一种耦合电路分析的磁驱动飞片数值计算方法

分析了磁驱动飞片实验和数值计算的研究现状。根据磁驱动实验装置等效电路建立了可带入参数为表达式的电路计算程序。利用建立好的电路计算程序结合LS－DYNA980 MHD计算软件,建立了一种可以耦合电路分析的磁驱动飞片计算方法。采用这种方法模拟了CQ－4的发射飞片实验,计算结果与实验基本符合。最后分析了极板长度h分别为20、25、30 mm并且充电电压73 k V时磁驱动飞片的速度和平面性,认为实验中极板长度取25 mm比较合适。     

含水天然气喷射装置性能的数值模拟

本文针对天然气喷射装置在低压气带水情况下的运行特性进行了数值模拟,获得了超声速喷射装置在气液两相运行时装置的性能变化规律。计算结果表明:低压气流量随着水滴质量流量的增加而减小,引射比随着水滴质量流量的增大而减小;低压气流量随着水滴直径的增加而逐渐减小,但当水滴直径大于20μm时,低压气流量基本保持不变,引射比变化规律与低压气流量的变化规律基本一致。本文工作对天然气引射装置的设计和实际运行具有重要指导意义。     

利用铕(Ⅲ)-诺氟沙星-十二烷基硫酸钠的 光致发光及稀土敏化荧光法测定硫酸新霉素的浓度

室温下,在pH=7.4的氨-氯化铵缓冲溶液中,铕(Ⅲ)与诺氟沙星反应形成稳定络合物,产生稀土敏化荧光,其最佳激发、发射波长分别为λ_ex=340 nm、λ_em=612 nm,表面活性剂十二烷基硫酸钠(SDS)的加入使其荧光强度进一步增加。在该反应体系中加入适量硫酸新霉素溶液,铕(Ⅲ)与诺氟沙星络合物的激发、发射峰位置不变,但荧光强度降低,据此建立了灵敏的测定硫酸新霉素的荧光分析方法。硫酸新霉素的浓度在0.909~22.72 mg/L范围内符合线性关系。该方法的检出限为0.40 mg/L,可用于片剂及滴眼液中硫酸新霉素含量的测定,快速、简便、结果满意。6次平行测定的回收率为90.5%~102.3%,相对标准偏差为1.4%~3.5%。     

InAlN/GaN异质结二维电子气波函数的变分法研究

使用变分法推导了InAlN/GaN异质结二维电子气波函数和基态能级的解析表达式,并讨论了InAlN/GaN异质结结构参数对二维电子气电学特性的影响.在假设二维电子气来源于表面态的前提下,使用了一个包含两个变分参数的尝试波函数推导电子总能量期望值,并通过寻找能量期望极小值确定变分参数.计算结果显示,二维电子气面密度随InAlN厚度的增大而增大,且理论结果与实验结果一致.二维电子气面密度增大抬高了基态能级与费米能级,并保持二者之差增大以容纳更多电子.InAlN/GaN界面处的极化强度失配随着In组分增大而减弱,二维电子气面密度随之减小,并导致基态能级与费米能级减小.所建立的模型能够解释InAlN/GaN异质结二维电子气的部分电学行为,并为电子输运与光学跃迁的研究提供了解析表达式.     

水热处理对硫酸铝水解产物的微观形貌影响

本文采用水合硫酸铝为原料,以尿素为沉淀剂,通过水热处理方法制备了球形碱式硫酸铝及中空球形薄水铝石,探讨了水热温度对产物微观形貌的影响.研究结果表明,低温水热处理有利于球形碱式硫酸铝的形成,随水热处理温度的提高,球形碱式硫酸铝发生原位溶解及再结晶,形成以片组装的中空球形薄水铝石.     

水溶液中DNA紫外辐射损伤的分子机制研究

以激光喇曼光谱分析技术,对不同紫外辐射时间条件下ＤＮＡ在水溶液中产生的损伤状况进行研究,结果表明,体外条件下单纯ＤＮＡ水溶液中由紫外辐射直接造成Ｃ→Ｔ的可能性（具体反映在Ｃ→Ｕ这一过程中）是不存在的。胞嘧啶有Ｃ４原子处氨基减少可能,但并无假设衍生形成的尿嘧啶的Ｃ４Ｏ增色表现,不支持胞嘧啶脱氨基直接转变为酮式（成为尿嘧啶）的模型。胞嘧喧Ｎ４Ｈ变形振动的减色似可能证明胞嘧啶的亚氨基化,６１６ｃｍ＾－１     

仿生纳米结构的g-C3N4基光催化剂研究进展(英文)

太阳能的绿色高效利用可减缓化石燃料消耗,有助于“双碳”目标的实现.光催化技术不仅可在温和条件下转化太阳能为化学能,还能实现有机污染物的高效降解,是太阳能开发利用的理想技术.光催化技术的核心在于半导体光催化剂的开发.近年来,由于石墨相氮化碳(g-C₃N₄)具有易调节的电子结构、优异的耐热性和化学稳定性,廉价无毒等优势,成为光催化领域中的明星催化剂.然而,未经改性的块体g-C₃N₄存在结晶度差、可见光吸收能力弱、表面积小、载流子易复合以及电荷迁移慢等问题,导致其较低的光催化反应活性.g-C₃N₄微观形貌结构的调控可提升光吸收性能,促进载流子分离与迁移,加快表面反应速率,进而大幅提升g-C₃N₄光催化活性.除了传统的微观形貌结构调控策略以外,模仿自然界中生物结构来设计和构建仿生结构,是提升g-C₃N₄光催化性能的有效途径之一.本综述以传统的微观形貌结构调控策略为铺垫,重点介绍...     

GaN基蓝光半导体激光器的发展

文章介绍了下一代光存储用半导体激光器——GaN蓝光激光器的发展状况．对衬底材料的发展现状、外延片的生长技术以及激光器的制作工艺都作了论述．阐明了GaN激光器的一些技术路线，如GaN同质生长衬底的发展，侧向外延生长技术的采用以及湿法腐蚀腔面等．另外还介绍了GaN半导体激光器数字多功能光盘(DVD)的实用化进程．     

高效开采低压天然气引射装置的试验研究

本文针对长庆油田陕北气田某集气站,设计加工了一套天然气引射装置,并开展了工业性试验.通过现场试验验证了天然气引射技术的可行性.试验结果表明一次气流量与一次气压力为线性关系,与二次气压力无关;二次气流量基本上与二次气压力呈线性关系,一次气压力变化对其影响很小;引射比随二次气压力的升高而升高,随一次气压力升高而降低.上述工作为天然气引射装置的结构优化和该引射技术的推广应用奠定了基础.