出口退税自查“办法”

2010年8月30日,国家税务总局以2010年第11号公告发布了《出口货物税收函调管理办法》（以下简称＂办法＂）,对出口退税管理中的税收函调措施进行了调整,以加强对出口骗税的防范力度。该办法自2010年9月1日开始执行。     

Rational Design of Two-Dimensional Magnetic Chromium Borides Based on First-Principles Calculation

Two-dimensional(2D) magnetic materials have been experimentally recognized recently,however,the Curie temperatures(TC) of known 2D systems are quite low.Generally,magnetic systems can be seen as constituent magnetic elements providing spins and the non-magnetic elements providing frameworks to host the magnetic elements.Short bond lengths between the magnetic and non-magnetic elements would be beneficial for strong magnetic interactions and thus high TC.Based on this,we propose to combine the magnetic element Cr and the non-magnetic element boron to design novel 2D magnetic systems.Using our self-developed software package IM2 ODE,we design a series of chromium-boride based 2D magnetic materials.Nine stable magnetic systems are identified.Among them,we find that CrB4-Ⅰ,CrB4-Ⅱ and CrBs-Ⅰ with common structural units [CrB8] are ferromagnetic metals with estimated TC of 270 K,120 K and 110 K,respectively.On the other hand,five CrB3 phases with structural units [Cr2B12] are antiferromagnetic metals.Additionally,we also find one antiferromagnetic semiconductor CrB2-Ⅰ.Our work may open new directions for identifying 2D magnetic systems with high TC.     

5(6)-羧基荧光素标记2′-脱氧尿苷的合成

以5-碘-2'-脱氧尿嘧啶为起始原料, 5(6)-羧基荧光素为荧光标记物, 经6步反应合成了5(6)-羧基荧光素标记的2′-脱氧尿苷, 并利用高效液相色谱(HPLC), ¹H NMR和¹³C NMR对目标化合物的纯度和结构进行了表征.     

基于可控相转变温度热敏高分子的人IgG酶联荧光免疫分析

以温度敏感高分子聚N－异丙基丙烯酰胺－丙烯酰胺[P(NIP-AA)]作为载体,建立了酶联荧光免疫分析人IgG的新方法。AA摩尔含量为8％的高分子P(NIP-AA)其临界溶解温度为37 °C。竞争型免疫测定中,被固定的IgG和标准溶液（或样品）在33 °C均相条件下竞争性地与辣根过氧化物酶标记抗体反应,升高温度分离出高分子免疫复合物,沉淀重新溶解后通过偶联过氧化氢与对羟基苯乙酸的荧光反应进行定量,线性范围为100-1000 ng/mL,检测限为2.0 ng/mL。方法灵敏、快速操作简便,且提高了免疫反应效率。此外,灵敏度与用传统微孔板做载体相似,但测定时间更快（从100-120分钟减少到30分钟）。该法用于测定人血清中IgG的含量,结果满意。     

斜入射激光支持燃烧波时纵波声场的指向性

利用理论推导及实验验证的方法研究了激光倾斜入射支持燃烧波时纵波声场的指向性。根据激光超声的产生机理, 在喷溅物质垂直作用于工件表面的前提条件下, 推导了椭圆形声源作用时远场质点的法向位移。获得了纵波声场的指向性函数, 分析了影响纵波声场指向性的因素, 并进行了实验验证。利用功率密度低于爆轰波点燃阈值的激光烧蚀工件, 使用峰值频率为5 MHz压电探头接收纵波, 进而获得纵波声场的指向性实验数据, 结果表明, 实验数据与理论数据能够较好地进行吻合。在光斑短轴长度恒定时, 与激光垂直入射相比, 各倾斜入射角度下纵波声场的声束轴线指向均保持不变, 并且指向性图形随倾斜角度的增加而变得细窄, 纵波声场的能量也更加集中。     

配电房轨道式自动巡检机器人控制系统设计与实现

针对配电房等室内电力系统供电设备自动巡检的需求,提出了以微控制器MSP430F5438为核心的自动巡检机器人控制系统总体设计方案。采用模块化方法完成了控制系统硬件电路设计,主要包括：主控模块、电源模块、运动控制模块、通信模块和数据采集模块。介绍了控制系统软件的总体流程,完成了控制系统嵌入式软件及其上位机监控软件的设计。实验结果表明,所设计的控制系统应用于巡检机器人可以实现对配电房供电设备的自动巡检,从而验证了控制系统的有效性与合理性,具有显著的推广应用价值。     

