演示"电子秤的简明原理"的教具制作

采用了学生熟悉的器材和常见的材料制作了与电子秤组成相同且原理一致的教具,该装置的力电转换部分采用了分压电路,可较好地演示电子秤的工作原理.     

血红素/G-四链体DNA酶的活性增强研究及其在生物传感器中的应用进展

血红素/G-四链体DNA酶是一类具有类过氧化物酶活性的DNA分子,因其具有出色的活性、易修饰性和可编程性,被广泛应用于生物传感器等领域。 本文先是简要介绍了G-四链体的结构,再主要综述了增强血红素/G-四链体DNA酶活性的策略及基于血红素/G-四链体DNA酶的生物传感器在生物标志物、微生物与生物毒素以及金属离子检测中的应用,并展望了血红素/G-四链体DNA酶的未来发展趋势。     

随机条件下大规模突发事件救援中的伤员转运问题

研究大规模突发事件发生后将大批量伤员从灾区运往外地的随机优化问题.首先建立伤员转运的随机多点运输模型,该模型以缩短整个转运时间为目标;由于突发事件导致的运输情况变得不确定,表现为任意两地间的运行时间是随机的,所以该模型是随机模型.然后,在算例中分别采用lingo程序和贪婪算法求解,通过比较可以发现,在大量伤员需要到外地治疗而运输工具相对有限时,用提出的模型和采用的lingo程序比用贪婪算法求解更有效地缩短转运时间,在应急管理中具有很好的应用价值.     

基于圆台结构的超宽带极化不敏感太赫兹吸收器

本文提出一种基于圆台形吸收单元的超宽带、极化不敏感的超材料太赫兹吸收器. 该超材料吸收器采用金属薄膜金和介质层二氧化硅交替叠加的多层结构. 采用商业软件CST Studio Suite 2009时域求解器计算了其在0–10 THz波段内的吸收率A（ω）,在2–10 THz之间实现了对入射太赫兹波的超宽频带强吸收. 仿真结果表明,由于其圆台形单元结构,在器件垂直方向上形成一系列不同尺寸的微型吸收器,产生了吸收频点相连的多频吸收峰. 利用不同吸收峰的耦合叠加效应,获得超过8 THz的超宽带太赫兹波吸收,吸收强度达到92.3%以上. 这一结构具有超宽带强吸收,360°极化不敏感以及易于加工等优越特性,因而在太赫兹波探测器、光谱成像以及隐身技术方面具有潜在的应用. 关键词： 太赫兹波 超材料吸收器 圆台结构 超宽带     

含分液小孔气液分离器冷态实验研究

本文以水和空气的混合物为工质模拟两相流,对含分液小孔气液分离器进行变空气流量、入口干度的冷态实验.通过分析各参数对气液分离器漏液速率和气液分离效率的影响来获得一定分液小孔的气液分离器的较佳运行工况.结果表明空气流量大于0.32 m~3/h、入口干度小于0.25的工况下,漏液速率大于0.18 g/s,分离效率在90%以上。     

单步电沉积法制备CuInS2薄膜

采用单步电沉积法在Mo基底上制备了高质量的CuInS2薄膜. 用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征了样品的结构和形貌, 研究了沉积电位、退火温度、pH值、反应物浓度等工艺条件对制备的CuInS2薄膜形貌、组分及性能的影响. 制备的CuInS2薄膜致密平整, 呈黄铜矿结构, 晶粒大小为1-2 μm. 用紫外-可见光分光光度计测试了其光学性能, 计算得到常温下禁带宽度为1.41 eV, 非常适合用作薄膜太阳电池的吸收层材料.     

类黄酮抑制P糖蛋白的三维定量构效关系与作用模式

采用基于R基团搜索技术的Topomer CoMFA建立了30个类黄酮类P糖蛋白抑制剂的三维定量构效关系(3D-QSAR)模型, 并用包括9个样本的测试集验证模型的外部预测能力. 所得模型的拟合、 交互验证以及外部验证的复相关系数分别为r²=0.971, q²=0.728和\begin{array}{c}{r}_{\mathit{pred}}^2\end{array}=0.816. 在此基础上, 运用Surflex-dock分子对接法研究了白杨素及其异戊烯化衍生物与P糖蛋白的作用模式. 结果表明, 异戊烯化修饰可显著提高类黄酮的亲脂性, 修饰产物能更好地与P糖蛋白的疏水性口袋契合, 二者结合程度高.     

高端科普——化学类研究生必需的五谷杂粮

借助早期“兰学”的发展及其对社会的影响,引出并分析了化学类研究生在深入研讨本学科的同时,及时学习和了解其他专业的前沿科研信息、进行高端科普研究的必要性。结合高校教学实际,对高端科普的实现途径提出了若干建议。     

关于Frobenius-Euler多项式的高阶卷积公式

研究了Frobenius-Euler多项式,运用生成函数思想和组合技巧建立了该多项式的一个高阶卷积公式,使得Dilcher的经典结果被作为特殊情况获得.     

V形坑尺寸对硅衬底InGaN/AlGaN近紫外LED光电性能的影响

使用MOCVD在图形化Si衬底上生长了InGaN/AlGaN近紫外LED,通过改变低温GaN插入层的厚度调控V形坑尺寸,系统地研究了V形坑尺寸对InGaN/AlGaN近紫外LED(395 nm)光电性能的影响。结果表明,低温GaN插入层促进了V形坑的形成,并且V形坑尺寸随着插入层厚度的增加而增大。在电学性能方面,随着V形坑尺寸的增大,-5 V下的漏电流从5.2×10~(-4)μA增加至6.5×10~2μA;350 mA下正向电压先从3.55 V降至3.44 V,然后升高至3.60 V。在光学性能方面,随着V形坑尺寸的增大,35 A/cm~2下的归一化外量子效率先从0.07提高至最大值1,然后衰退至0.53。对V形坑尺寸影响InGaN/AlGaN近紫外LED光电性能的物理机理进行了分析,结果表明:InGaN/AlGaN近紫外LED的光电性能与V形坑尺寸密切相关,最佳的V形坑尺寸为120~190 nm,尺寸太大或者太小都会降低器件性能。