考虑量子效应的Zakharov方程组的孤波解

借助Maple程序，利用扩展的双曲函数法和双函数法求解了考虑量子效应的Zakharov方程组，得到了多种孤波解，其中包括亮孤波解、W型孤波解、M型孤波解和奇性孤波解. 关键词： 量子效应 Zakharov方程组 扩展的双曲函数法 孤波解     

反应气体驱动二级轻气炮发射特性实验及数值计算北大核心CSCD

通过实验确定了20/57mm构型反应气体驱动二级轻气炮的气体装填参数与弹丸动能的关系。实验结果表明,反应气体驱动二级轻气炮的弹丸动能与气体反应化学能之间基本满足二次函数关系,系统发射稳定性满足加载实验要求。发展了基于气体爆轰模型的计算方法,通过数值计算获得了反应气体驱动二级轻气炮的发射特性,弹丸速度的计算结果与实测结果吻合较好。     

相变与临界乳光现象

分别采用白炽聚光灯和氦氖激光器照射,观察六氟化硫在临界点附近的临界乳光现象.     

分数阶系统有限时间稳定性理论及分数阶超混沌Lorenz系统有限时间同步

研究了分数阶系统有限时间稳定性理论及分数阶混沌系统的同步问题.根据分数阶微分性质及分数阶系统稳定性理论,建立了分数阶系统有限时间稳定性理论并进行了证明.根据该理论设计控制器实现了分数阶超混沌Lorenz系统有限时间同步并运用数值仿真进行了验证. 关键词： 分数阶 超混沌Lorenz系统 稳定 有限时间同步     

基于自适应侧抑制网络的红外弱小目标检测

 为了提高远距离红外弱小目标的检测效率,提出了一种基于自适应侧抑制网络的复杂背景下的红外弱小目标检测方法。该方法建立了改进的侧抑制网络数学模型,利用各向异性滤波来自适应地确定侧抑制网络的抑制系数,不需要人为干预,实现了侧抑制网络与各向异性高斯滤波的有机结合。同时,在各向异性高斯滤波器两轴确定方面进行了改进,两轴分别采用对比度尺度模型和强度尺度传播模型来独立确定。通过与传统弱小目标检测方法的对比实验,验证了方法的有效性。     

竞争情形下服务商质量保证策略研究

质量保证策略是服务商获取竞争力的重要手段之一。本文在考虑服务商及其竞争对手的质量承诺水平和质量承诺补偿对其服务需求影响的基础上,构建了质量承诺水平、质量承诺补偿、质量承诺水平和质量承诺补偿三种竞争情形下的博弈模型,并系统分析了不同模型下的质量保证策略。研究发现:一旦有服务商提高质量承诺水平或质量承诺补偿,在质量承诺水平竞争模型下,其他服务商可适当地降低质量承诺水平,而在质量承诺补偿竞争模型下,其他服务商会同时提高质量承诺补偿。此外,在质量承诺水平和质量承诺补偿竞争模型下,若质量承诺水平的成本系数满足一定条件,各个服务商之间会存在纳什均衡。本文对服务市场竞争情形下服务商质量保证策略的制定具有一定的实践意义。     

基于GA__BP算法的超导储能装置直接功率控制策略

将遗传算法优化得到的权值赋予神经网络,以消除神经网络的局部最优性。再将这种算法应用到超导储能系统(Superconducting Magnetics Energy Storage,SMES)中,得到一种能够改善超导储能系统响应时间,提高超导储能装置稳定性的直接功率控制策略。仿真结果表明,本文提出的控制策略获得了较好的控制效果,适用于超导储能系统。     

Early effect modeling of silicon-on-insulator SiGe heterojunction bipolar transistors

Silicon germanium(SiGe) heterojunction bipolar transistor(HBT) on thin silicon-on-insulator(SOI) has recently been demonstrated and integrated into the latest SOI BiCMOS technology.The Early effect of the SOI SiGe HBT is analysed considering vertical and horizontal collector depletion,which is different from that of a bulk counterpart.A new compact formula of the Early voltage is presented and validated by an ISE TCAD simulation.The Early voltage shows a kink with the increase of the reverse base-collector bias.Large differences are observed between SOI devices and their bulk counterparts.The presented Early effect model can be employed for a fast evaluation of the Early voltage and is useful to the design,the simulation and the fabrication of high performance SOI SiGe devices and circuits.     

Dopant diffusion and surface morphology of vanadium implanted 4H-silicon carbide

The diffusion behaviours of vanadium implanted p- and n-type 4H-SiC are investigated by using the secondary ion mass spectrometry (SIMS). Significant redistribution, especially out-diffusion of vanadium towards the sample surface is not observed after 1650℃ annealing for both p- and n-type samples. Atomic force microscopy (AFM) is applied to the characterization of surface morphology, indicating the formation of continuous long furrows running in one direction across the wafer surface after 1650℃ annealing. The surface roughness results from the evaporation and re-deposition of Si species on the surface during annealing. The chemical compositions of sample surface are investigated using x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The results of C 1s and Si 2p core-level spectra are presented in detail to demonstrate the evaporation of Si from the wafer and the deposition of SiO₂ on the sample surface during annealing.     

在WBEPM理论下EuⅠ原子里德堡能级计算(英文)

依据最弱受约束电子势模型理论,计算了铕原子4f76snd6D9/2(n≥13)、4f76snd8D9/2(n≥17)、4f76snd8D5/2(n≥15)和4f76snd8D3/2(n≥21)里德堡系列能级.计算结果与实验值的最大相对误差为4×10-5,最大绝对误差是1.91cm-1,达到了较高精度,这表明文中的外推数据是可信的.