高效液相色谱-质谱联用法测定人体血液中脂肪酸含量

建立了一种用液相色谱-串联质谱(HPLC- MS)快速、准确地对人体血液中游离脂肪酸进行分离和定量的方法.该法使用Dole提取法,提取的样品直接进行分析,无需衍生化处理.该方法以氘代十六烷酸为内标物,采用液相色谱-质谱联用法测定了人血清中游离脂肪酸的含量,各脂肪酸线性方程的相关系数均大于0.99,方法的回收率为90.0...     

自组装效应对AM/NVP共聚的影响

研究了丙烯酰胺(AM)与N-乙烯基吡咯烷酮(NVP)在水/四氢呋喃(THF)溶液中的自由基共聚。发现,当水溶液中含THF,AM的聚合速率下降,NVP的聚合速率提高。黏度测定发现,在THF质量分数为28%,AM/NVP物质的量比为5∶1的水/THF体系中,共聚物的黏度达到最大值,与该体系中NVP的聚合速率达到最大值相一致。溶液中加入氯化钠,AM的聚合速率提高,但随THF的含量增加而降低。加入尿素,在含水率达到较大值,NVP聚合速率最大。用透射电子显微镜(TEM)和核磁共振谱(NMR)对聚合物结构进行了表征。在水/THF中,共聚物链自组装形成"核―壳"状微聚体。NVP上的五元环聚集成"核"状,共聚物链的酰胺基团尽量舒展,形成"壳"状。溶剂的组成变化伴随"核―壳"状微聚体半径的改变,影响AM和NVP的聚合速率。     

三氯一氟甲烷分子的正负离子对光解离动力学

在CFCl₃分子的同步辐射光激发正负离子解离过程中,利用负离子飞行时间质谱技术观测到了F^-和Cl^-(包括³⁵Cl^-和³⁷Cl^-),测量得到了³⁵Cl^-和³⁷Cl^-在7.75～22.00 eV的负离子产额效率谱. 实验得到CFCl₃→CFCl相似文献   

基于TD-ERCS混沌系统的伪随机数发生器及其统计特性分析

为了进一步分析切延迟椭圆反射腔映射系统(TD-ERCS)混沌系统的密码学意义上的安全性， 采用TD-ERCS并行方式构造了一个结构简单的伪随机序列发生器.用户密码不再是固定不变的 ，可在［2⁶⁴，2⁶⁷²］区域内任意取值.对所产生的二值伪随机 序列（即TD-ERC S序列）进行了均衡性、游程特性、相关性等基本统计特性初步测试，并与m序列、logistic 序列、Chebyshev混沌序列、SCQC序列作了对比分析.实验表明，TD-ERCS序列有更好的统计 特性. 关键词： 混沌 TD-ERCS PRNG 统计特性     

延时提取正交发射MALDI技术研究

在反射式飞行时间质谱仪上,采用脉冲电场延时提取技术及离子正交发射采样方式,进行了基质辅助激光解吸附电离技术(MALDI)的研究.实验所用激光波长为266nm,基质为2,5二羟基苯甲酸,样品为孔雀石绿和多肽.得到了上述样品在MALDI条件下离子的质谱图和初速度分布.质谱测量的分辨率达到4000,质量测量的线性相关度好于0.9999,平均误差小于0.0075%.     

氢分子团簇的研究进展及其应用简

氢分子是宇宙中结构最简单、数量最多的分子,氢分子团簇是分子团簇结构和动力学的研究原型.同时,氢作为激光核聚变和托克马克受控热核聚变的原料,氢分子团簇对聚变的效率有很大的影响.本文介绍了氢分子团簇在基础研究、超流体研究、托克马克研究和激光核聚变研究中的研究意义、研究内容和研究现状.     

多聚磷酸铵对再造烟叶热解行为与CO释放量的影响

应用热重分析研究多聚磷酸铵(APP)对再造烟叶热解行为的影响．热分析结果表明,APP降低再造烟叶热降解速率及其热释放量、促进了碳的形成,对再造烟叶的热降解起一定的阻碍作用．此外APP显著影响再造烟叶的热解过程中的气相产物,再造烟叶的CO单支释放量与单口释放量随着APP含量的增加快速下降．慢速热解与闪解实验结果显示升温速率是APP降低CO释放的关键因素．     

家鸽头部的磁性物质

磁铁矿可以在很多生物组织中被发现,国外研究者同样在家鸽上喙皮肤组织中发现了规则分布的超顺磁磁铁矿颗粒。他们应用透射电子显微镜确认了这些小磁铁矿晶体为尺寸在1—5 nm的聚集体,集中存在于皮下组织中。这些超顺磁粒子聚集体又形成直径为1—3μm的粒子束,分布在大细胞之间的长形结构中,并且与神经组织紧密相连。应用光学显微镜和电子显微镜,国外研究者也对家鸽上喙传入三叉神经末梢的次细胞组织进行了研究。这些神经末梢组织直径大约5μm,内部包含着聚集成束的超顺磁磁铁矿颗粒。大约10到15个粒子束存在于一个神经末梢中,沿着细胞膜排列。每一个超顺磁粒子束包埋在一个纤维杯中,口朝向细胞表面,通过纤维组织,这些粒子束粘附在细胞表面上。除了超顺磁颗粒,非晶态铁磷酸盐也被发现,它们沿着神经末梢的纤维中心分布。解剖特征表明,这些神经末端可以探测很小的地磁场强度的变化,考虑到以超顺磁磁铁矿颗粒为基础的"磁接收器"理论,他们还给出了几个"磁接收器"的模型。     

Directly extracting both threshold voltage and series resistance from the conductance-voltage curve of an AlGaN/GaN Schottky diode

An Ni/Au Schottky contact on an AlGaN/GaN heterostructure has been prepared. By using the peak-conductance model, the threshold voltage and the series resistance of the AlGaN/GaN diode are simultaneously extracted from the conductance-voltage (G-V) curve and found to be in good agreement with the ones obtained by using the capacitance-voltage (C-V) curve integration and the plot of dV/d(ln I) versus current I. Thus, a method of directly and simultaneously extracting both the threshold voltage and the series resistance from the conductance-voltage curve for the AlGaN/GaN Schottky diode is developed.     

Ge_xSi_1-x_/Si应变层超晶格的分子束外延生长及其特性研究

在 Si (l00) 衬底上用分子束外延在不同的温度下生长了不同组份的GeGe_xSi_1-x_/Si 应变层超晶格.用反射式高能电子衍射、x 射线双晶衍射、卢瑟福背散射、透射电子显微镜以及Raman散射等侧试方法研究了Ge Ge_xSi_1-x_/Si超晶格的生长及其结构特性. 结果表明, 对不同合金组份的超晶格, 其最佳生长温度不同. x值小, 生长温度高; 反之, 则要求生长温度低. 对于x为0. 1-0. 6 , 在400-600℃ 的生长温度范围能够长成界面平整、晶格完好和周期均匀的GeGe_xSi_1-x_/Si应变层超晶格. 关键词：