首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   73篇
  免费   25篇
  国内免费   28篇
化学   34篇
力学   2篇
综合类   1篇
数学   20篇
物理学   69篇
  2024年   1篇
  2023年   3篇
  2022年   2篇
  2020年   1篇
  2019年   1篇
  2018年   13篇
  2017年   3篇
  2016年   1篇
  2015年   2篇
  2014年   8篇
  2013年   9篇
  2012年   6篇
  2011年   12篇
  2010年   8篇
  2009年   7篇
  2008年   9篇
  2007年   1篇
  2006年   5篇
  2005年   6篇
  2004年   1篇
  2003年   5篇
  2002年   3篇
  1999年   2篇
  1998年   2篇
  1997年   1篇
  1996年   1篇
  1995年   2篇
  1992年   1篇
  1991年   3篇
  1990年   2篇
  1989年   1篇
  1988年   1篇
  1985年   1篇
  1981年   1篇
  1977年   1篇
排序方式: 共有126条查询结果,搜索用时 15 毫秒
51.
平面上的点-线选址问题   总被引:5,自引:1,他引:5  
本文研究两类平面选址问题:(1)求一直线到n个给定点的加权距离和为最小;(2)求一点到n条给定直线的加权距离和为最小,对这两个非线性最优化问题,欠给出迭代次数为多项式的算法。  相似文献   
52.
以铋、钆的硝酸盐等制备前驱溶胶体系,用CSD法在SrTiO3(100)基底上制备出c轴织构良好的可作为涂层导体缓冲层的GdBiO3(GBO)薄膜。首先利用差热分析的结果对GBO薄膜分解过程的吸、放热情况进行了研究,确定了较为适当的有机物分解工艺。在此基础上研究了不同外延成相热处理温度对GBO薄膜生长的影响,并对较高温度处理后样品产生裂纹的原因进行了初步分析。GBO薄膜的相组成和微结构利用XRD和SEM进行分析。研究结果表明,在Ar气氛中适宜于GBO薄膜生长的最佳温度在770℃度附近,在此条件下可以制备出表面平整致密的GBO薄膜。  相似文献   
53.
Wu-Yang Zhu 《中国物理 B》2022,31(6):60204-060204
The memristor is also a basic electronic component, just like resistors, capacitors and inductors. It is a nonlinear device with memory characteristics. In 2008, with HP's announcement of the discovery of the TiO2 memristor, the new memristor system, memory capacitor (memcapacitor) and memory inductor (meminductor) were derived. Fractional-order calculus has the characteristics of non-locality, weak singularity and long term memory which traditional integer-order calculus does not have, and can accurately portray or model real-world problems better than the classic integer-order calculus. In recent years, researchers have extended the modeling method of memristor by fractional calculus, and proposed the fractional-order memristor, but its concept is not unified. This paper reviews the existing memristive elements, including integer-order memristor systems and fractional-order memristor systems. We analyze their similarities and differences, give the derivation process, circuit schematic diagrams, and an outlook on the development direction of fractional-order memristive elements.  相似文献   
54.
平面上的min-max型点-线选址问题   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文研究两类平面选址问题:(1)求一直线到n个给定点的最大加权距离为最小;(2)求一点到n条给定直线的最大加权距离为最小.对这两个非线性优化问题,我们给出最优解的刻划及迭代次数为多项式的算法.  相似文献   
55.
基于NXP嵌入式控制芯片的智能车,提出用于追寻信标的自主导航策略.采用基于连通域图像的扫描算法,对摄像头图像进行扫描与滤波,从而得出正确的发光信标位置;采用基于映射关系的畸形矫正算法,通过映射公式对发光信标的图像进行畸变矫正;采用线阵CCD摄像头与接近开关相结合的方法作为避障策略.经实验测试与竞赛检验,该导航策略具有较高的行驶效率以及较低的误判率.  相似文献   
56.
本文建立了一个利用金刚石对顶砧超高压装置测量金属高压电阻变化率的实验方法,并用这种方法研究了锰铜的高压电阻变化率,压力达18.5GPa。实验表明:在低于13GPa的压力范围内,锰铜电阻随压力的变化呈一线性关系,在13—18.5GPa的压力范围内则是另一线性关系。在13GPa附近,出现一个线性关系的“转折点”。在“转折点”以下我们测得的压阻系数为0.024GPa-1与Barsis和Kume以及苏昉等人最新给出的结果都符合得很好。在“转折点”以上,需用新的线性关系来描述,对应的压阻系数为0.020GPa-1。  相似文献   
57.
实验室含银废液的回收利用   总被引:3,自引:0,他引:3  
丁德钦 《大学化学》1991,6(2):48-48
过去学生在进行摩尔法沉淀滴定实验后,产生的大量AgCl废液,倒入下水道,不仅是很大的浪费,同时也污染了水源。银是国家稀有贵金属之一。硝酸银又是一种紧缺、受控制的化学试剂。如能将上述含银废液回收利用,可为国家节约一笔资金。  相似文献   
58.
The β- decaying γ scheme of the neutron-rich nuclide 208Hg has been determined for the first time.The 208 Hg was produced in multi-nucleon transfer reaction taking place in the bombardment of 18O-beam on natural lead target,and the Hg-element products were sepaated with a gas-thermochromatography technique.The γ-ray single and γ-γ coincident spectra were measured.A partial 208 Hg γ scheme was proposed.Twenty-six γ rays were assigned to follow the β- decay of 208Hg.At the same time,a new level structure of the daughter nucleus 208 T1 was constructed,in which three new levels at 1.725MeV.1.652MeV,and 1.362MeV were affirmed.The experimental 208Tl level structure was compared with a shell-model calculation.  相似文献   
59.
物理科学二处主要资助基础物理、粒子物理、核物理、核技术与应用、加速器物理与探测器技术、等离子体物理、同步辐射方法与技术等领域的研究工作.现将2008年物理科学二处基金项目受理、评审情况作一简要综述,使广大科研人员及科研管理部门对资助领域和项目管理的总体状况有所了解,并希望能为2009年度申报科学基金项目的专家提供参考.  相似文献   
60.
通过无氟高分子辅助金属有机物沉积法(PA-MOD)制备了YBCO超导薄膜,研究了785~845℃的不同短时高温热处理对YBCO薄膜双轴织构、表面形貌及超导性能的影响.X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)的结果表明,经800℃短时高温处理的YBCO薄膜具有良好的双轴织构和平整致密的表面形貌.物性测量(Quantum-DesignSQUID)的结果表明,该薄膜超导转变温度达到90K,77K自场下的临界电流密度(Jc)为2MA/cm2.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号