新型五甲基茂基三苄氧基钛/甲基铝氧烷催化剂合成苯乙烯-乙烯共聚物及其表征

以五甲基茂基三苄氧基钛［Ｃｐ＊ Ｔｉ（ＯＢｚ）３］ 和甲基铝氧烷（ ＭＡＯ） 组成的催化体用本体法合成出苯乙烯 乙烯共聚物Ｐｏｌｙ（Ｓ ｃｏ Ｅ） ．考察了共聚温度,共聚时间,Ａｌ／Ｔｉ 摩尔比,主催化剂浓度［Ｔｉ］ 等条件对共聚反应的影响．共聚产物经沸丁酮,沸四氢呋喃（ＴＨＦ） 连续抽提分离,发现共聚物主要存在于ＴＨＦ 可溶级分中．可溶级分经ＤＳＣ,１３Ｃ ＮＭＲ,ＷＡＸＤ,ＤＭＡ 等手段分析,证明苯乙烯 乙烯共聚物为具有单一玻璃化转变温度（ Ｔｇ） 无熔融温度的无规共聚物,显示弹性体的粘弹性行为．     

乙二胺溶剂热还原法制备碳纳米管

以乙二胺作为溶剂和碳源,用KBH4还原NiCl2得到的镍作为催化剂,于300℃制备碳纳米管。X-射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射(SAED)和Raman光谱分析证明,产品为多壁碳纳米管,直径约为100nm,长度达几微米。该方法具有反应温度低、反应时间短、操作简便等特点。     

瓜环与哌嗪衍生物主客体配合物的研究(英)

本文采用核磁共振技术研究瓜环与哌嗪衍生物主客体配合物的结构特征。¹H核磁共振谱证实八元瓜环能与一些哌嗪衍生物形成稳定的双客体主客体配合物,六元瓜环与一些哌嗪衍生物形成稳定的1∶1主客体配合物。而五、七元瓜环和哌嗪衍生物则未表现出明显地相互作用。形成的自组装主客体配合物得到质谱的进一步证实。     

茂钛均相催化剂丁二烯聚合研究

由五甲基单茂钛化合物Cp TiL3 和甲基铝氧烷 (MAO)组成的催化体系进行丁二烯聚合 .考察具有不同辅助配体L的主催化剂Cp TiL3 及外加三异丁基铝 (TIBA)对聚合的选择性 ;讨论了聚合温度、AlMAO Ti摩尔比和催化剂浓度对聚合反应的影响 .发现外加适量TIBA有助于提高催化活性 ,而且随着TIBA用量的增加聚丁二烯分子量增加 .结合钛氧化态分析 ,说明催化体系中Ti(Ⅲ )活性中心更有利于丁二烯聚合     

溶剂热还原法制备蛋壳状碳材料

Eggshell-like carbon materials with high yields have been synthesized by a solvothermal route in a stainless steel autoclave using metallic zinc and absolute ethanol as starting materials. The products were characterized by X-ray powder diffractometry (XRD)， energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX)， Raman spectroscopy and scanning electron microscopy (SEM). The eggshell-like carbon spheres had diameters ranging from 500 nm to 1 μm. The optimal reaction conditions to obtain eggshell-like carbon materials were 600 ℃ and 12 h.     

1,10-邻菲咯啉取代苷脲及其一维Ag(Ⅰ)配位聚合物的合成及晶体结构

合成了1,10-邻菲咯啉取代苷脲(L),并用L与硝酸银反应得到一维配位聚合物[AgLNO3]n,利用X-射线衍射方法测定了它们的晶体结构。L:单斜晶系,空间群P21/c,a=1.8545nm,b=1.2504nm,c=1.2818nm,β=108.476°,V=2.8192nm3,Z=7,F(000)=1176,finalGOF=1.093,R1=0.060,wR2=0.1654,。[AgLNO3]n:正交晶系,空间群Pca21,a=1.55149nm,b=1.04907nm,c=1.15892nm,V=1.8863nm3,Z=4,F(000)=1024,finalGOF=1.038,R1=0.042,wR2=0.110。晶体结构表明配体L与Ag髣形成了一维配位聚合物[AgLNO3]n。     

提拉法生长直径10英寸优质Yb∶YAG激光晶体

设计制作了直径10英寸Yb∶YAG激光晶体生长热场,改进了单晶炉称重与旋转系统结构,采用感应加热熔体提拉法结合上称重自动控径技术,成功生长出了直径252 mm、等径长近260 mm的完整Yb∶YAG晶体,晶坯外观完整,无开裂。在5 mW绿光激光和20 mW He-Ne激光照射下检测,晶坯整体无散射。经检测性抛光后,晶坯选材扇区内光学均匀性较好,应力分布均匀。选择口径为152 mm×11.5 mm、长为260 mm的板条区域进行测试,透过波前畸变为0.29λ/inch@633 nm,表明晶坯具有良好的光学质量,可以选切加工宽度达到150 mm的大尺寸晶体板条元件。     

基于SVM的固化土无侧限抗压强度模型

为实现较少试验次数下固化土无侧限抗压强度(qu)的准确预测, 提出了基于支持向量机(SVM)的固化土qu的预测模型. 以固化剂各组分掺入比、龄期、初始含水量、固化剂掺量等因素为输入量, 固化土的qu作为输出量, 以径向基为核函数, 采用网格搜索法和交叉验证法进行参数优化, 建立了基于SVM的固化土qu的预测模型. 算例分析表明: 该模型适用于任意条件下固化土qu的精确预测, 且在较小试验成本下实现与响应面法相当的预测精度.     

Mg/Cd共掺杂ZnO电子结构与光学性质的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法,研究了Mg/Cd(不同的Cd浓度)共掺杂ZnO的电子结构和光学性质.研究表明:Mg/Cd共掺杂ZnO,体系的晶胞尺寸变大,但结构稳定.当Mg/Cd为1:1时,吸收边略微发生蓝移.随Cd的掺杂浓度增加,导带部分逐渐下移,禁带宽度变窄,出现红移现象.除此之外体系的吸收率和反射率也减小.说明Mg/Cd共掺杂ZnO,不仅使得体系光学谱丰富,而且透射性增强.这对实验中制备出高透射率的材料具有一定的指导意义.     

The degradation mechanism of an AlGaN/GaN high electron mobility transistor under step-stress

Step-stress experiments are performed in this paper to investigate the degradation mechanism of an AlGaN/GaN high electron mobility transistor(HEMT).It is found that the stress current shows a recoverable decrease during each voltage step and there is a critical voltage beyond which the stress current starts to increase sharply in our experiments.We postulate that defects may be randomly induced within the AlGaN barrier by the high electric field during each voltage step.But once the critical voltage is reached,the trap concentration will increase sharply due to the inverse piezoelectric effect.A leakage path may be introduced by excessive defect,and this may result in the permanent degradation of the AlGaN/GaN HEMT.