氮杂冠醚或吗啉基取代的单Schiff碱配合物催化α-吡啶甲酸对硝基苯酯水解

两种含5-取代苯并-10-氮杂-15-冠-5的Schiff碱锰(III)、钴(II)配合物( , )及其吗啉基取代的类似物( , ) 用于催化α-吡啶甲酸对硝基苯酯(PNPP)水解。探讨了氮杂冠醚Schiff 碱配合物催化PNPP水解的动力学和机理;提出了配合物催化PNPP水解的动力学模型;考察了配合物结构、反应温度、缓冲溶液pH值等对PNPP水解反应的影响。结果表明,在25℃条件下随着缓冲溶液pH值的增大,催化PNPP水解速率提高;含取代苯并-10-氮杂-15-冠-5的Schiff碱配合物表现出更高的催化活性。根据阿累尼乌斯公式和不同温度下的表观一级常数求出水解反应的表观活化能。     

溅射MoS_2膜在真空用滚珠轴承上的应用研究

作者采用改装了的射频溅射设备在滚珠轴承上溅射MoS_2膜,并选择了合适的工艺参数。用X-射线衍射仪和俄歇能谱仪研究了溅射MoS_2膜的结构和与底材间的界面,评定了溅射MoS_2的抗摩性能并测定了溅射MoS_2膜润滑的滚珠轴承的摩擦力矩和耐久寿命。     

中国散裂中子源/快循环同步加速器电源系统数字化控制方案

在中国散裂中子源工程中, 需要设计1台1.6GeV快循环同步质子加速器. 加速器的磁铁电源系统驱动9套怀特电路. 这9套电源的输出都是带直流偏置的交流电流源. 在每个重复加速周期内, 电流(磁场)必须保证相位和幅值精度. 数字控制技术的可靠性、温度漂移抑制、高集成性等等使得它在越来越广泛地应用于控制电路的设计中. 为了达到中国散裂中子源电源系统苛刻的指标, 本文提出了一种数字化控制方案.     

吸附溶出伏安法研究(Ⅰ)——铜(Ⅱ)存在下痕量半胱氨酸的测定

吸附溶出伏安法是近年发展起来的一种新的电分析方法。Kalvoda等对其机理及应用作了报导,孙长林等研究了铜(Ⅱ)存在下痕量半胱氨酸(RSH)的阴极溶出行为,认为所得溶出峰为吸附溶出峰。本文对其机理作了进一步探讨,证实了其电积过程为吸附过程。并用拟定的方法,无需前处理,测定了人血清中ppm级的RSH,结果满意。     

逆流气相色谱法测定扩散系数

采用逆流气相色谱技术测定了扩散系数，对Ｈａｌｓａｎｏｓ等提出了的逆流技术测定扩散系数的计算公式进行了修正，使其适用于液体样品，并用修正后的公式了正戊烷、正己烷、正庚烷、丙酮、乙醇、异丙醇、环己烷的扩散系数。     

用固体核磁共振谱定量研究脱铝HY分子筛中碱“诱导”的Brnsted酸性位

用氘代吡啶和三甲基膦(TMP)作为碱性探针分子,用1H和31P魔角旋转(MAS)NMR谱对脱铝和未脱铝微孔HY分子筛中的Br#nsted酸(B酸)进行了定量研究.发现在脱铝HY中,吸附探针分子后的B酸量比吸附前的要多,而在未脱铝的HY样中,吸附吡啶分子前后测得的B酸量基本一致,证实了在微孔分子筛中存在碱“诱导”B酸位,即靠近铝的端位SiOH能在碱性探针分子的诱导下形成桥式羟基(SiOHAl).对这种碱“诱导”B酸位的形成机制进行了讨论.     

液晶自组装多层级结构及其应用

液晶的分层组装与刺激响应特性使其在先进功能材料的开发与应用领域具有独特的优势.通过特定的技术手段诱导其自组装行为,可带来新奇的光学、机械、电磁等性能,进而实现一系列全新的技术应用.本文主要针对近晶相、胆甾相、蓝相这三种特殊的液晶相态,系统介绍了多形态焦锥畴结构,分层油纹,螺旋结构,双螺旋扭曲柱立方晶格等多层级结构,重点论述了材料组分优化,几何结构限制以及外场激励等条件下液晶多层级结构的大面积精细操控,回顾了其在粒子操控、表面改性、光子技术等领域的相关技术应用,并总结展望了液晶组装技术与应用的发展前景.     

色谱流动相的相关系数法聚类分析

１引言在色谱分离工作中，为了更好地选择溶剂以达到分离相似组分的目的，需要对溶剂进行分类。这方面，Ｓｎｙｄｅｒ的工作比较出色，但仅仅考虑了ｘｅ、ｘｄ、ｘｎ３个选择性参数。有人根据原始数据运用Ｆｕｚｚｙ聚类分析法计算了８１种溶剂的选择性参数，并考虑了另外两个选择性参数：ｘｔ和ｘｍ。本文运用相关系数法，对８１种溶剂重新进行了计算，分类结果直观，合理，并发现了一类特殊性质的溶剂。２理论部分２．１溶剂的选择性参数　溶剂的极性参数Ｐ’定义为：式中，Ｋ”ｇ为极性分配参数。若定义：　则有：它们分别表示了接受质子…     

MgH_2(110)表面Pd单原子催化氢脱附反应的第一性原理研究（英文）

本文采用第一性原理密度泛函理论计算研究了MgH_2(110)表面吸附单原子Pd后的氢脱附反应.计算发现,在吸附一个Pd单原子后,MgH_2(110)表面氢脱附反应的能垒可以从1.802 eV显著地降低到1.154 eV,表明Pd单原子对于氢脱附具有很强的催化效应.并且,Pd单原子催化还可以将氢脱附的温度从573 K显著地降低到了367 K,从而使MgH_2(110)表面的氢脱附反应更加容易和快速地发生.此外,通过MgH_2(110)表面氢溢出机制的反向过程来讨论了氢脱附反应的微观过程.该研究表明Pd/MgH_2薄膜在未来的实验中可作为良好的储氢材料.     

High performance photodetectors based on high quality InP nanowires

In this paper,small diameter InP nanowires with high crystal quality were synthesized through a chemical vapor deposition method.Benefitting from the high crystallinity and large specific surface area of InP nanowires,the simply constructed photodetector demonstrates a high responsivity of up to 1170 A·W ~(-1) and an external quantum efficiency of2.8 × 10~5% with a fast rise time of 110 ms and a fall time of 130 ms,even at low bias of 0.1 V.The effect of back-gate voltage on photoresponse of the device was systematically investigated,confirming that the photocurrent dominates over thermionic and tunneling currents in the whole operation.A mechanism based on energy band theory at the junction between metal and semiconductor was proposed to explain the back-gate voltage dependent performance of the photodetectors.These convincing results indicate that fine InP nanowires will have a brilliant future in smart optoelectronics.