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81.
为助力科技型创新企业准确且快速地从外部捕获创新技术机会, 提出一种企业技术机会发现和辅助决策方法. 首先, 挖掘领域内的技术热点、技术重点和有潜力的技术作为领域技术创新机会. 然后, 通过关联规则分析领域技术机会和企业已有技术之间的相关性, 进一步结合技术掌握度和新颖度, 识别更适合企业的技术创新机会. 最后, 创新性地采用Sen-BERT语言模型和K-means聚类方法构建技术功效矩阵, 辅助企业从功能需求的角度进行技术创新决策. 以电动汽车领域为例验证了该方法的可行性.  相似文献   
82.
The L3+C experiment, taking advantage of the L3 muon magnetic spectrometer, measured the spatial tracks of charged cosmic ray particles to obtain rigidity as well as velocity. One possible low velocity exotic particle is observed. The existing uncertainties are discussed, and the flux upper limit of the low velocity exotic particles from this observation is deduced based on the assumption of a null observation. The result is 6.2×10^-10 cm^-2·s^-1·sr^-1 at 90% confidence level in the velocity range from 0.04c to 0.5c.  相似文献   
83.
We report on an improvement in the crystal quality of GaN film with an Ino.17Alo.83N interlayer grown by pulsed metal-organic chemical vapor deposition, which is in-plane lattice-matched to GaN films. The indium composition of about 17% and the reductions of both screw and edge threading dislocations (TDs) in GaN film with the InA1N interlayer are estimated by high resolution X-ray diffraction. Transmission electron microscopy (TEM) measurements are employed to understand the mechanism of reduction in TD density. Raman and photoluminescence measurements indicate that the InA1N interlayer can improve the crystal quality of GaN film, and verify that there is no additional residual stress induced into the GaN film with InA1N interlayer. Atomic force microscopy measurement shows that the InA1N interlayer brings in a smooth surface morphology of GaN film. All the results show that the insertion of the InA1N interlayer is a convenient method to achieve excellent crystal quality in GaN epitaxy.  相似文献   
84.
为探讨加筋对双层结构低频隔声及有源控制的影响,分析了筋条数目及布放位置对双层加筋结构低频隔声性能、有源控制策略选取及有源隔声性能的影响。首先利用模态叠加与声-振耦合理论对双层加筋结构建模,然后采用数值算例对上述问题展开探讨。研究发现,筋条数目增多或筋条靠近基板的中间位置布放,将有利于双层加筋结构低频隔声性能的提高。对于有源控制措施,声控制策略与力控制策略相比,前者的控制效率较高且降噪效果较好。由于筋复杂的耦合影响,添加多条筋或筋条靠基板中间布置时有源控制效果减弱,需施加多个点源才能获得较好的降噪效果。   相似文献   
85.
We report on the growth of the high-quality GaN grain on a r-plane sapphire substrate by using a self-organized SiN interlayer as a selective growth mask.Transmission electron microscopy,scanning electron microscopy,and Raman spectroscopy are used to reveal the effect of SiN on the overgrown a-plane GaN growth.The SiN layer effectively terminates the propagation of the threading dislocation and basal plane stacking faults during a-plane GaN regrowth through the interlayer,resulting in the window region shrinking from a rectangle to a "black hole".Furthermore,strong yellow luminescence(YL) in the nonpolar plane and very weak YL in the semipolar plane on the GaN grain is revealed by cathodoluminescence,suggesting that C-involved defects are responsible for the YL.  相似文献   
86.
第25届国际高能物理会议于1990年8月1-9日在新加坡召开.这是历年来高能物理方面一次规模巨大的盛会,也是我国代表在国际高能会议上首次获得热烈欢迎的一次盛会.因为自1988年以来,我国建成了一台其亮度是超纪录的,能域适用于粲物理研究的正负电子对撞机.为此,大会邀请了中国科学院高能物理研究所郑志鹏教授作了关于粲物理的大会邀请报告,同时又邀请了中国科学院高能物理研究所方守贤教授在加速器的分组会议上作有关BEPC的报告.世界各国大实验室的负责人和知名学者,都以浓厚的兴趣关注着中国高能物理的发展. 本届会议报道的一个重要结果,是…  相似文献   
87.
阐述涤纶中空纤维在生产过程中性能的变化,并讨论了纤维聚集态结构与中空纤维特有的膨松性、回弹性的关系。结果表明,在后加工过程中,随着拉伸进行,纤维取向越大,潜在卷曲展现越充分,膨松性V1、V2、卷曲性能和压缩回弹率与非晶区取向程度、结晶度等密切相关。  相似文献   
88.
六年制重点中学高中课本《代数与几何》第一册复习参考题一的第15题为求tim (1+1/2+1/4+…+1/2~n)/(1+1/3+1/9+…+1/3_n) 此题是将式中的分子、分母分别求和变形后,求得极限值为(1-1/3)/(1-1/2)=4/3观察式子结构特点:分子、分母分别是以1/2、1/3为公比的等比数列的前n项和,回味求解过程,不难作出以下推广。命题1 设{a_n}、{a'_n}分别是以q、q'(|q|、|q'|<1)为公比的等比数列,则 rim (a_1+a_2+…+a_n)/(a'_1+a'_2+…+a'_n)=a_1(1-q')/a'_1(1-q) 证明∵|q|、|q'|<1,∴lim q~n=0,lim q'~n=0,于是据等比数列前n项和公式得  相似文献   
89.
本文研究了三辛基氧化膦(TOPO)浸渍树脂在HCI介质中对金的分配。用原子吸收法测定了棚旨对金的吸附速率和等温吸附线,树脂对金的吸附率随温度的升高而降低。 根据吸附平衡的研究发现TOPO浸渍树脂吸附Au(Ⅲ)的反应按下式进行:  相似文献   
90.
建立芦丁在PEG1000,PEG1500-(NH4)2SO4-H2O双水相体系中的萃取测定方法。在PEG1000,PEG1500为3.0mL,(NH4)2SO4用量为2.5g,pH6.0B.R缓冲液的最佳萃取条件下,用紫外分光光度法直接测定银杏叶提取液中的芦丁含量。实验结果表明:方法的相对标准偏差分别为2.1%,1.8%(n=7)。样品加入回收率分别为101.1%,94.7%。方法具有良好的重现性、选择性。  相似文献   
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