浙江省患病凡纳对虾副溶血弧菌的分离、鉴定及毒力基因分析

对浙江省发病凡纳对虾进行了弧菌分离、鉴定, 对分离菌株进行了API-20E生化鉴定, 不耐热毒素基因tlh、致病基因tdh、trh和毒力基因pir的PCR检测, 以及高致病性副溶血弧菌对小鼠致病性研究结果显示, 150个分离菌株中共检出tlh基因菌株61株(40.67%), ap阳性菌株21株(14.00%); 189个固定样品中检出副溶血弧菌阳性样品108个(57.14%), ap阳性样品24个(12.70%); 所有tlh阳性样品中均未检出tdh、trh毒力基因; ap阳性副溶血弧菌灌胃小鼠死亡率为20%, 且其培养上清液有弱溶血效价. 表明副溶血弧菌在浙江省凡纳对虾弧菌感染中占有重要地位, 高致病性副溶血弧菌在副溶血弧菌中占较高比例, ap阳性副溶血弧菌对小鼠具有一定毒力和溶血性.     

秩函数与K0群的状态空间

给出了局部秩与稳定自由秩的表达式,得到了一类VN正则环的元素特征.利用K0群的状态空间,给出了K0R有关性态的本质刻画.     

SrTiO3金属-绝缘体-半导体结构的介电与界面特性

采用金属有机分解法在p型Si衬底上制备了SrTiO3（STO）薄膜.研究了STO薄膜金属 绝缘体 半导体(MIS)结构的介电和界面特性.结果表明，STO薄膜显示出优异的介电性能，在10kHz处的介电常数约为105，损耗低于001，这来源于多晶结构和良好的结晶性；MIS结构中的固定电荷密度Nf和界面态密度Dit分别约为15×1012cm-2和(14—35)×1012cm-2eV-1，这主要与Si/STO界面处形成的低介电常数界面层有关. 关键词： SrTiO3薄膜 MIS结构 介电性能 Si/STO界面     

“神龙一号”注入器研制

“神龙一号”注入器是直线感应加速器的束流源，它采用了感应叠加的高压加载方式，包括脉冲功率系统、感应腔、阴阳极杆、绝缘支撑、二极管和束流传输系统等子系统. 在研制中采用了径向绝缘支撑、对中支撑调节系统、类Pierce阴极等先进技术，以及二极管线圈内置和外径为800mm的铁氧体大环等创新. 参数测试显示，3.5MeV注入器达到了世界先进水平.     

INFLUENCE OF C+-IMPLANTATION DOSE ON BLUE EMISSION AND MICROSTRUCTURES OF Si-BASED POROUS β-SIC

Crystal Si were implanted with different doses of C⁺ from 10¹¹ to 10¹⁷ cm^-2 at an energy of 50 keV. β-SiC precipitates were formed by thermal annealing at 1050 ℃ for 1 h and porous structures were prepared by electrochemical anodization. Under the excitation of ultraviolet, the samples, with C⁺ dose ≥10¹⁵ cm^-2 have intense blue emission which is stronger than the photoluminescence (PL) intensity of reference porous silicon (PS), and increases as C⁺ dose increases; the samples with C⁺ dose ≤10¹⁴ cm^-2 show similar PL spectra to those of PS. The blue peak intensity in PL spectra is correlated with the TO phonon absorption strength of β-SiC in infrared absorption spectra. The transmission electron microscopy study shows that the blue peak is also correlated with the microstructures. Because porous β-SiC is nanometer in size, it is suggested that the quantum confinement effect be responsible for the blue light emission.     

低杂波波谱的下移和可近性条件

本文利用改进磁面位移计算的射线轨迹Ｃｏｄｅ，研究在射线轨迹的第圈ｎ的下移以及下移量与各等离子体参量的关系。我们发现等离子体密度越高，波的频度越低，ｎ的下移量越大。计算表明：在射线的第一圈ｎ下移量的最大值大致与ｎ＾－ｅ／「ｆ＾１．５ｑ（ｒｃ）」成正比、也与电流、密度的分布和ｎ的初值等有关。     

环形池内双层流体热毛细对流不稳定现象实验研究

为了了解水平温度梯度作用下双层流体内热毛细对流的特征,实验观察了环形池内由1cSt硅油和氟化液FC-40组成的双层流体内热毛细对流失稳后的不稳定现象。实验表明,随着上层或下层流体厚度的增加,流动稳定性减弱。当上层厚度为1.5 mm时,内外环间温差超过临界温差后在外环区域产生三维稳态的直条纹、并在内环区域产生热流体波,波纹产生于上层流体。当上层流体厚度为2mm时,液层内三维稳态直条纹占主导。环形池旋转使稳态条纹变为弯曲波纹,并且液层内只有一组传播方向与环形池的旋转方向相反的热流体波。     

Nano-Crystalline Diamond Films with Pineapple-Like Morphology Grown by the DC Arcjet vapor Deposition Method

A nano-crystlline diamond film is grown by the dc arcjet chemical vapor deposition method. The film is characterized by scanning electron microscopy, high-resolution transmission electron microscopy （HRTEM）, x-ray diffraction （XRD） and Ftaman spectra, respectively. The nanocrystalline grains are averagely with 80hm in the size measured by XRD, and further proven by Raman and HRTEM. The observed novel morphology of the growth surface, pineapple-like morphology, is constructed by cubo-octahedral growth zones with a smooth faceted top surface and coarse side surfaces. The as-grown film possesses （100） dominant surface containing a little amorphous sp2 component, which is far different from the nano-crystalline film with the usual cauliflower-like morphology.     

介质壁加速器用固态脉冲形成线设计与实验

设计和研制了一种CaO-TiO2-Al2O3复合陶瓷平板固态脉冲形成线,以期用于介质壁加速器。该脉冲形成线的几何参数为：陶瓷介质长度300 mm,宽度15 mm,厚度1 mm;银电极长度280 mm,宽度2 mm。电性能参数为：相对介电常数约23.5,特征阻抗约26 ,电长度约4.5 ns,直流耐压场强大于20 kV/mm,在s量级上升时间的脉冲电压下绝缘强度大于25 kV/mm。该固态脉冲形成线设计兼顾了光导开关的使用要求、高梯度绝缘子的设计指标、带电粒子束的输运及加速器的结构设计要求。结合GaAs光导开关,开展了固态Blumlein脉冲形成线实验研究工作,在脉冲充电电压约25 kV的条件下,固态Blumlein脉冲形成线实现脉冲电压输出约23 kV。