稀土配合物Tb(3-metho)3phen掺杂的有机电致发光

合成了一种新型稀土配合物Tb(3-metho)3phen，将其掺杂到导电聚合物PVK中改善了配合物的成膜性和导电性，并对掺杂薄膜进行了荧光，电致发光和形貌的研究，实验表明，存在聚合物到稀土配合物的能量传递，利用能量传递我们得到了窄谱带的绿色有机薄膜电致发光器件。     

Elec tronic St rue tu res and Thermoelec trie Properties of ZnSb Doped with Cd and In from First Principles Calculations

Thermoelectric properties of pure,Cd-and In-doped ZnSb are studied by first principles calculations of electronic structures and the semi-classical Boltzmann transport theory.The doping of Cd or In at the Zn lattice site slightly increases the lattice parameters due to the larger atomic radii of Cd and In compared with that of Zn.Cd or In doping also apparently increases the interatomic distances between the dopant atoms and the surrounding atoms.The power factor of n-type ZnSb is much larger than that of p-type ZnSb,indicating that n-type ZnSb has better thermoelectric performance than p-type ZnSb.After the doping of Cd or In,the power factor reduces mainly due to the decrease of the electrical conductivity.The temperature dependences of the Seebeck coefficient and the power factor of pure,Cd-and In-doped ZnSb are related to carrier concentrations.     

纳米Cu固体材料微结构的正电子湮没研究

纳米材料的性能不仅与纳米晶粒本身的结构有关,而且与纳米晶体之间界面的微观结构有关.纳米粉在压实成纳米块过程中很难消除微孔洞,并且在压实过程中也会给晶粒引入结构缺陷.本文用正电子湮没谱学研究了纳米Cu固体材料微结构,发现在两种不同条件下压制成型的纳米Cu固体内部的晶粒界面均存在着单空位及空位团等缺陷.空位团的大小随着压制压力的增加而略有减小.通过退火实验发现纳米Cu固体的界面缺陷具有较好的热稳定性.即使在900℃高温下退火也只能使部分缺陷得到恢复,但是低压力下压制的样品中的缺陷恢复需要更高的温度.     

稀土配合物Eu(asprin)3phen发光特性的研究

将稀土配合物Eu(asprin)3phen掺杂到导电聚合物PVK中，制成结构分别为ITO/PVK：RE配合物／LiF／Al(1)，ITO／PVK：RE配合物／PBD/LiF/Al(2)的电致发光(EL)器件。发现二者的电致发光谱存在着较大的差别：在器件(1)中，来自Eu^3 的位于594nm(^5D0→^7F1)和614nm(^5D0→^7F2)处的发光强度大致相当，而在器件(2)中，EL主要来自Eu^3 位于614nm的发光，594nm处的发光很弱，与薄膜状态下的光致发光谱(PL)一致。并针对此现象进行了初步讨论。     

掺杂PVK薄膜中两种组分相互作用的光谱及形貌研究

将两种荧光材料Alq₃和DCJTB 同时掺杂到聚合物PVK中,通过混合薄膜的光学及电学性质研究了能量传递过程及电荷陷阱作用。同时用AFM分析了不同掺杂浓度下混合薄膜的相分离现象。发现随着DCJTB染料比例的增加,两种染料在PVK中的分散越来越均匀,说明在双掺杂体系中存在Alq₃和DCJTB 的某种作用,这种作用打散了混合物中Alq₃的聚集,但随着掺杂浓度的进一步增加,DCJTB形成了自己独立的电荷传输通道,从而降低了电致发光器件的启亮电压。     