25MeV/u 40Ar+209Bi裂变反应的断点激发能和裂变时标测量

对25MeV/u ⁴⁰Ar+²⁰⁹Bi非完全熔合反应中形成的热核,测量了与裂变碎片相符合的α粒子能谱,用运动源模型分解α粒子能谱得到了裂变断前和断后发射α粒子多重性.由断后碎片发射α粒子多重性得到断点激发能约为172.5MeV.由断前α粒子多重性得到激发能在470—600MeV范围内的热核的裂变时标约为4×10^－21S.     

伴有鸡蛋不耐受的皮肤过敏症患者接种灭活SARS-CoV-2疫苗的安全性调查（英文）

为明确灭活新型冠状病毒疫苗在伴有鸡蛋不耐受皮肤过敏症患者中的安全性,该回顾性研究纳入缺乏鸡蛋过敏实验证据但鸡蛋不耐受的皮肤过敏症成年患者.通过电话随访记录每次接种疫苗后7天的不良反应,研究共纳入122名受试者(平均年龄(30±9.47)岁).和鸡蛋耐受的受试者相比,鸡蛋不耐受者在接种疫苗后会出现更多的不良反应(39.78%/17.24%,P<0.05).同时,特异性鸡蛋不耐受抗体的滴度与接种疫苗后不良反应的风险成正比(趋势P=0.008).其中,注射部位异常疼痛和新发或原有皮疹恶化为最常见的不良反应,且在第一针剂后出现的概率更高.多元回归分析调整后发现,鸡蛋不耐受会增加注射部位异常疼痛(P=0.044,aOR:5.061,95%CI:1.047～24.457)及新发或原有皮疹恶化(P=0.041,aOR:9.109,95%CI:1.098～75.563)的风险.结果表明:灭活新型冠状病毒肺炎疫苗的总体安全性较高,但鸡蛋不耐受会增加皮肤过敏患者接受疫苗后出现不良反应的风险,并且与特异性鸡蛋不耐受抗体的血清浓度成正比.     

聚变堆相关的液态金属膜流初步实验研究

在磁约束核聚变堆的面对等离子部件设计中,液态金属锂膜流因具有带走杂质、保护面对等离子固壁等优点而被认为是优选方案之一. 然而,如何克服聚变堆中强磁场环境下产生的磁流体力学效应并形成大面积均匀铺展锂膜流动是目前亟需解决的问题.本文通过搭建室温液 态镓铟锡回路和高温液态锂回路,开展了两种不同特性的液态金属膜流实验, 并采用传统可视化方法获得了展向磁场存在时镓铟锡和锂在导电底板形成的液膜流动表面特征.实验结果 表明: 无磁场时,两种液态金属膜流流动表面波动特性与常规流体膜流均一致, 即随着流动雷诺数的增加表面波动变得更为混乱; 而展向磁场存在时,镓铟锡膜流表面波动变得更为规则, 且沿着磁场方向平行排列,表现为拟二维波动的特征; 而锂膜流却产生了明显的磁流体 力学阻力效应,表现为在流动方向局部产生锂滞留现象, 且滞留点随雷诺数增大向下游移动. 最后通过膜流受力分析,进一步阐述了锂膜流受到比镓铟锡膜流更为严重磁流体力学效应影响的原因.      

Performance of Organic Field Effect Transistors with Self-Improved Cu/Organic Interfaces

We fabricate pentacene-based organic field effect transistors （OFETs） with Cu as source and drain （S-D） electrodes. The fabricated devices stored for ten hours under ambient atmospheric conditions exhibit superior performance compared with the as-prepared devices. The field-effect mobility increases from 0. 012 to 0.03 cm^2 V^-1 s^-1, and the threshold voltage downshifts from -14 to -9 V. The on/off current ratios are close to the order of 10^4. The improved performance of the stored devices is attributed to the formation of thin Cu oxide at the Cu electrodes/organic interfaces. These results suggest a simple and available way to optimize device properties and to reduce fabrication cost for OFETs.