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1.
姜新民  曹学农 《分析化学》1993,21(11):1310-1312
本文用三元相图及坐标变换的单纯优化法安排实验,测定铜(Ⅱ)-邻菲Luo啉(Phen)-铬天菁S(CAS)三元络合物组成。通过两种方法,不同算什么所得结果一致,络合比为3:3:2。  相似文献   
2.
显凸函数的一些性质   总被引:1,自引:0,他引:1  
  相似文献   
3.
介绍了采用MATLAB V5.2提供的模糊逻辑工具箱来设计研究电孤纺电极调节系统中的模糊--PD控制器,讨论了在SIMULINK环境下模糊-PD控制器的参数自调速原理、结构、建立模糊控制规则库和模糊推论方法,并给出仿真结果与结论。  相似文献   
4.
人类在高速发展现代文明的同时,不可忽略许多灾难在逐步逼近我们,本文总结了人类可能面临的十种灾难,并对其发生的概率和应对的措施有较详细的论述。  相似文献   
5.
锥形光纤间耦合特性的分析与检测   总被引:2,自引:0,他引:2  
将通信光纤的末端拉制成锥形,利用光信号在光纤锥形区特有的传输和耦合特性,实现了光纤的耦合、连接和分束。用耦合模理论分析了锥形光纤间的传输和耦合性质,给出了光信号两锥形光纤间的耦合与两锥形光纤的距离和锥形区重叠长度等实验结果。  相似文献   
6.
二次阳极氧化方法制备有序多孔氧化铝膜   总被引:14,自引:0,他引:14  
通过二次阳极氧化方法制备多孔氧化铝膜与一次阳极氧化方法制备多孔氧化铝膜孔排布规律性的对比 ,结果发现 ,二次阳极氧化方法制取的多孔氧化铝膜孔排布规律性明显好于一次阳极氧化法制取的多孔膜 .在几个微米范围内 ,孔呈理想的六角排布 .去除一次阳极氧化膜后 ,二次阳极氧化得以在更良好的表面进行 ,制取的氧化铝膜孔规律性和有序度更高 .有序区域的尺寸与晶粒内的亚晶大小有一定关系  相似文献   
7.
Kirchhoff方程的相对常值特解及其Lyapunov稳定性   总被引:5,自引:0,他引:5       下载免费PDF全文
薛纭  陈立群  刘延柱 《物理学报》2004,53(12):4029-4036
对于超细长弹性杆静力学的Kirchhoff方程,用动力学的概念和方法研究其常值特解 和稳定性问题.计算了Kirchhoff方程相对固定坐标系、截面主轴坐标系以及中心线Frenet 坐标系的常值特解,进行了Kirchhoff动力学比拟,用一次近似理论分别讨论了它们的Lyapu nov稳定性,导出了若干稳定性判据,并在参数平面上绘出了稳定域. 关键词: 超细长弹性杆 Kirchhoff方程 常值特解 Lyapunov稳定性  相似文献   
8.
Sobolev空间H~s(R~n)上矩阵伸缩的多尺度分析特征刻画   总被引:1,自引:0,他引:1  
薛明志  李登峰  李锐  焦李成 《数学学报》2003,46(6):1063-107
本文对高维Sobolev空间Hs(Rn)上具有矩阵伸缩的多尺度分析特征进行了 刻划,特别给出了稠密性特征的一个充分必要条件,从而解决了文献[4]中提出的一个 问题.所得结果覆盖了这方面的已知结论.  相似文献   
9.
文章讨论无界区域上GBBM方程的Cauchy问题,对方程的解进行了先验估计,并证明了在H1弱拓扑中整体吸引子的存在性.  相似文献   
10.
Synthesis of GaN Nanorods by Ammoniating Ga2O3/ZnO Films   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
Large quantities of CaN nanorods are successfully synthesized on Si(111) substrates by ammoniating the films of Ga2O3/ZnO at 950℃ in a quartz tube. The structure, morphology and optical properties of the as-prepared CaN nanorods are studied by x-ray diffraction, scanning electron microscopy, high-resolution transmission electron microscopy, Fourier transform infrared spectroscopy, and photoluminescence. The results show that the CaN nanorods have a hexagonal wurtzite structure with lengths of several micrometres and diameters from 80 nm to 300hm, which could supply an attractive potential to harmonically incorporate future GaN optoelectronic devices into Si-based large-scale integrated circuits. The growth mechanism is also briefly discussed.  相似文献   
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