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132.
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实验上研究了(La1-xSrx)2CuO4)高Tc单晶样品的c-轴正常态电阻同温度的关系以及Tc附近c-轴电阻作为磁场和磁场取向的函数,结果表明,(1)随着Sr含量的增加,c-轴正常态电阻从半导体行为变为金属行为,和(2)固有的各向异性随Sr含量的增加而逐渐变弱,这些意味着Sr掺杂在La基系统中有利于Cu-O面间耦合的改善。 相似文献
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通过静态失重法研究了十二烷基苯磺酸钠(SDBS)与六亚甲基四胺(HA)在盐酸溶液中对Q235钢的协同缓蚀效应, 并采用分子动力学模拟从缓蚀剂膜抑制腐蚀粒子扩散的角度对其缓蚀机理进行分析. 结果显示: SDBS和HA单独使用时, 最高缓蚀效率分别为82.82%和79.46%, 复配后最高缓蚀效率可达到92.78%; 与两种缓蚀剂单独使用时相比, SDBS与HA复配后缓蚀剂膜体系中的自由空间明显下降, 削弱了膜内缓蚀剂分子的自扩散能力, 腐蚀粒子在缓蚀剂膜携带下的被动迁移也随之减弱; SDBS与HA复配能更有效抑制腐蚀粒子在缓蚀剂膜中的扩散, 也就是说复配后的缓蚀剂具有更好的缓蚀性能. 相似文献
135.
采用非平衡分子动力学模拟方法,研究了纳米尺度下十六烷润滑薄膜的分层现象和速度滑移现象,重点考察了剪切速度对速度滑移现象的影响规律,并对其中的微观机理作出了解释.研究结果表明:在铁壁面的限制情况下润滑薄膜出现了分层现象,当润滑薄膜厚度超过50?时,其中间区域呈现出体相均质流体的特征.润滑薄膜层间滑移和界面滑移的临界剪切速度分别为5.5和7.5?/ps,随着剪切速度增加,界面滑移程度增强,而层间滑移程度减弱.润滑薄膜第1和2层十六烷分子层间桥接分子数目决定层间滑移程度,随着剪切速度增加,桥接分子数目也相应增多,层间滑移程度随之减弱. 相似文献
136.
分子水平上的激发态理论研究能够用来解释分子材料的多色发光机理. 采用单组态相互作用方法, 计算研究了四种二配位的Au(I)配合物Ph3PAuCl, Ph3PAuBr, Ph3AsAuCl和Ph3AsAuBr的分子结构限制的三重激发态(T1a)和分子结构松弛的三重激发态(T1b)的分子结构与光物理性质. 由于θ(PAuX)/θ(AsAuX)从180°扭曲到120°左右, T1b态的能量在单线态组态相互作用(CIS)水平上降低了0.805-1.124 eV, 在密度泛函理论(DFT)水平上降低了0.820-0.947 eV. 自然键轨道电荷布居数分析表明, 在T1a态中两个单电子主要分布在一个苯基上, 而在T1b态中两个单电子分布在PAuX/AsAuX 上. 因此, 在晶体中观察到的较高能磷光归属于T1a态的苯基之间的3π*→1π电子跃迁, 而较低能磷光主要起源于T1b态的Au 的3σ*→1σ电子跃迁. 相似文献
137.
Hilbert空间中Lipschitz伪压缩映像有限族公共不动点的杂交投影算法 总被引:1,自引:0,他引:1
给出了Hilbert空间中Lipschitz伪压缩映像有限族公共不动点的一个杂交投影算法,并利用所给出的杂交投影算法证明了一个强收敛定理. 相似文献
138.
采用有限元法计算了300 mm硅单晶生长过程中,热屏结构对炉体内温度分布、熔体中流场以及晶体内热应力的影响.计算所用的模型涵盖了晶体生长过程中的主要物理现象,包括结晶潜热的释放、结晶前沿的形变、熔体中热和质的传输以及氧的输运等.计算结果表明使用直壁式热屏时,晶体-熔体界面变得更加平坦同时结晶前沿处的热应力大幅度下降,减少了发生宏观位错的可能性,此外熔体中的氧含量显著降低. 相似文献
139.
就高中化学课程标准实验教科书中存在的语言表达、数字用法、表格规范等问题,结合国家的相关标准与文献,说明了原因,给出了规范的表达或建议。 相似文献
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