过渡金属钼钒砷酸盐纳米微粒的固相合成与表征

采用室温固相反应法合成了通式为H3MAsMo10V2O40·xH2O(M=Co2+、Ni2+、Cu2+、Zn2+)的四种过渡金属钼钒砷酸盐纳米微粒。通过元素分析、IR、UV、XRD、TEM、TG DTA、TPR等测试手段对其组成、结构、颗粒大小、热稳定性以及表面性能进行了表征。结果表明:四种多金属氧酸盐均为Keggin结构的纳米微粒,晶粒大小约为25～36nm,形成纳米微粒后,表现出明显量子尺寸效应,热稳定性下降,表面活性增大。     

磁共振系统中自旋极化过程的时间特性

本文从理论上和实验上分析了铷原子在静磁场和射频磁场作用下激光抽运磁共振系统中极化过程的时间特性。在我们的实验中,构建了简单的激光抽运实验平台,并通过记录探测光的透射强度监测铷原子的极化状态。射频场关闭时,铷原子通过吸收圆偏共振探测光实现极化,透射光强度达到最大。打开共振射频磁场,极化状态被破坏,即原子会退极化并重新吸收探测光,透射光强度减弱。实验结果表明,探测光功率会影响铷原子实现极化的过程。探测光功率越大,完成极化所需的时间越短。在70μW到200μW的探测光功率范围内,铷原子完成自旋极化的时间由33.93 ms缩短到23.37 ms。基于三能级系统的密度矩阵理论数值分析,有力地支持了所提供的实验数据。     

反相高效液相色谱法测定格列齐特的血药浓度

格列齐特(甲磺吡脲,Gliclazide,GZ)为第二代磺酰脲类口服降血糖药,在国外已被广泛用于临床。山东省医药工业研究所合成了该药,开始应用于临床。为研究GZ在人体内的生物利用度和药代动力学行为,本文参考国内外有关文献,建立了灵敏度较高、特异性好的高效液相色谱法,已用于测     

三角形REISSNER-MINDLIN板元

本文提出构造无自锁现象的Reissuer－Mindlin板元的一个一般性方法.此方法将剪切应变用它的适当的插值多项式代替,当板厚趋于零时这对应于插值点的Kirchhoff条件,因而单元无自锁现象.根据这种方法我们构造两个三角形元──一个3节点元和一个6节点元,并给出数值结果.     

制取乙炔实验的改进

1.降低化学反应速度,获得平稳气流。２.吸收有毒气体,避免环境污染。     

Eu^2^+激活的LiAl5O8和Al2O3的荧光性质

通过研究Eu^2^+在LiAl5O8和Al2O3基质中的荧光性质, 发现Eu^2^+在LiAl5O8和α-Al2O3基质中产生f→f跃迁发射, 在α-Al2O3和γ-Al2O3的混合相中Eu^2^+的f→f跃迁发射消失, 产生一新的带状发射。运用晶场和共价理论及晶体结构数据对实验结果进行详细讨论, 采用电负性平均化原理和Sanderson电负性标度计算基质中Eu^2^+所带分电荷及Eu-O键的离子性百分数, 合理地解释了实验结果。     

用有限元法解龟磁波穿透非均匀有耗等离子体鞘套时的损耗

本文用有限无法求解了电磁波穿透具有任意密度剖面的非均匀等离子体鞘套时的反射和透射问題。鞘套的剖面参数选自典型再入飞行器的粘性激波层平衡流场数据^[1]。利用虚功原理和线性插值函数从Helmholtz方程导出有限元方程。鞘套按对数剖分为31个单元。然后,分别对频率f=400MHZ,4000MHZ和10GHZ时,计算了鞘套内的场值及反射,透射和吸收系数。并估算了信号的总功耗。误差分析表明,计算结果是令人满意的。与其它方法相比较,本文所给出的有限无法是简捷而精确的,所以该方程适于计算波穿透具有任意的而且变化剧烈的剖面的等离子体鞘套时的损耗     

Eu2+离子在BaF2-xREF3体系中的f→f跃迁发射

研究了Eu²⁺离子在BaF_2-xREF₃体系中的荧光光谱结构,当RE=La,Gd,Y,Lu和Sc时,降低温度或适当改变基质中阳离子间摩尔比都观察到了EU²⁺的f→f跃迁尖峰发射。     

希土离子取代对Eu2+发光的影响

研究了具有磁铅矿和β-Al₂O₃结构的多铝酸盐基质中希土离子取代对Eu²⁺发光的影响。结果表明希土离子取代对Eu²⁺的发射峰位置和强度产生了较大变化,特别在磁铅矿基质中,这种影响更为显著。通过离子取代规则,获得了新的组成并具有β-Al₂O₃结构和磁铅矿结构的荧光体。     

多孔硅和掺镨多孔硅的光致发光

多孔硅在室温下发出光致荧光展现了硅用作光电子材料和显示技术材料的前景。掺入希土元素可以改善硅的发光性能。本文首次报道多孔硅掺希土的一种新的电化学掺杂方法——恒电位电解,和一种希土硝酸盐-支持电解质-有机溶剂的新电解体系。这一方法和体系的特点是通过采用适当外加电压来控制电解产物,提高掺入的希土浓度,提高发光强度;同时可避免析出使发光不稳定的产物,提高发光稳定性。优化了阳极氧化制备多孔硅的条件和阴极还原制备掺镨多孔硅的条件(镨化合物浓度、溶剂、离子强度、电解电压、时间),获得了光致发光强度高于多孔硅的掺镨多孔硅,并讨论了多孔硅和掺镨多孔硅的光致发光机制。