球面稳定同伦群的回访新元素族

本文构造了在Adams谱序列中由hng0γ3∈E26,t所表示的球面稳定同伦群πt-6S的新元素族,回访了文[1]中构造的bn-1g0γ3-元素族∈πt-7S,其中t=2pn(p-1)+6(p2+P+1)(p-1),P≥7是素数, n≥4.     

半自动胶片判读仪的校正与标定

指出判读仪有三大核心问题;判读误差、输片误差和控制的正确性.简要地介绍了判读仪的“口”字调整、“田”字检验,以及“十”标定和判读误差的“井”字校正方法.最后给出了一个例子.     

掺铁InP肖特基势垒增强InGaAs MSM光电探测器

采用LP-MOVPE方法及常规器件工艺制成了InP:Fe肖特基势垒增强InGaAsMSM光电探测器。用自建测试系统对其直流和瞬态特性进行了测试,测试结果表明,器件的击穿电压大于10V,2V偏压下暗电流为170nA,对应的暗电流密度约为3mA/cm²;瞬态响应中上升时间tr为21ps,半高宽FWHM为75ps.     

离散电荷2~l极子的电势

本文讨论离散电荷２ｌ极子的电势，导出２ｌ极子电势的计算公式，并给出该电势在直角坐标系和球坐标系中的表达式．     

低温绝对比热装置的研究

我们已研制成功了低温绝对比热测量装置。该装置是用连续升温法进行测量，可测温度范围为１０至３００Ｋ。通常测量样品的质量为２００ｍｇ左右，最小可测样品的质量为１５ｍｇ，由于采取了间隔一段温度都检测其漏热情况，并利用漏热数据来修正比热数据，从而大大提高了测量的准确性和精度，通过纯铜样品的标定，在２０－２５０Ｋ范围内其精度为０．８％，该装置采用计算机控温和数据采集，具有自动化程度高，灵敏度高，重复性好，操     

Peterson公式等的推广

设P_w(i)为 steenrod代数的Milnor基元P~(0’…’0’t’0'…),i在序列的第S个位置上,s≥1.P_s(r_1,r_2,…)表示Milnor 基元P~(0’…’0’r_1’0'…’r_2…),r_i在序列的第is个位置上.令 P_s=1+P_s(1)+P_s(2)+…(_R~r)=(_1~r)~r1(_2~r)~r2…,规定0~0=1,其中 R=(r_1,r_2,…).当s=1时,P_s即P=1+P~1+P~2+…,而P_s(R)即P~R.Peterson F.P. 在文[3]中得出:     

有存贮性能的薄膜电致发光屏的光写入(日本霞浦公司中心研究实验室在76年信息显示会议上的报告摘要)

前言 作者曾制做了由Y_2O_3(或Si_3N_4)—ZnS:Mn—Y_2O_3组成三层结构,具有存贮功能的稳定的高亮度EL屏。 在此屏的应用研究过程中,作者发现通过加一个有足够脉宽0～60伏的低脉冲电压1屏变得对光敏感。同时也发现,可以通过     

30MeV医用回旋加速器气体靶束流线的研制

中国原子能科学研究院于1994年研究建成我国第一台医用强流回旋加速器CYCIAE-30及配套放射性同位素生产线,目前为了增加气体靶以生产新品种医用同位素,在原有束流输运线的基础上开展了束流输运系统的升级改造方案设计,包括束流线的总体布局考虑和光学设计,并根据束流光学设计的结果,进行了新增柬流线上电磁元件的设计.在物理设计的基础上,还进行了施工设计以及各分系统的加工、调试、安装,并以物理设计得到的参数为依据进行了束流调试,靶上得到的束斑与理论值有较好的符合,满足设计要求.     

Room-Temperature Ferromagnetic ZnMnO Thin Films Synthesized by Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition Method

Room-temperature ferromagnetic Mn-doped ZnO films are grown on Si （001） substrates by plasma enhanced chemical vapour deposition （PECVD）. X-ray diffraction measurements reveal that the Znl-xMn.O films have the single-phase wurtzite structure. X-ray photoelectron spectroscopy indicates the existence of Mn^2＋ ions in Mndoped ZnO films. Furthermore, the decreasing additional Raman peak with increasing Mn-doping is considered to relate to the substitution of Mn ions for the Zn ions in ZnO lattice. Superconducting quantum interference device （SQUID） measurements demonstrate that Mn-doped ZnO films have ferromagnetic behaviour at room temperature.     

Strain Effect on Photoluminescences from InGaN MQWs with Different Barriers Grown by MOCVD

InGaN/GaN MQWs, InGaN/AlGaN MQWs and InGaN/AlInGaN MQWs are grown on （0001） sapphire substrates by MOCVD. Membrane samples are fabricated by laser lift-off technology. The photoluminescence spec-ra of membranes show a blue shift of peak positions in InGaN/GaN MQWs, a red shift of peak positions in InGaN/AlGaN MQWs and no shift of peak positions in InGaN/AIlnGaN MQWs from those of samples with substrates. Different changes in Raman scattering spectra and HR-XRD （0002） profile of InGaN/AlInGaN MQWs, from those of InGaN/GaN MQWs and InGaN/AlGaN MQWs, are observed. The fact that the strain changes differently among InGaN MQWs with different barriers is confirmed. The AIlnGaN barrier could adjust the residual stress for the least strain-induced electric field in InGaN/AIlnGaN quantum wells.