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研制了一个用于4mm 回旋管的超导磁体,其主磁场达到3T.与回旋管配合产生基波长脉冲,输出功率大于60KW,脉冲宽度10—20ms,工作频率70GHz.用于 HL-1托卡马克成功地进行了等离子体预电离实验. 相似文献
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采用溶胶-凝胶法制备了La_(1-x)Ca_xCrO_3(x=0~0.335)多晶样品,并研究其磁性.La_(1-x)Ca_xCrO_3的奈尔温度随掺钙量的增加而降低,在零场冷却模式下外加磁场为10Oe时,La_(1-x)Ca_xCrO_3样品的磁化率-温度曲线均出现负磁化现象,这是该体系中负磁化现象的首次报道.La_(0.665)Ca_(0.335)CrO_3在50K下的磁化率数值远高于其他样品,且其负磁化行为随着外场强度增大而被抑制,说明体系可能同时存在铁磁性相与抗磁性相,外加磁场较低时,铁磁信号被抑制,呈现出温度依赖的负磁化行为;外加磁场较高时,铁磁性信号与负磁性信号叠加,呈现出反铁磁转变特性. 相似文献
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Effects of Metal Absorber Thermal Conductivity on Clear Plastic Laser Transmission Welding 下载免费PDF全文
In our previous study, metals have been used as absorbers in the clear plastic laser transmission welding. The effects of metal thermal conductivity on the welding quality are investigated in the present work. Four metals with distinctly different thermal conductivities, i.e., titanium, nickel, molybdenum, and copper, are selected as light absorbers. The lap welding is conducted with an 808 nm diode laser and simulation experiments are also conducted. Nickel electroplating test is carried out to minimize the side-effects from different light absorptivities of different metals. The results show that the welding with an absorber of higher thermal conductivity can accommodate higher laser input power before smoking, which produces a wider and stronger welding seam.The positive role of the higher thermal conductivity can be attributed to the fact that a desirable thermal field distribution for the molecular diffusion and entanglement is produced from the case with a high thermal conductivity. 相似文献
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四川省物理学会实验专业委员会川东分会、重庆市物理学会实验专业委员会委托西南师范大学物理系主办川东地区实验物理教学交流会于1985年11月1日至2日正式举行。来自达县、万县、涪陵、南充、江津等地区及重庆市的高等、中等学校共42所,75名代表出席了会议。各院校代表交流了在改革实验教学培养学生能力、电子计算机在实验中的应用,实验室建设和管理等方面的经验。 相似文献
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88.
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随着半导体激光(LD)在技术上的不断成熟,其作为激光印字机、图象照排机、数字打样机、以及数字印刷机的扫描光源被广泛应用,开发研制近红外光谱区高感光度的有机光导体成为目前光导体研究的一个前沿。 相似文献
90.
本研究采用三硝基芴酮(TNF)高浓度掺杂的高分子树脂作为电荷传输层(CTL)、ε-CuPc的高分子分散体系作为电荷产生层(CGL)制作了电子传输型正充电有机光导体。TNF质量分数为10~50%的高分子树脂薄膜在80℃下干燥8h,再在常温下保存近半年仍然处于完全透明状态,表明该掺杂体系比较好地解决了通常TNF与高分子之间相容性差,难以实现高浓度掺杂的问题。实验结果表明这种光导体具有良好的表面电荷保持能力,在所考察的掺杂浓度范围内饱和电压一般都在+950V以上;通过调节CGL的高分子材料暗衰减速度可以控制在3.3V/s;光导体在整个可见光范围内表现出良好的感光度,特别在550、650和750nm处感光度出现峰值,在750nm处半衰曝光量为1.93μJ/cm2,在800nm处为2.8μJ/cm2。 相似文献