平面上的点-线选址问题

本文研究两类平面选址问题：（1）求一直线到n个给定点的加权距离和为最小；（2）求一点到n条给定直线的加权距离和为最小，对这两个非线性最优化问题，欠给出迭代次数为多项式的算法。     

2011年度物理科学二处科学基金项目评审工作综述

物理科学二处主要资助基础物理、粒子物理、核物理、核技术与应用、加速器物理与探测器技术、等离子体物理、同步辐射方法与技术等领域的研究工作，同时负责受理《国家自然科学基金委员会一中国工程物理研究院联合基金》（简称《NSAF联合基金》）、《大科学装置科学研究联合基金》、先进核裂变能的燃料增殖与嬗变重大研究计划、     

环形腔被动锁模掺饵光纤激光器

通过在非线性偏振旋转环形腔内引入一种可旋转的在线起偏器,在保证装置的全光纤化结构的前提下,简化了被动锁模光纤激光器的结构.通过联合调节可旋转的在线起偏器、1/2波片和1/4波片的角度实现了掺饵光纤锁模脉冲20 nm间隔的双波长调谐输出,调谐过程中观察到了锁模脉冲双波长状态.另外,从装置中去掉1/2波片后,仅调谐可旋转的在线起偏器和1/4波片也能够实现锁模脉冲的单波长稳定输出.     

平面上的min-max型点-线选址问题

本文研究两类平面选址问题：(1)求一直线到n个给定点的最大加权距离为最小；(2)求一点到n条给定直线的最大加权距离为最小．对这两个非线性优化问题，我们给出最优解的刻划及迭代次数为多项式的算法．     

影响中学生数学成绩因素的通径分析

用绵阳市 6 0 0名初中学生构成样本 ,采用J¨oreskog提出的线性结构方程式模型理论 ,以及J¨oreskog和S¨orbom开发的软件系统LIREL8.3对调查的资料进行分析。结果表明 :用 2 0个显在变量和 10个隐在变量研究影响中学生数学成绩的因素 ,最后有 13个显在变量入选构成外生模型 ,有 7个隐在变量变量入选构成内生模型。Homeback、Attitud、Views、EQ、IQ和Class这 6个内生的隐在变量对中学生的数学成绩均存在不同程度的影响 ,其中以Attitud、Homeback、IQ和EQ对数学成绩的贡献最大。内生模型中 6个内生的隐在变量的R2 的平均值为 0 .2 0 ,该模型中数学成绩(Mathachi)这一变量中可预测的方差占到了 4 1% (R2 =0 .4 1) ,将这两者结合起来考虑 ,所建立的模型应当是比较有说服力的。     

U-Ti二元合金热力学性质

铀( Uranium)元素具有独特的5f电子结构(5f36d7s2),从熔点到室温有三种同素异晶体.由于铀的高原子序数和高密度特性,使其在核反应堆和核武器部件方面有重要用途.但是,由于铀原子核外的价电子较多,加上f电子的游移性较强,容易发生氧化,且随着温度升高而迅速降低强度.合金化是提高铀的工程性能的有效方法[1].     

光敏聚合物薄膜光化学性能及其诱导液晶分子取向性能的研究

本文采用动态紫外光谱法测试了含有香豆素光敏基团的聚合物薄膜的光化学性能,考察了不同曝光温度和曝光能量条件下的光敏聚合物的光化学性能,以及不同热处理条件下聚合物薄膜诱导液晶分子取向性能。研究结果表明:在曝光温度为130℃时,聚合物薄膜在最小曝光量下发生光化学反应后产生的光学各向异性ΔA达到最大,并且对应光反应程度DP在45%左右;当曝光能量为320mJ/cm~2和384mJ/cm~2、对应热处理温度为160℃时,聚合物薄膜诱导液晶分子取向所产生的各向异性ΔA和有序度参数S达到最大,分别为0.22和0.048。     

开环聚合-固相缩聚法制备立体嵌段聚乳酸

首先,采用乳酸为引发剂,辛酸亚锡为催化剂,引发丙交酯开环聚合制得具有缩聚活性的L-聚乳酸和D-聚乳酸;然后,将两者熔融共混后进行固相缩聚,合成了一系列立体嵌段聚乳酸。采用核磁共振(NMR)、凝胶渗透色谱(GPC)及差示扫描量热仪(DSC)分析了产物的链结构、重均分子量、热性能,并探讨了均相晶体和立体复合晶体共存情况下的固相缩聚机理。结果表明,固相缩聚产物分子量增长的适宜反应条件为:反应时间30h,较低的催化剂含量,L-聚乳酸质量分数为80%。L-聚乳酸和D-聚乳酸共混物较低的初始立体复合晶体结晶度有利于后续固相缩聚过程中产物分子量的增长;固相缩聚不仅发生在异链之间,而且也发生在同链之间。     

化学溶液沉积法制备涂层导体SmBiO3（SBO）缓冲层的研究

通过740-820℃之间进行低温成相,分别在氩气和空气中LaAlO3（LAO）单晶基底上沉积得到了有较大应用前景的涂层导体SmBiO3（SBO）缓冲层.740-800℃所得的缓冲层c轴取向良好,致密、平整、无裂纹.当温度达到820℃时,SBO表面开始出现裂缝.SBO薄膜的相组成和微结构利用XRD和SEM进行分析.研究结...     

A mathematical analysis: From memristor to fracmemristor

The memristor is also a basic electronic component, just like resistors, capacitors and inductors. It is a nonlinear device with memory characteristics. In 2008, with HP's announcement of the discovery of the TiO₂ memristor, the new memristor system, memory capacitor (memcapacitor) and memory inductor (meminductor) were derived. Fractional-order calculus has the characteristics of non-locality, weak singularity and long term memory which traditional integer-order calculus does not have, and can accurately portray or model real-world problems better than the classic integer-order calculus. In recent years, researchers have extended the modeling method of memristor by fractional calculus, and proposed the fractional-order memristor, but its concept is not unified. This paper reviews the existing memristive elements, including integer-order memristor systems and fractional-order memristor systems. We analyze their similarities and differences, give the derivation process, circuit schematic diagrams, and an outlook on the development direction of fractional-order memristive elements.