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21.
22.
喜树碱类抗肿瘤药物作用模式的柔性分子对接研究 总被引:3,自引:0,他引:3
研究采用柔性分子对接技术,将15个喜树碱类化合物对接到拓扑异构酶I (Topo I)-DNA切割复合物中,从原子水平和分子力场角度阐明了喜树碱类抗肿瘤药 物与DNA,Topo I的相互作用机制。研究发现,喜树碱分子插入Topp I-DNA复合物 的切割位点,并与Asn722,Asp533,Lys532和Lys720形成氢键作用网络。定量构效 关系研究进一步表明喜树碱分子可以与Topo I-DNA切割复合物形成电荷迁移作用。 该对接模型系统解释了喜树碱类化合物的构效关系、定点突变等诸多实验事实,为 下一步设计、合成新型高效的喜树碱类衍生物打下了坚实基础。 相似文献
23.
24.
鲁棒稀疏重构问题是信号处理领域的重要问题,该问题的数学本质是一个NP难的数学优化问题.同伦算法是一类典型的路径跟踪算法,该算法是解非线性问题的一类成熟算法,具有全局收敛性,且易于并行实现.本文考虑同伦算法在鲁棒稀疏重构问题中的数值求解.基于l_∞范数及罚函数策略,我们首先将原始的基于l_0范数的最优化模型,转化为含参数的无约束极大极小值问题,进而构造凝聚函数光滑化模型中的极大值函数,并构造凝聚同伦算法数值求解.数值仿真实验验证了新方法的有效性,为大规模鲁棒重构问题的并行化数值求解奠定基础. 相似文献
25.
26.
Radiation induced offstate leakage in the shallow trench isolation regions of SIMC 0.18 μm nMOSFETs is studied as a function of dose rate. A "true" dose rate effect (TDRE) is observed. Increased damage is observed at low dose rate (LDR) than at high dose rate (HDR) when annealing is taken into account. A new method of simulating radiation induced degradation in shallow trench isolation (STI) is presented. A comparison of radiation induced offstate leakage current in test nMOSFETs between total dose irradiation experiments and simulation results exhibits excellent agreement. The investigation results imply that the enhancement of the leakage current may be worse for the dose rate encountered in the environment of space. 相似文献
27.
给出了一类用广义杨辉三角阵定义的Bernstein型算子线性组合加Ja-cob i权的逼近在一致逼近意义下的特征刻划. 相似文献
28.
利用具有同步辐射源的反射式飞行时间质谱仪,研究甲基环己烷的真空紫外光电离和光解离. 观测到母体离子C7H14+和碎片离子C7H13+,C6H11+,C6H10+,C5H10+,C5H9+,C4H8+,C4H7+和C3H5+的光电离效率曲线. 测定甲基环己烷的电离能为9.80±0.03 eV,通过光电离效率曲线确定其碎片离子的出现势. 在B3LYP/6-31G(d)水平上对过渡态、中间体和产物离子的优化结构进行表征,并使用G3B3方法计算其能量. 提出主要碎片离子的形成通道. 分子内氢迁移和碳开环是甲基环己烷裂解途径中最重要的过程. 相似文献
29.
The photoionization spectroscopy of Si(CH3)3Cl in the range of 50 -130 nm was studied with synchrotron radiation source. The adiabatic ionization potentials of molecule Si(CH3)3Cl and radical Si(CH3)3 are 10.06 ±0.02 eV and 7.00±0.03 eV respectively. In addition, the appearance potentials of Si(CH3)2Cl+, Si(CH3)3+, SiCl+ and SiCH3+ were determined:
AP(Si(CH3)2Cl+) =10.49±0.02eV, AP(Si(CH3)3+) = 11.91 ±0.02eV
AP(SiCl+) = 18.64 ±0.06eV, AP(SiCH3+)= 18.62 ±0.02eV
From these, some chemical bond energies of Si(CH3)3Cl+ were calculated:
D(Si(CH3)2Cl+ - CH3) =0.43 ±0.02eV, D(Si(CH3)3+ - Cl) = 1.85 ± 0.02eV
D(SiCH3+ - (2CH3 + Cl)) = 8.56 ± 0.06eV, D(SiCH3+ - 2CH3) =6.71±0.06eV
D(SiCl+ - 3CH3) = 8.58 ± 0.06eV, D(SiCl+- 2CH3) = 8.15 ±0.06eV
D(SiCH3+- (CH3 + Cl)) =8.13 ±0.06eV 相似文献
AP(Si(CH3)2Cl+) =10.49±0.02eV, AP(Si(CH3)3+) = 11.91 ±0.02eV
AP(SiCl+) = 18.64 ±0.06eV, AP(SiCH3+)= 18.62 ±0.02eV
From these, some chemical bond energies of Si(CH3)3Cl+ were calculated:
D(Si(CH3)2Cl+ - CH3) =0.43 ±0.02eV, D(Si(CH3)3+ - Cl) = 1.85 ± 0.02eV
D(SiCH3+ - (2CH3 + Cl)) = 8.56 ± 0.06eV, D(SiCH3+ - 2CH3) =6.71±0.06eV
D(SiCl+ - 3CH3) = 8.58 ± 0.06eV, D(SiCl+- 2CH3) = 8.15 ±0.06eV
D(SiCH3+- (CH3 + Cl)) =8.13 ±0.06eV 相似文献
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分子的电离电势、键能和离子的标准生成焓等都是非常重要的物理化学数据,它们对化学反应机理等研究有很大帮助,精确测定离子的出现势,就可以获得这些热力学常数.迄今为止,有关溴乙烷(C2H5Br)电离解离过程的研究已有若干报导[1-3],但这些结果均是在常温条件下,用电子轰击电离、彭宁电离或真空紫外灯辐照等方法获得的,由于常伴有热带效应、离子分子反应、离子对形成等过程[4],其结果的准确性往往较差.本文首次报导使用同步辐射光源对C2H5Br进行光电离解离研究.通过准确测量母体离子以及几种主要碎片离子的出现势,结合已有的公认的热力… 相似文献