The degradation mechanism of an AIGaN/GaN high electron mobility transistor under step-stress

Step-stress experiments are performed in this paper to investigate the degradation mechanism of an AIGaN/GaN high electron mobility transistor （HEMT）. It is found that the stress current shows a recoverable decrease during each voltage step and there is a critical voltage beyond which the stress current starts to increase sharply in our experiments. We postulate that defects may be randomly induced within the A1GaN barrier by the high electric field during each voltage step. But once the critical voltage is reached, the trap concentration will increase sharply due to the inverse piezoelectric effect. A leakage path may be introduced by excessive defect, and this may result in the permanent degradation of the A1GaN/GaN HEMT.     

光注入掺铒光纤激光器的混沌特性

对光注入情况下混沌光纤激光器的输出特性进行实验研究.混沌光纤激光器采用环形腔结构,利用光纤的非线性克尔效应产生混沌激光.主激光器产生的混沌激光通过光隔离器和光纤耦合器注入到混沌掺铒光纤激光器实现外光注入.将主激光器产生的不同功率的混沌信号注入从激光器,研究光注入后从激光器混沌信号时序、频谱、自相关以及稳定性与复杂度等特性.结果 表明,光注入后的混沌信号时序随机且幅度频数呈高斯分布,频谱无明显的周期特性,自相关特性优良.光注入掺铒光纤激光器混沌输出在保证混沌源高复杂度的同时提高了混沌源的稳定性.     

高压下Fe从bcc到hcp结构相变机理的第一性原理计算

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法, 分别研究了压力作用下Fe从体心立方 (bcc,α 相) 结构到六角密排(hcp, ε相) 结构相变的两种不同的相变机理: 相变过程中出现亚稳定的面心立方(fcc) 结构(bcc-fcc-hcp) , 以及相变过程中没有出现亚稳定的fcc结构(bcc-hcp) . 计算结果表明: 静水压力条件下, 相变过程中并不会产生亚稳定的fcc结构, 这与最近的原位XRD实验测量结果相一致. 随着压力的增加, fcc-hcp的相变势垒逐渐增加, 压力趋向于阻止Fe从fcc结构到hcp结构的相变. 计算得到了相变过程中原子磁性和结构的详细信息, 分析表明相变过程中涉及复杂的磁性转变, 并且讨论了原子磁性对结构转变影响的物理机理. 此外, 对分子动力学模拟中产生亚稳定的fcc结构的原因也进行了讨论. 关键词： 相变机理 静水压力 第一性原理 铁     

高温高压下过渡金属Ru的结构相变

采用基于密度泛函理论的第一性原理和准简谐晶格动力学方法对Ru的六角密排 (hcp)、面心立方 (fcc)、体心四方 (bct) 和体心立方 (bcc) 结构的磁性、晶格结构稳定性和高温高压下的相变进行了系统的研究. 计算获得了各相结构的磁性基态及其稳定性范围, 结果表明: 零温下在计算的压力范围内, NM-hcp 结构是Ru最稳定的结构, 压力的单独作用下并没有相变的发生; NM-fcc结构是Ru的亚稳定结构, 而NM-bcc和FM-bct结构在动力学上并不稳定. 高温高压下Ru将发生从NM-hcp到NM-fcc结构的相变, 并给出了Ru的温度压力相图. 关键词： 相变 晶格稳定性 磁性 第一性原理     

对称四甲基六元瓜环与2-苄基咪唑啉盐酸盐自组装包合物的晶体结构

以2-苄基-咪唑啉盐酸盐(Benid)为客体,对称四甲基六元瓜环(TMeQ[6])为主体,在水溶液中形成自组装包合物(TMeQ[6]-Benid)的晶体.X-射线单晶衍射实验表明,Benid-TMeQ[6]为单斜晶系,空间群P21,晶胞参数:a=1.18633(5) nm,b=2.06145(6) nm,c=1.35163(5) nm,α=90.00°,β=96.102(2)°,γ=90.00°,V=3.28676 nm3,Z=2,Mr=1626.95,Dc=1.569 g·cm-3,μ=0.169 mm-1,R1=0.0739,Wr2=0.1412.通过多种非共价键弱相互作用,主客体以1:1的包结比形成自组装包合物,客体的苯环被包结在主体的空腔内.1H NMR结果进一步证实了在溶液中也是同样的包结模式,包结稳定常数为7.23×105 mol-1·L.     

曙光一号自由电子激光器束调节研究

简单介绍了曙光一号自由电子激光器实验布局．着重就束调节方案进行了数值模拟和实验研究，给出了束流调试结果,并进行了分析；当进入摇摆器的束流为950A，摇摆器磁场为0.31T，在摇摆器长度为2．4m的位置,获得了50MW的饱和功率，经变参数实验后输出功率提高到140MW．     

利用数字傅里叶变换方法讨论噪声对测量OTF的影响

测量OTF时所产生的误差,可分为系统误差和随机误差。前者误差是有一定规律的,例如探测器的非线性或扫描狭缝的有限宽度。后者误差是随机性的。例如探测器的噪声引起的,或者在测量中由于系统受振动或干扰引起的。如果我们知道误差产生的原因,则可采取措施,对其进行修正或避免,但对误差进行完全修正或避免实际上是难以实现的。所以为改善测量OTF的精度,重点研究统计误差是很重要的。     

全息光学透镜成象及全息光栅频谱分析在4f光学系统中的处理

一、前言全息光学透镜具有常规光学元件所没有的优点,它体小、质轻、形状可变。但是由于制作它的全息记录材料衍射率低(银板30％,铬板80％),所以,其成象质量在一般应用中不如常规光学透镜清晰。我们曾多次将其作为物镜,在同一波长和白光下对物体照相,其分辨率都比常规光学透镜成象差。所以,我们将其置于4f光学系统中进行信息处理。     

利用对称矩阵构作多个结合类的结合方案

利用有限域上的矩阵构作结合方案是万哲先提出来的.他在文章[1]中利用有限域上 n×n 埃尔米特矩阵构作了一个有多个结合类的结合方案,并且计算了 n=2时的参数。后来王仰贤在文章[2]中把这种构作方法推广到有限域上的 n×n 交错矩阵和一般的 m×n 矩阵的情形,并且计算了这些方案的参数.本文将把上述方法推广到对称矩阵的情形,利用特征数不等于2的有限域上的 n×n 对称矩阵来构作有2n 个结合类的结合方案,并且计算其参数.     

截断具有噪音的线扩展函数对计算OTF的影响

我们知道,不论是在计算中,还是在测试中,研究传递函数的重点内容应是扩展函数。但是,还应考虑噪音反扩展函数的掺杂,因为它是直接影响计算和测试OTF的主要因素。噪音包括随机噪音(即光电阴极电流的散粒效应噪音、倍增噪音)和LSF(线分布函数)或PSF(点分布函数)的零级漂移(如光电探测器受杂散光的干扰和电子暗电流的影响)。这些噪音在测试中是特别难以避免的。