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21.
中国人CD59cDNA克隆、序列分析及其表达   总被引:1,自引:0,他引:1  
用RT-PCR方法从中国人胚胎总mRNA中扩增出420bp人补体终末阶段同源限制因子(CD59)的cDNA,序列分析结果表明,所获得的CD59cDNA与文献报道中的基因序列完全一致,含CD59全长编码区.构建了真核表达质粒,在3T3细胞中得到了表达.  相似文献   
22.
本文根据激光衍射谱谱面光强度随塑性损伤的变化规律,用30CrMnSiA材料进行了实测,给出了应变与损伤变量D(K)的关系曲线,并对加载和卸载条件下的D(K) ̄ε曲线进行了比较,结果再次表明,用衍射光强比来定义损伤变量是可行的,该方法检测方便,计算简单、具有较高的精度,可望成为塑性损伤检测的一种有效方法,30CrMnSiA材料沿垂直于轧制方向拉伸的力学性能及损伤状态优于平行轧制方向,且用空穴面积百分  相似文献   
23.
以(1iR,1iiR,2iR,2iiR)-Ni, Nii-(1,3-亚苯基双(亚甲基))环己烷-1,2-二胺(HL)作为配体,设计并合成了7种双核铂配合物,并利用IR,1H NMR,13C NMR,ESI-MS和元素分析等进行了表征。通过MTT法测定目标双核铂配合物对人类HepG-2,A549,HCT-116和MCF-7四种癌细胞系的细胞毒性。结果表明,所有的化合物对HepG-2,A549和HCT-116细胞系均表现了良好的细胞毒活性,但对MCF-7细胞系均无活性。其中,以3-羟基环丁烷-1,1-二羧酸为离去基团的配合物P7对HepG-2和A549细胞系的活性优于卡铂,对HCT-116细胞系的活性接近于奥沙利铂。  相似文献   
24.
以氯化钨和氧化石墨烯(GO)为原料,乙醇为溶剂,一步合成了WO3纳米棒/石墨烯纳米复合材料(WO3/RGO). 将WO3/RGO纳米复合材料用于锂离子电池负极,并通过充放电测试、循环伏安(CV)和电化学阻抗谱(EIS)技术综合考察了该材料的储锂性能. 结果显示,在0.1C (1C=638 mA·g-1)倍率下,复合物的首次放电比容量达到761.4 mAh·g-1,100次循环后可逆容量仍保持在635 mAh·g-1,保持率为83.4%. 即使在5C倍率下容量仍高达460 mAh·g-1. 由此说明,WO3/RGO纳米复合物具有优异的循环稳定性及倍率性能,可望用于高性能锂离子电池.  相似文献   
25.
本文合成了9种含有由天然D(+)-樟脑衍生的1R,3S-1,2,2-三甲基-1,3-环戊二胺(A)为配体的铂(Ⅱ)配合物[Pt(Ⅱ)AX]{其中,X=(CH2)3C(COO-)2(1,1-环丁烷二羧酸根),2CH3OCH2COO-,2CH3CH2OCH2COO-,2CH3(CH2)3OCH2COO-,[OCH(CH3)COO]2-(乳酸根),(OCH2COO)2-(乙醇酸根),2CH3OCH2CH2OCH2OO-,2CH3CH2OCH2CH2OCH2COO-和2CH3(CH2)3OCH2CH2OCH2COO-).通过元素分析、热重分析、红外光谱、1H核磁共振谱和电喷雾质谱等对配合物进行了表征.体外生物活性测试表明,部分配合物对A549人肺癌细胞和HCT-116人结肠癌细胞具有较强的抗肿瘤活性.  相似文献   
26.
通过2,2',6,6’-联苯四酸与相应金属硝酸盐和第二配体的水热反应合成了2个具有不同结构的配位聚合物[Co(bta)0.5(2,2’-bipy)(H2O)]n(1)和{[Cd2,(bta)(H2biim)2(H2O)]·H2O}n(2)(H4bta=2,2’,6,6’-联苯四酸,2,2'-bipy=2,2’-联吡啶,H2biim=1H,1’H-2,2’-联咪唑),并测定了其晶体结构.1和2都是一维链结构,并且1和2都属于单斜晶系,P21/c空间群.bta配体在1和2中分别采取η6,μ4六齿和η5,μ4-五齿配位模式,同时bta配体中2个苯环的夹角在化合物1和2中分别是64.80°和64.86°.1与2分别在170℃和120℃以下保持热稳定性.  相似文献   
27.
28.
根据氟膦酸酯类化合物与一些α-酮肟试剂反应产生氰离子的化学反应和硫化银电极间接测定氰离子的电化学法,实现了用硫化银电极对氟膦酸酯类化合物的微量测定,并取得了较为满意的结果。经对六种α-酮肟的比较研究,从试剂来源和反应速度考虑,以苯胺乙酰醛肟较好。苯  相似文献   
29.
研究一类种群有迁移的流行病模型,得到了这类模型的基本再生数R0,证明了R0<1无病平衡点是局部渐近稳定的,而当R0>1时无病平衡点是不稳定的.进一步讨论了疾病持续存在与无病平衡点和地方病平衡点全局稳定的条件.  相似文献   
30.
蓝澜  苟鸿雁  丁士进  张卫 《中国物理 B》2013,22(11):117308-117308
Pd-Al2O3-Si capacitors with Ru nanocrystals are fabricated and electrically characterized for nonvolatile memory application.While keeping the entire insulator Al2O3thickness fixed,the memory window has a strong dependence on the tunneling layer thickness under low operating voltages,whereas it has weak dependence under high operating voltages.As for the optimal configuration comprised of 6-nm tunneling layer and 22-nm blocking layer,the resulting memory window increases from 1.5 V to 5.3 V with bias pulse increasing from 10 5s to 10 2s under±7 V.A ten-year memory window as large as 5.2 V is extrapolated at room temperature after±8 V/1 ms programming/erasing pulses.  相似文献   
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