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51.
IntroductionInPhysics,Mechanics,ChemistryandLifeScienceetc.,thereexiststhefollowingbifurcationproblemwithaparameter x=f(x ,λ) (x∈Rn,λ∈R) ,(1 )whereλisacontrollingparameterofbifurcationandf(x ,λ) ∈Rnisann_dimensionalvectorfield .Thebifurcationproblemwithaconstan… 相似文献
52.
ZnWO4单晶衬底上ZnO薄膜的晶核发育与形貌分析 总被引:1,自引:0,他引:1
ZnWO4单晶的a晶面与氧化锌c晶面晶格匹配很好,是制备氧化锌薄膜的优良衬底.本文采用溶胶-凝胶法在ZnWO4单晶衬底上制备出透明的ZnO薄膜.通过光学显微镜对薄膜晶核发育过程和形貌进行了详细的分析.实验结果表明:在结晶刚开始,系统将经历成核--长大的过程,随着生长过程的进行,在主晶轴上(一次轴)上又长出二次轴、三次轴等等,最后逐渐形成树枝状晶核.由于ZnO晶核是在非平衡条件下生长的,故在晶核发育过程中又出现了三种不同的生长形态--成核生长、枝晶生长和分形生长. 相似文献
53.
生长了新型激光晶体Pr:GdVO4,经XRD分析可知生长的晶体与纯GdVO4晶体结构一致,晶体质量良好.室温下测试了晶体400~3000 nm范围内的吸收光谱.通过对吸收光谱研究,发现σ谱图中各吸收峰吸收强度更大,宜选择入射光传播方向和电矢量均垂直于光轴的方向进行激光实验.采用404 nm的激发源抽运Pr:GdVO4晶体,测试其荧光光谱,发现其在可见波段有宽且强荧光发射(604 nm、616 nm),对应于1D2→3H4.比较不同浓度晶体的荧光谱,荧光强度呈现如下趋势:0.5;>0.7;>0.32;. 相似文献
54.
55.
56.
ZnWO4:Cr3+晶体的光谱 总被引:1,自引:0,他引:1
采用提拉法生长出不同掺杂浓度的ZnWO4:Cr3+单晶.该材料在912nm处形成宽带荧光发射.激发峰随掺杂浓度的加大而向短波方向移动.在发射带晶体的吸收低,有可能作为在800-1000nm可调谐激光工作介质. 相似文献
57.
通过改变硅源和晶化时间的方法,采用水热法合成了系列SAPO-5分子筛材料,用X光衍射(XRD)和^27AlMAS NMR对产物的晶相结构进行表征,用^13C CP MAS NMR研究不同阶段的产物中模板剂的存在状态,结果可见:以SiO2凝胶为硅源时,薄水铝石反应物有罗高的活性,在48g的晶化时间内,延长晶化时间有助于SAPO-5分子筛的完整结晶,当晶化时间超过48h时,其中已形成的SAPO-5的结 相似文献
58.
重离子物理研究所团簇研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
对北京大学重离子物理研究所进行的团簇产生设备的研制,团簇的产生及其性质的研究进行了描述,利用自行研制一台气体载带溅射原子轻液氮冷凝的团簇产生设备,成功地制备了多种金属及其化合物团簇,发现了支持Cu团簇的“收缩效应”最大收缩率为4.7%,研究了加速电压对ICBD薄膜的影响,发现加速电压越多,形成的Cu薄膜越光滑,当加速电压达到18kV时,得到表面非常平滑的薄膜。 相似文献
59.
60.
多项式微分系统的极限环分支 总被引:1,自引:0,他引:1
与Hilert第十六问题相关联,本文讨论了平面多项式微分系统的极限环分支,将其分为四种类型,其中前两类相平面上的某些奇相关联,后两类则在相平面的一定区域不与任何奇点相关联。 相似文献