。结果表明:TiO2的含量为5wt%,Pt的负载量为1wt%的整体式催化剂在室温(5~35 ℃)、甲醛气体进口浓度为50~300 mg·m-3和体积空速为10000 h-1的条件下,甲醛去除率达98.4%以上。连续反应150 h之后催化剂仍可保持良好催化活性。
相似文献
66.
用含时薛定谔方程的多态展开(TDMA)方法求解含时薛定谔方程。该方法将含时波函数以基函数展开,通过求解展开系数的一阶微分方程组得到任意时刻的波函数。并将这一方法用于强激光场中谐振子的高次谐波的计算,以HCl分子为例,计算了在脉冲激光作用下高次谐波的产生和对应的激光强度、波长和脉冲宽度。 相似文献
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69.
Structure Characterization of HSQ Films for Low Dielectrics Using D5 as Sacrificial Porous Materials 下载免费PDF全文
Low-density materials, commercially available hydrogensilsesquioxane (HSQ) offer a low dielectric constant. HSQ films can be obtained by spin on deposition (SOD). In this work, low-dielectric-constant HSQ films are prepared by using D5 (decamethylcyclopentasiloxane) as sacrificiaJ porous materials. The dielectric constant of silica films significantly changes from 3.0 to 2.4. We report the structural aspects of the films in relation to their composition after annealed at 300℃, 400℃, and 500℃ for 1.5h in nitrogen ambient and annealed at 400℃ for 1.5h in vacuum. Si-OH appears after annealed at 400℃ for 1.5h in vacuum. The results indicate that the proper condition is in nitrogen ambient. Intensity of the Sill peak increases with the increasing temperature. Fourier transform infrared spectroscopy is used to identify the network structure and cage structure of Si-O-Si bonds and other possible bonds. Dielectric constant k is significantly lowered by annealing at 350℃ for 1.5h in nitrogen ambient. The I-V and C-V measurements are used to determine the dielectric constant, the electric resistivity and the breakdown electric field. 相似文献
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