掺杂有机电致发光中电压调制变色两种机制的探讨

研究两种掺杂电致发光器件聚乙烯基咔唑（PVK）：Rubrene和Alq3:MN-PPV。通过其光致发光及电致发光特性的研究，发现两种器件的光致发光与电致发光有较大差别。分析认为这是能量传递及电致发光中陷阱对载流子吸引的共同作用使得PVK激子在光致发光和电致发光中的复合速率不同造成的；同时发现对于不同浓度的PVK：Rubrene及Alq3:MN-PPV电致发光随电压增加都发生变色现象，但是它们分别是由两种不同的机制造成的：前者作为染料分子Rubrene，不能形成类似Alq3那样的分相体系，Rubrene发光主要来自PVK的能量传递及陷阱电子对PVK空穴的吸引；后者是由于分相造成载流子在两相中的迁移不平衡。     

退火气压对于P3HT∶PCBM微观形貌及光伏性能的影响

通过精确设定不同的退火环境气压, 实现对P3HT(Poly(3-hexylthiophene -2,5-diyl)与PCBM(［6,6］-Phenyl C61 butyric acid methyl ester)体系中聚噻吩结晶度以及共混相分离程度的控制, 并在此基础上制备了结构为ITO/PEDOT∶PSS/P3HT∶PCBM/Al的正型光伏器件。在允许的压强设定范围内, 器件各项性能参数均随退火环境压强的增大表现出先升高后下降的变化规律, 并统一于气压设定为1 500 mTorr时获得最大值。从活性层的紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱中发现P3HT在510 nm吸收峰以及550和600 nm肩峰附近的吸收强度随退火气压升高而增大, 在气压为1 500 mTorr时达到最高, 吸收强度的提升源于聚合物分子π—π堆叠的增加。原子力显微镜(AFM)进一步分析结果表明, 高气压环境(>1 000 mTorr)能够促进P3HT∶PCBM共混组分在退火过程中形成较大程度的相分离, 而当环境压强合适时(1 500 mTorr)适度的相分离利于聚合物形成良好有序结晶, 从而能够提升活性层内部载流子传输能力, 保证较高的短路电流与填充因子, 制备的器件也因此表现出良好的光伏性能, 光电转化效率达到3.56%。     

非共轭聚合物PPV衍生物中烷氧基团对发光性质的影响

研究了3种非共轭PPV聚合物以及3种共轭PPV衍生物的吸收谱和发光光谱的特性.非共轭PPV聚合物上的侧链烷氧基团有着很强的供电子能力,对调节非共轭聚合物能带带隙有重要的影响,且离主链较近的碳原子对能带结构也有一定的影响.但当侧链上的碳原子数量很大,从7个小时一直变化到10小时,共轭PPV衍生物的吸收光谱和发光光谱变化较少,表明对能带结构影响小.     

一种基于视觉底层特征的图像质量评价方法

把视觉底层特征概念引入到客观图像质量评价中,提出了一种基于不同图像视觉底层特征的质量评价方法。在基于Itti计算模型和视觉底层特征最佳权重的基础上,对4种类型图像提取底层视觉特征显著图,利用特征最佳权重值,组合归一化形成视觉计算显著图,通过直方图相似度计算分析各显著图。实验结果与主观评价结果具有较好的一致性,且优于基于传统Itti模型和SSIM模型的图像质量评价方法。不同类型的图像需要充分考虑各特征的权重大小,使其能真实反映视觉感兴趣区域的特征属性,更好地评价失真图像的质量。     

共掺杂稀土配合物Tb0.5Eu0.5(asprin)3phen电致发光的研究

合成了共掺杂稀土配合物Tb0.5Eu0.5(asprin)3phen，将其掺杂到导电聚合物PVK中，制成结构为ITO／PVK：RE配合物／PBD／Al的电致发光器件，与PVK：Eu(asprin)3phen体系为发光层的相同结构的器件相比，我们发现铽离子的引入能猝灭PVK的发光，增强铕的发光，而Tb3 本身的发光很弱，几乎看不到，说明Pb3 在其中起到能量的中间传递作用，促进了PVK到Eu^3 的能量传递，本文就器件的发光特性及掺杂体系的能量传递进行了初步讨论。