什麼是曲線(续完)

集合S和S′之間的對應用以下的方式來建立。命x_0為集合S的某一點,這點屬於某個一級矩形;又属於某個二级矩形,(這二級矩形包在前面的一級矩形之內);又屬於某個三級矩形,(這三級矩形父包在前面的二級矩形之內),如此這般等樣,叫這些矩形中每個矩形與謝爾平斯基鋪蓋構造中的正方形相對應,這些正方形與我們所考慮的矩形同級,而且它在謝爾平斯基鋪蓋S′的基本正方形Q′_0中所處的位置與該矩形在Q_0中所處的位置一樣。於是我們便得一系列正方形,其中每個後面的正方形都包地前面的正方形內,而且這些正方形的邊長將隨共級數之增加而趨於零,因此所有這些正方形     

燃料不完全燃烧的实验

初中化学第八章Ⅱ第六节燃料的完全燃燒,这一节沒有列出实驗,我在教学中曾利用煤油灯来做实驗,效果尚好,现將实驗做法介紹於下:拿一盞煤油灯,使火焰达到最大亮度,但沒有煙冒出,再用一張長約20厘米,寬     

Hg1-xCdxTe的共振拉曼散射

当入射光的光子能量接近Hg_1-xCd_xTe的E₀+Δ₀时,发现了Hg_1-xCd_xTe的共振拉曼散射,观察到了“禁戒”共振增强拉曼散射,同时也观察到了二级共振拉曼散射.分析了非共振条件下能在样品的(100)面观察到微弱的“禁戒”TO₂模以及在共振条件下“禁戒”TO₂模大大增强的原因.通过分析,发现由双LO声子引起的二级共振拉曼散射主要     

相位调制量子密钥分配实验系统研制

中国科学技术大学量子信息重点实验室建立了一套量子密钥分配实验装置.该系统用强衰减850nm脉冲激光器作为单光子光源;编码方式以不等臂M-Z干涉仪为基础的相位调制法;相位调制基于自制的压电陶瓷环控制的全光纤相调制器;探测器采用EG&G公司生产的SPCM-AQR集成单光子计数模块,其最大暗计数小于50/S.     

气流混合对生长GaN∶Si膜性能影响的研究

用金属有机化学气相沉积技术在三种不同型号的反应管中生长了GaN∶Si膜。通过对样品的光电及结晶性能的分析 ,研究了气流混合时间不同对GaN∶Si膜性质的影响。结果表明 :合理的Ⅲ、Ⅴ族气流混合对提高GaN∶Si膜的光电及结晶性能很重要。Ⅲ、Ⅴ族气流混合太早 ,气流混合时间长 ,GaN∶Si膜的黄带与带边发射强度之比较大 ,X射线双晶衍射半高宽较宽 ;Ⅲ、Ⅴ族气流混合太晚 ,尽管可减少预反应 ,但气流混合不均匀 ,致使GaN∶Si膜的发光性能及结晶性能变差。使用Ⅲ、Ⅴ族气流混合适中的反应管B生长 ,获得了光电及结晶性能良好的GaN∶Si单晶膜。     

低码率语音编码中过渡帧对合成语音的影响*

过渡段对语音清晰度、可懂度和人耳听觉感知都起到不可忽视的作用。参数语音编码中,包含有过渡段的语音帧能否得到恰当处理,是决定其合成语音是否清晰可懂的关键。本文以混合激励线性预测编码为参考,将其中的语音帧划分为静音、清音、浊音、过渡四大类后分别处理,在以往低码率语音编码(1 kbps)工作基础上,比较了八种过渡帧划分方法对合成语音PESQ MOS的影响。经分析后发现:不同的过渡帧对PESQ MOS的贡献也不同。由清、静音向浊音变化的过渡帧的贡献最大;介于浊辅音与元音之间的过渡帧的贡献也不应被忽略。     

木质素及其衍生物负载金属催化剂在有机合成中的应用研究进展

碳中和发展理念的提出使得生物质基催化剂的关注度不断提高,将木质素作为过渡金属催化剂的载体来制备非均相催化剂应用于有机合成领域,可以极大地提高木质素的利用价值.木质素结构中广泛存在的含氧官能团为金属催化剂的负载提供了多种结合位点,通过物理吸附/沉积、离子交换以及与羟基官能团通过静电络合可以有效地捕获金属粒子.首先介绍了木质素的结构,然后介绍了制备非均相催化剂的方法,重点介绍了木质素及其衍生物负载金属催化剂催化点击反应、Glaser反应、Huisgen [3+2]环加成反应、Heck反应、Suzuki反应、Sonogashira反应、Stille偶联反应、迈克尔加成/脱水串联反应、亲电开环反应、Fridel-Crafts型反应及乙烯聚合反应等,并对存在的问题和发展趋势进行了展望.     

刻蚀AlN缓冲层对硅衬底N极性n-GaN表面粗化的影响

研究了等离子体刻蚀AlN缓冲层对硅衬底N极性n-GaN表面粗化行为的影响. 实验结果表明, 表面AlN缓冲层的状态对N极性n-GaN的粗化行为影响很大, 采用等离子体刻蚀去除一部分表面AlN缓冲层即可以有效提高N极性n-GaN在KOH溶液中的粗化效果, AlN缓冲层未经任何刻蚀处理的样品粗化速度过慢, 被刻蚀完全去除AlN缓冲层的样品容易出现粗化过头的现象. 经X射线光电子能谱分析可知, 等离子体刻蚀能够提高样品表面AlN缓冲层Al 2p的电子结合能, 使得样品表面费米能级向导带底靠近, 原子含量测试表明样品表面产生了大量的N空位, N空位提供电子, 使得材料表面费米能级升高, 这降低了KOH溶液和样品表面之间的肖特基势垒, 从而有利于表面粗化的进行. 通过等离子体刻蚀掉表面部分AlN缓冲层, 改善了N极性n-GaN在KOH溶液中的粗化效果, 明显提升了对应发光二级管器件的出光功率.     

基础与能力并重稳定与创新兼顾——从2011年浙江省高考圆锥曲线试题浅谈高三复习教学

2011年是浙江省新课改高考方案实施的第三年,今年的高考数学试题严格遵循《2011年浙江省普通高考考试说明》(以下简称《考试说明》),起点低、角度宽、视点高,试题既重视考查数学基础知识和基本技能,又能够考查考生继续学习所必须的数学素养和潜能.试卷中有关圆锥曲线的三道试题具有很强的代表性.     

Markov相依风险模型的等价定理及概率结构

严格定义了Markov相依风险模型.证明了该模型的一个等价定理,使得Markov相依风险模型中的诸过程之间的关系更清晰.获得了Markov相依风险模型的概率结构,构造性地证明了该模型的存在定理.