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301.
高容量亚胺基二乙酸型螯合树脂的制备及吸附性能 总被引:1,自引:0,他引:1
以甲基丙烯酸缩水甘油酯(GMA)为单体, 氯甲基化的交联聚苯乙烯树脂(CMCPS)为大分子引发剂, CuBr/2,2'-联吡啶(Bpy)为催化剂, 采用表面引发原子转移自由基聚合(SI-ATRP)技术, 使甲基丙烯酸缩水甘油酯聚合在CMCPS树脂表面, 制得了环氧化聚合物. 将该聚合物与亚胺基二乙酸(IDA)反应, 制备了高容量亚胺基二乙酸型螯合树脂(IDA-PGMA-CMCPS), 用元素分析对其进行了表征. 考察了螯合树脂对Cu2+的吸附性能及动力学和热力学参数. 该螯合树脂表面IDA接枝密度达8.15 mg/m2. 研究结果表明, 树脂对Cu2+的吸附量随离子浓度和温度的升高而增加, 当pH值为2.2时, 对Cu2+离子的吸附效果最佳. 树脂的静态饱和吸附容量为1339.66 mg/g, Langmuir和Freundlich方程均呈现良好的拟合度. 通过热力学平衡方程计算ΔG<0, ΔH=270.60 kJ/mol, ΔS>0, 表明该吸附过程是自发、 吸热、 熵增加的过程. 动力学研究结果表明, 准二级动力学方程能较好拟合动力学实验结果, 该过程符合准二级动力学模型. 相似文献
302.
303.
环戊二烯分子内π电子的离域是失稳定的——分子内π和σ轨 … 总被引:1,自引:1,他引:0
为环戊二烯分子中非平面片断的片断轨道的建立提供了一个新的方法和计算程序。分子内的Morokuma作用能的计算表明,“π电子的离域是失稳定的”与“离域的π体系是失稳定的”是两个完全不同的概念。π电子离域的结构效应完全取决于σ体系对离域的作用。 相似文献
304.
在有机合成中可用芳磺酰基作暂时性活化基团。芳磺酰基乙酸酯是具有活性亚甲基的弱酸性化合物。通常要在氢化钠、醇钠存在下才能起烷基化反应。Ono等曾报道4-甲苯磺酰基乙酸甲酯在DBu存在下进行烷基化反应,但反应时间长。近年来,相转移催化在有机反应中的应用受到重视,然而用固液相转移催化法使芳磺酰基乙酸酯起烷基化反应还未见报道。我们在K2CO3/DMF体系中,用TEBA作催化剂,研究了4-氯苯磺酰基乙酸异丙酯与不同类型卤代烃所起的烷基化反应。合成了尚未见报道的一或二烷基化产物。 相似文献
305.
对于不可压缩有势流动,有两类典型的不定边界或可动边界问题,即定常型不定边界如常水位闸门出流、过水坝或过水闸、水堰绕流及射流等,非定常型的不定边界如装液容器内的流体晃动问题.它们的共同特点是自由面位置与形状事先是的,需在计算过程中调整网格作自由面拟合.且由于自由面条件呈强烈非线性,给不确定数值计算带来困难.本文综述了两类不定边界问题的有限元和边界元模式,简述了笔者的一些计算经验. 相似文献
306.
本文研究了在液流连续体系中还原汞,避免了用SnCl2易生成偏锡酸沉淀的缺点,因此可用来测定和连续监测环境水中的汞,在0.5-6ppb范围内有良好的线性关系,检出限为0.1ppb. 相似文献
307.
自1995年以来,在中科院近物所2MV串列静电加速器上对溅射负离子源进行了调试.调试中对源体作了重大的改进,逐步完善了运行工艺,利用该离子源加速器可长时间提供Li、C、O离子束.Since 1995, the sputter ion source has been tested on the 2 MV tandem acce lerator in the Institute of Modern Physics. During the experiment some important improvememts on the source were performed. The running procedure has been progressively perfect. With this vaurce, the stable Li, C,O ion beams can be delivered by the accelerator for long period. 相似文献
308.
本文用光电化学的方法,研究了催化氧化乙烯兼得氢燃料的可能性,还研究了以n-GaP半导体为基底的电极表面镀金属(Au、Ag、Pd)膜,既防止光腐蚀又催化乙烯氧化反应的规律性.考察了外加偏压、pH和溶剂等因素对反应的影响,并初步探讨了可能的反应机理. 相似文献
309.
ZnO纳米针阵列合成及台阶动力学生长机理研究 总被引:1,自引:1,他引:0
采用化学气相沉积系统,不用催化剂,生长过程中采用变温技术,在Si基片上合成了ZnO纳米针阵列.扫描电子显微图(SEM)显示ZnO纳米针阵列整齐密集生长在基片上,其棒状部分粗细均匀,直径约100 nm.透射电子显微照片(TEM)显示ZnO纳米针尖端呈现一系列的台阶.X射线衍射(XRD)图谱上只存在ZnO的(002)衍射峰,说明ZnO纳米针沿c轴择优取向.运用台阶动力学和奇异面生长理论分析表明ZnO纳米棒是典型的奇异面上单二维成核法向层生长机制.当单圈圆台阶扫过整个晶面的时间ts大于奇异面法向生长一个台阶高度所用时间tn时,在纳米棒顶端形成针尖;当单圈圆台阶扫过整个晶面的时间ts小于或等于奇异面法向生长一个台阶高度所用时间tn时,在纳米棒顶端不能形成针尖. 相似文献
310.