基于犹豫模糊偏好关系FMEA方法的改进

为有效解决产品在研发过程中存在的一系列质量可靠性问题,本文提出了一种新的基于犹豫模糊偏好关系的改进FMEA方法。考虑到专家小组对不同失效模式评估时主要依据相关标准和自身经验,存在犹豫模糊不确定或自身偏好问题。本文首先对风险因子的评分标准进行犹豫模糊化,并用犹豫模糊偏好关系对失效模式的相对风险矩阵进行处理;其次,将得到的具有犹豫模糊偏好关系的综合偏好值与犹豫模糊评价信息相结合,得到改进的风险优先数,从而得出新的失效模式风险评估顺序对FMEA进行改进;最后,利用改进的FMEA模型对产品研发过程中的质量风险进行分析验证,使得风险结果更接近实际情况,进而提高研发成功率,显示该方法可行、有效。     

表面气相扩渗稀土法处理铝青铜的耐蚀性能研究

采川X射线光电子能谱、离子探针剥蚀分析和扫描电镜等方沙研究了化学气相扩渗稀土对铝青铜合金耐蚀性能的影响。结果表明,在该合金表面有微量铈渗入,电位-时间曲线、交流阻抗和失重试验等还证明,渗铈能提高铝青铜表面耐蚀性能。     

PRPER中国元素文献分析

2005年创刊的PHYSICAL REVIEW PHYSICS EDUCATION RESEARCH(PRPER)一直是国际上物理教育研究领域的权威期刊。本文聚焦于具有中国元素的物理教育研究在PRPER的呈现情况，统计了PRPER于2005年至2022年发表的文章共计1034篇，从中整理出含有中国元素的105篇文章，利用文献分析的方法，从中国作者、中国高校、中国样本、发文数量变化、研究领域分布及代表性工作等方面，对这些文章进行了全面梳理，并从中总结了近年来中国物理教育研究发展的特点。数据显示，PRPER创刊伊始中国作者发表文章的数量较少，进入2012年后，发文数量呈现上升趋势，有越来越多的综合性高校的物理教学和科研团队投入到物理教育研究中，研究范围囊括评估、研究方法、课程与教学、问题解决、认知与心理、概念理解、认识论、态度和信念等多个方面，且具备持续产出的能力。     

40Ca20是否稳定?

本文计算表明通常认为高稳定的双满壳层核⁴⁰Ca₂₀其实并不稳定。⁴⁰Ca₂₀将可能通过双K层电子俘获的机制而转化为⁴⁰Ar₁₈,其半衰期约为1.2×10³³年。 关键词：     

~(40)Ca_(20)是否稳定?

本文计算表明通常认为高稳定的双满壳层核~(40)Ca_(20)其实并不稳定。~(40)Ca_(20)将可能通过双K层电子俘获的机制而转化为~(40)Ar_(18),其半衰期约为1.2×10~33年。     

环形非圆截面等离子体自由界面的磁流体平衡方程解

在有导体壁的条件下,对于各种趋肤的及趋中心分布的等离子体纵向电流,用一种统一的迭代方法,计算了相应的自由界面的磁流体平衡方程解,并讨论了这种方法适用的范围。 关键词：     

发散冷却叶片槽道内流动和传热的理论分析与试验

本文对发散冷却叶片槽道内气体的流动和传热作了理论分析,导出了有关的数学表达式,比较全面地考虑了影响槽道内热力参数改变的各种因素。试验表明:(1)在槽道内控流孔附近,已经不是一元流动,计算中引入修正是十分必要的;(2)按紊流管内放热强度的五倍来描述槽道内冷气与蒙皮间的放热已不适宜。文中的计算公式为叶片总体传热设计提供了方便。文中列出的试验数据可供设计同型发散叶片用。     

关于（e+e-）,（μ+μ-）原子在库仑场的裂解

本文应用了复合粒子场论的微扰展开理论和自旋为（1/2-1/2）的库仑相互作用原子的Bethe-Salpeter协变波函数的近似解,计算了（e⁺e^-）（μ⁺μ^-）原子的高速飞行下裂解截面及能谱。结果表明（e⁺e^-）原子的裂解截面比前人的计算约小20％。此外,计算还表明（e⁺e^-）及（μ⁺μ^-）原子的单态和三重态裂解截面对任意主量子数n,和极端相对论近似下将精确相等,而前人的计算中只是n=2时才有这一结果,而对n=1时,两者相差约有25％。看来很可能是计算中的错误所致。     

Optimization and Finite Element Analysis of the Temperature Field in a Nitride MOCVD Reactor by Induction Heating

A susceptor structure with a ring channel for a vertical metalorganic chemical vapor deposition reactor by induction heating is proposed. Thus the directions of heat conduction are changed by the channel, and the channel makes the heat in the susceptor redistribute. The pattern of heat transfer in this susceptor is also analyzed. In addition, the location and size of the channel in the susceptor are optimized using the finite element method. A comparison between the optimized and the conventional susceptor shows that the optimized susceptor not only enhances the heating efficiency but also the uniformity of temperature distribution in the wafer, which contributes to improving the quality of the film growth.