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71.
Hydrogen ions were implanted into separation by implantation of oxygen (SIMOX) silicon-on-insulator (SOI) wafers near the oxygen-implantation-induced damage peak under different conditions of energy and dose. It was found that the implanted hydrogen ions not only accelerate the diffusion of oxygen atoms from the annealing ambience into the wafer but also cause an outward diffusion of oxygen atoms in the buried oxide (BOX) layer. Thus, greatly broadened buried oxygen-rich (BOR) layers were formed in our experiments, which are 18%-79% broader than the BOX layer of standard SIMOX SOI wafers under the same conditions of oxygen implantation. The mechanism was discussed. A potential low cost method to fabricate SIMOX SOI wafers is proposed. 相似文献
72.
73.
74.
舒世昌 《新疆大学学报(理工版)》2000,17(1):5-9
给复射影空间中完备全实极小子流形的一些特征,推广了这种空间中紧致全实极小子流形的若干结果。 相似文献
75.
本文以时间分辨的反射率测量结合背散射和沟道分析、透射电子显微镜分析,比较和研究了在77K温度下180keV,1×1014/cm2P2+和90KeV,2×1014/cm2P+注入硅于550℃退火时的固相外延过程。发现了P2+,P+注入硅样品的固相外延过程具有不同的特征。这种差异是由于P2+和P+在硅中引入不同的损伤造成的。P+注入的硅样品测量得到的时间分辨的反射谱是反常的。这种反常谱可用样品退火时从表面层到非晶硅层与从衬底到非晶硅层的双向外延的过程给出满意的解释。
关键词: 相似文献
76.
该文证明了de Sitter空间中具有平行平均曲率向量的常数量曲率完备类空子流形,如果其法联络是平坦的,且M的截面曲率小于0,或M的第二基本形式模长平方‖σ‖相似文献
77.
最值问题是中学数学的一个基本问题,解决的方法很多,如分析法(单调性法)、判别式法、平均值不等式法、数形结合法、导数法等.对称性是数学的重要特征,几何、代数中充满着各种类型的对称美.充分挖掘问题中的对称性,常常能够启迪思维,启发人们探索解题思路,发现巧妙解法.下面通过例子说明用对称思想解决某些最值问题既快又准确.例1已知x,y,z∈R ,且x y z=1,求函数f(x,y,z)=4x 1 4y 1 4z 1的最大值.分析从表面上看,这是个三元函数的最值问题,在中学阶段,学生无法直接求解,深入分析f(x,y,z)的结构,不难发现函数f(x,y,z)的表达式对x,y,z具有对称… 相似文献
78.
设M是单位球面S~(n 1)(1)中的n维(n■3)紧致连通定向超曲面,本文研究这种超曲面的曲率结构与拓扑性质,利用Lawson和Simons关于稳定k维流的不存在性与同调群消失定理,得到了曲率与拓扑的一个关系定理,从而对Cheng Q.M.所提出的一个分类问题从拓扑角度给出了一个肯定回答,并且部分肯定回答了Cheng的另一个问题. 相似文献
79.
本文从动态和静态两个方面分别讨论了近于Planck线度的区域内的量子引力效应,得到了量子黑洞的内部度规。论述了无奇性量子黑洞的存在,并引入了相应的同胚映射,获得了无奇性的Penrose图。 相似文献
80.
2002年高考有这样一道试题:
问题 已知f(x)=x^2/1+x^2,那么,f(1)+f(2)+f(3)+f(4)+f(1/2)+f(1/3)+f(1/4)= 。 相似文献