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71.
熔石英亚表面划痕对入射激光的近场调制是导致光学元件低阈值损伤的主要因素之一. 用三维时域有限差分方法研究了连续横向划痕的近场分布, 对比了尖锐截面与光滑截面场调制的差异, 着重探讨了光场调制与划痕宽深比R的关系. 研究表明: 酸蚀后的光滑截面有助于减弱近场调制, 这类划痕的R>10.0时调制较弱且相互接近, R<5.0时调制显著增强. 当R取1---3时, 亚表面的调制达最大值, 最大电场幅值为入射波幅值的4.3倍. 当R取1.0---3.5时, 缺陷附近有80%以上取样点的最大电场幅值超过入射波幅值的2倍. 随着深度的增大, 强场区具有明显的"趋肤效应": 位于划痕正下方的强场区首先往左右两侧移动, 然后移向抛物口界面以及水平界面, 同时衍生出的多条增强线诱导整个亚表面层的光场增强.  相似文献   
72.
测定了丝瓜种子萌芽及子叶不同生长阶段的谷氨酰胺合成酶(GS)的活性及其同工酶的变化.除了发育上的变化外,光和外源氮对GS活性及其同工酶影响也是显著的.无论外源氮(N)是否存在,GS活性在种子萌芽和子叶生长初期是逐渐升高的,于第6天达到最大,其后活性逐步降低.在光照下,外源氮对GS1诱导作用大于GS2;在无氮下,光对GS2的刺激大于GS1;在暗处,外源氮对GS1和GS2两者都有诱导作用.  相似文献   
73.
提出采用三维实体退化虚拟层合梁单元计算梁极限承载力的方法。考虑结构的几何非线性和材料非线性,利用该单元编制了极限承载力计算程序,并将其应用于梁极限承载力的分析。计算实例表明,该单元收敛快,稳定性好,在单元数较少的情况下,具有较高的精度。由于能克服块体单元或梁段  相似文献   
74.
定义了一类存在性更为广泛的广义凸性,(C,α,ρ,d)-广义凸;获得了在非光滑情形下极大极小广义分式规划的最优性必要条件;利用(C,α,ρ,d)-广义凸性我们得到了极大极小广义分式规划的最优充分性条件。  相似文献   
75.
通过对历年高考数学试题的深入研究,发现高考数学试题主要来源于以下五个方面:即将课本中的例题与习题、历年的高考试题、历年的初、高中数学竞赛试题、高等数学试题进行加工、改造、演变成为高考试题,还有个别的创新试题.下面举个例子来说明高考数学试题来源于历年的高考试题.  相似文献   
76.
在“星光II”上首次利用X光12分幅相机(XFC)成功地观测到了1.053 μm激光以45°方向斜入射孔靶和半腔靶等离子体堵口的时间和二维空间图象,获得了等离子体堵口速度,同时通过一维模型给出了斜入射条件下的等离子体堵口速度。实验结果表明:相同参数条件下半腔靶与孔靶相比,等离子体喷射速度高约15%。一维模型给出的等离子体喷射速度与XFC测出的等离子体喷射速度在实验误差范围内是一致的。  相似文献   
77.
最新人教A版课标实验课本[1](以下记为书[1]P70例5是:"过抛物线焦点F的直线交抛物线于A,B两点,通过点A和抛物线顶点的直线交抛物线的准线于点D.求证:直线DB平行于抛物线的对称轴."如图1.笔者与此题打交道已有近30年的历史了!但是笔者认为:此题不仅风姿犹存,而且是活力四射"经典老题"!  相似文献   
78.
对天然紫皮石斛(Dendrobium devoninum Paxt.)根和茎中Cr、Cd、Pb、Hg、Cu 5种重金属元素的含量进行了测定,旨在为该资源的药(食)利用提供基础数据.利用干法灰化处理样品,采用原子吸收光谱法(AAS)分别测定紫皮石斛根和茎中Cr、Cd、Pb、Hg、Cu 5种重金属元素的含量.根中Cr、Hg和Cu 3种元素含量分别为122.8043士39.02、311.5152士24.28、0.2890士0.19mg·kg-1,相对标准偏差(RSD)在3.20%-14.07%之间;茎中Cr、Hg和Cu 3种元素的含量分别为139.3997士14.72、276.0101士45.61、0.2854士0.29mg·kg-1,相对标准偏差(RSD)在4.83%-10.99%之间;根和茎中均未检出Cd、Pb两种元素,可能与地球化学背景有关.与人工种植石斛中重金属元素含量相比,Cr、Hg两种元素含量相对较高,Cu元素含量较低.本法操作简便,重复性好,测定结果满意.  相似文献   
79.
未来几年, 在德国将会建成一个新的国际科学装置FAIR。FAIR 是一个综合性的粒子加速器系统, 它是反质子与离子研究装置(Facility for Antiproton and IonResearch)的简称。FAIR 建成后, 将能提供任意一种稳定或非稳定化学元素(从氢到铀)离子的高能量和高强度的束流, 且束流具有前所未有的高品质。FAIR 还将提供短寿命原子的次级束流和反质子束流。FAIR 涵盖了很广的与离子相关的科学目标, 建成后它将为全欧洲乃至全世界的科学家开展前沿研究提供优良条件。  相似文献   
80.
惯性约束聚变频率转换系统中,大口径薄型KDP晶体的面形质量是影响频率转换效率能否达到设计要求的关键因素之一。针对45放置状态下口径为400 mm400 mm的三倍频KDP晶体,采用ANSYS有限元分析软件,建立了不同夹持方式和具有不同加工误差的KDP晶体模型和夹具模型,分析了加工误差对不同夹持方式下KDP晶体附加面形的影响,给出了不同加工误差和不同夹持情况下,KDP晶体附加面形的P-V值和RMS值。研究结果表明,夹持方式和加工误差是引起KDP晶体附加面形变化的重要因素,正面压条夹持方式即使在晶体和夹具存在加工误差时也可以较好地控制晶体的附加面形。  相似文献   
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